台积电先进、成熟双轨并进 依客户需求增产能

来源:工商时报 #台积电#
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台积电制程布局加速汰旧换新,据供应链指出,台积电28nm主要生产基地Fab 15A月产能投片规模相较年初减少逾25%。芯片业者推测,台积电规划更多28nm产能支持Interposer(中介层),淡出低毛利订单,部分客户将寻求联电、世界先进协助。

供应链观察,今年初台积电28nm月投片量20万片,惟6月已降至15万片;显示台积电将目光转向更具战略价值之先进制程。其中,A14先进制程生产基地台中Fab 25如火如荼进行,P1厂区已有土建进度完成。

业界指出,28nm仍是显示驱动IC、电源管理IC、微控制器、网通芯片及车用芯片的重要节点,市场需求不会快速消失。不过,台积电资本支出重心已转向2nm、A14及先进封装,成熟制程扩产态度相对保守。当台积电逐步收敛28nm供给,客户为降低供应风险,将增加第二供应来源,具备成熟制程产能及特殊制程平台的联电、世界先进有机会受惠。

而台积电于前次法说强调,在成熟制程技术的策略上并无改变,策略为继续优化成熟制程技术,且持续增加产能,并专注于更高的附加价值和策略性市场领域;如JASM 的第一座晶圆厂系针对CMOS 影像感测器应用,及德国的ESMC则针对汽车与工业应用。

其中,联电拥有完整28nm平台,并持续推进22nm制程,可承接OLED显示驱动、Wi-Fi、网通、消费性及车用芯片订单。若台积电将更多资源转向12nm以下节点,联电将是28nm客户寻求长期产能保障时的主要替代选项。世界先进目前以8英寸为主,不过近期新加坡12英寸厂加速赶工,准备承接台积电外溢订单。

随GPU芯片面积逐渐逼近光罩极限,台积电将SoIC三维堆叠列为下一阶段重点,通过向上堆叠SRAM及I/O晶粒,突破单一芯片面积与存储频宽限制。硅光子方面,COUPE光引擎规格朝3.2T推进,每毫米频宽达0.5Tbps,约传统1.6T光模组的2.5倍,后续技术路线将由每通道200G升级至400G、单排转为双排光纤阵列,并由单波长扩展至多波长。

责编: 爱集微
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