全球DRAM供应吃紧情势恐比市场预期更久。彭博资讯最新分析指出，只要全球云端大咖持续加码AI基建，DRAM供需紧俏格局至少延续至2027年，甚至拉长到2029年至2030年。
这意味这波存储多头已不只是传统景气循环反弹，而是AI带动产业供需结构出现根本性改变。
法人看好，台厂当中，南亚科、华邦电掌握DRAM产能优势，后市运营同步看旺。
彭博认为，三星、SK海力士、美光等国际存储大厂正优先将资源转向高频宽存储（HBM），进一步排挤一般型DRAM产能，主因HBM要生产与一般DRAM相同的存储容量，所需硅晶圆约为后者三至四倍，等于AI对HBM需求愈强，传统DRAM能取得的产能就愈少。
在上述情况之下，即使存储厂积极扩产，供给也难在短期内追上需求。彭博预估，若产能依目前规划增长，最快也要到2028年供给才有机会追上需求，一旦新厂进度落后，供给吃紧更可能延续更久。
背后最大推力仍是AI，业界点出，Google、亚马逊、微软、Meta、SpaceX及甲骨文等科技巨擘2027年资本支出预料持续扩张，AI服务器不仅大量消耗HBM，同步推升服务器DDR5及高容量DRAM需求。
台厂中，南亚科成为此波DRAM供需吃紧的优先受惠厂家。
南亚科认为，AI及一般服务器需求持续推升DRAM用量，在产能受限下，DDR5、LPDDR5、DDR4、LPDDR4乃至DDR3均面临供给吃紧；今年首季DRAM平均售价更季增逾七成，反映市场缺口迅速扩大。
南亚科目前除持续供应DDR4、LPDDR4，同步加速提高DDR5比重，客制化AI UWIO存储也已开始贡献营收。
面对中长线需求，南亚科进一步扩大5A新厂投资，2026年至2029年资本支出上限达3466亿元，新厂预计2027年下半年开始投片，2028年月产能达3万片，2029年达3.59万片，预计导入1B、1C、1D、1E等先进10nm级制程及EUV技术。
华邦电对市况看法更为积极，总经理陈沛铭日前直言，2027年存储供需恐比2026年更吃紧，在AI相关需求强劲带动下，客户甚至已开始洽谈2029年、2030年长期供货。
为了应对客户强劲需求，华邦电积极扩产，高雄厂目前月产能约1.5万片，目标扩增至2.4万片，并正式启动Module B扩建，预计2027年初动工、2029年底量产，采用16nm、14nm及后续12nm制程。
