天眼查显示，苏州东微半导体股份有限公司近日取得一项名为“IGBT器件的制造方法”的专利，授权公告号为CN119230400B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2024年9月29日。
本发明属于IGBT器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件的制造方法，包括：在n型半导体层内形成若干个第一沟槽；通过倾斜的离子注入在型半导体层内形成位于第一沟槽一侧的沟道注入区，通过两次倾斜的离子注入形成p型体区；通过垂直的离子注入形成n型电荷存储区；通过倾斜的离子注入形成n型源区；通过自对准工艺形成第一栅极和第二沟槽；在第二沟槽形成第二栅极。本发明可以减少IGBT器件制造过程中的光刻工艺次数，降低IGBT器件的制造成本。
