2025年10月31日至11月1日，第四届射频滤波器创新技术大会在海宁圆满落幕！本届大会以 “芯潮・滤动” 为核心主题，汇聚了 390 余位射频前端领域的政府主管领导、科研学者、企业高管、资深工程师及产业链上下游精英代表，共同赴约这场聚焦技术创新、共谋产业发展的行业盛会。
开幕致辞：锚定产业机遇，共推高质量发展
大会开幕仪式上，天通高新执行董事潘建清先生向莅临现场的各位嘉宾致以热烈欢迎与衷心感谢。他在致辞中表示，滤波器作为通信、新能源等产业的 “信号守门人”，在 5G 规模化扩容、6G 研发提速的行业背景下，正迎来技术迭代升级与国产替代的关键发展期。
潘建清先生强调，本届大会延续前三届初心，以 “主题报告 + 深度交流” 的形式搭建高效产学研互动平台，汇聚行业顶尖专家分享前沿技术成果。大会旨在凝聚各方智慧，深度聚焦射频滤波器前沿发展趋势与下一代技术方向，携手把握产业机遇，共推滤波器产业高质量发展。
浙江省半导体行业协会副理事长兼秘书长丁勇代表协会，祝贺大会顺利召开并欢迎各位嘉宾。他指出，浙江将半导体纳入 “415X” 先进制造业集群核心赛道，2024 年产业销售收入达 2864.0 亿元，同比增长 19.8%，五年复合增速 29.7%，正处于 “黄金发展期”。当前浙江半导体产业三大优势持续释放：政策层面构建多层次体系，设立 200 亿元专项基金，顶尖团队最高资助 1 亿元；市场端新能源汽车等新业态推动滤波器应用扩容，2025 年车规芯片市场预计突破 800 亿元；产业生态上民营企业占比 95%，形成 “杭州设计、绍兴制造、海宁材料” 跨区域格局，实现产业链高效闭环。
海宁市副市长张雪女士表示，海宁，不仅以潮闻名，更以“芯”而兴。当前，海宁作为省级集成电路产业集群的核心承载区，在政策支持、产业配套、创新资源等方面享有独特优势，是滤波器企业布局发展的理想选择。海宁本土企业天通瑞宏研发的射频滤波器已实现规模化量产，出货量位居国内前列——这背后，是上百道工序的精雕细琢，更是浙江半导体产业“十年磨一剑”的坚守与积累。
我们诚挚邀请大家多来海宁和浙江其他地方走走看看，把创新成果落地于此，把优质项目布局于此——这里有200亿元基金护航、百余家企业协同，更有“最多跑一次”的政务服务全程保障。
主题报告：深耕核心技术，赋能产业创新
大会名誉主席、加拿大工程院院士、南方科技大学电子系讲席教授于明院士，带来了题为《射频滤波器设计与制造的 “关键基因”》的开场主题报告。
于明院士强调，要实现滤波器产业的突破，需要明确设计与制造的关键“基因”，核心在于构建数学、基础物理机制到材料工艺以及产业化应用的完整闭环。数学方法指导的智能工具是提升效率的重要手段，他举例到，“盲目优化”难以勾勒出优美的响应曲线。于明院士的报告由浅入深，见解深刻，展现了其将个人学术追求融入科技强国建设的知行合一。
大会精心设置 27 场主题报告、论文大赛及交流晚宴三大核心环节。众多演讲嘉宾与产业专家倾囊分享前沿技术成果、宝贵实践经验与独到行业见解，深度聚焦射频前端及射频滤波器技术发展新趋势，为现场从业人员答疑解惑、指点迷津，让每位与会者都满载而归、收获颇丰。
手机端客户的老师分享中指出，当前射频前端产业里，声波滤波器作为移动终端主流技术，正通过材料创新、结构设计与工艺升级持续提升性能 —— 具体包括降低插损、提升功率、增强抑制与隔离能力，同时积极应对模组化、小型化的集成挑战。他提到，L-PAMiD 模组已成为明确趋势，行业竞争正回归统一基础；而高性能滤波器的技术门槛不仅未降反升，未来突破还需依托全产业链协同深化，以及各环节在技术、设备、工艺上的极致优化。
另一位老师也提到声波滤波器领域仍有诸多探索方向，例如改善非线性特性（如谐波、交调、杂散问题）、开发可调谐 / 可重构滤波器，这些都将为产业开拓新的技术空间。他强调，随着高端手机市场持续扩容，高性能滤波器已成为射频赛道中商业潜力最大、增长最明确的核心器件，正推动整个产业迈向更高阶的竞争阶段。
近年来，移动通讯快速发展，5G时代已经到来，6G技术也在逐步储备。通讯频段不断向高频拓展，给通常工作于3GHz以下的常规声学滤波器技术带来了严峻的挑战。为了克服这一困境，高校的研究者们在本届大会上分享了很多新的技术。清华大学的潘峰教授团队基于SiC/LN双层压电异质复合薄膜，利用其中具有不同声速的声波模态，构筑了3-12GHz声表面波滤波器。潘峰教授分享了三种SiC/LN双层压电异质复合薄膜，分别激发水平剪切波、漏纵波、高阶SV波，分别用于4GHz左右的N77/79频段、6GHz左右的WIFI6/6E频段、以及11GHz左右的X波段，极大拓宽了声表面波滤波器的应用频段。中国科学技术大学的左成杰教授则聚焦于兰姆波技术和新型声表面波技术X-SAW。基于兰姆波器件，左成杰教授团队利用鳍式锚装在25GHz实现了16%的机电耦合系数，利用半电极反射栅实现了4倍的Q值提升。左成杰教授也分享了其团队在耦合声表面波技术方面的最新进展，利用不同模态耦合，其团队在5GHz实现了大于40%的机电耦合系数和接近300的器件优值，在10GHz也达成了10%以上的机电耦合系数，性能提升显著。电子科技大学的吴传贵教授则分享了基于全介质布拉格反射层的高频薄膜兰姆波滤波器。利用精准设计的二氧化硅/五氧化二钽布拉格反射层，切向优化设计的LN薄膜，吴传贵教授团队分别基于S0模态和A1模态设计制备出晶圆材料和滤波器。滤波器的工作频率可达3.4GHz和7GHz。
本届滤波器大会开展了面向未来通信的高频宽带体声波滤波器技术研讨，汇聚了产学研各方的最新研究成果。与会专家从材料创新、结构设计到系统集成等多个维度，展现了滤波器技术发展的两大趋势：一方面深耕声学材料与谐振结构的原始创新，另一方面积极探索跨领域协同设计与智能化方法。 浙江大学的董树荣教授系统介绍了面向新体制通信的高频宽带大功率可调BAW滤波器研究，从前沿材料工艺、器件架构突破到面向相控阵系统的超低群时延技术，展现了从基础研究到工程应用的全链条创新路径。
武汉大学的孙成亮教授分享了高频大带宽BAW滤波器的系列突破，团队在掺钪氮化铝压电薄膜方面的创新为提升带宽奠定了材料基础，同时通过对XBAR等新型谐振器结构的探索，充分利用薄膜横向振动模式，借助于先进的光刻技术定义更精细的电极间距，有效突破了传统BAW在高频段的性能限制。
香港科技大学的杨岩松老师带来了射频滤波器高频化、微型化与智能化的前沿成果，包括薄膜铌酸锂材料的突破、声学与电磁混合架构的小型化实现，以及人工智能技术在滤波器设计与制造中的创新应用。
华南理工大学的朱宇涵老师提出了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器，该设计通过有效抑制非线性损耗和横波能量泄露，显著提升了谐振器的品质因数，并通过仿真与实验验证了其优越性能。
杭州电子科技大学的轩伟鹏老师展示了异构集成技术的创新应用，通过声波谐振器、微带线与IPD结构的协同设计，实现了带宽的灵活调控和带外抑制能力的显著提升，为高频大带宽滤波器提供了新的解决方案。
这些研究成果充分体现了目前在高频宽带滤波器领域正通过基础研究的持续深化与技术路径的多元创新，推动着滤波器技术向着更高性能、更智能化方向迈进。
汉天下杨清华老师围绕 “射频行业困境与国产滤波器破局之道” 展开分析，既深入剖析了当前射频行业的盈利难题，也聚焦国产滤波器的发展现状与突破路径。他指出，国产滤波器当前正面临三大核心困境：一是 “利润鸿沟” 带来的生存现实难题，市场份额与利润难以匹配，盈利空间持续受限；二是 “时间鸿沟” 造成的起跑线差距，受历史发展节奏影响，国产滤波器存在明显后发劣势，与国际领先水平在起步阶段就存在差距；三是 “技术鸿沟” 引发的结构性挑战，行业整体呈现 “低端市场内卷严重、高端领域话语权缺失” 的格局，技术升级压力显著。针对这些困境，杨清华老师提出需通过四大战略路径协同推进以实现破局：其一为技术攻坚，聚焦核心技术突破，夯实企业内生增长的核心根基；其二是生态协同，联动产业链上下游资源，构建产业共赢共同体以凝聚发展合力；其三是价值重构，摆脱低层次价格竞争，转向以技术、品质为核心的价值竞争；其四是并购整合，借助产业并购与资源整合，撬动行业整体升级并缩短追赶周期。此外，他还特别强调，IDM 模式（垂直整合制造模式）的应用至关重要，该模式能极大缩短产品从研发到量产的周期，为国产滤波器突破困境提供重要支撑。
左蓝微张树民博士：滤波器技术发展与产业价值。张树民博士指出，从 5G-A 到 6G 的技术跨越，正催生出对滤波器的全新需求。构建覆盖空、天、地、海的一体化网络，已成为 6G 移动通信系统的重要特征。他强调，实现射频滤波器的自主创新与规模化量产，意义重大。这不仅是企业自身发展的核心需求，更是保障我国通信产业链安全、打破国外技术垄断的关键环节。针对当前技术突破，张树民博士介绍了三大核心成果：1：1411 尺寸 TC-SAW 双工器：有效助力终端设备向轻量化方向发展。2：零温漂 TC-SAW 技术：成功突破技术瓶颈，可应对各类极端环境挑战。3：碳化硅衬底滤波器：从底层重构滤波器性能边界，为后续技术升级奠定基础。
同时本届滤波器大会引入了多个数学方面的议题，声学滤波器中以往研究主要聚焦在声学场、材料以及工艺等方面进行性能提升，当这几方面接近物理瓶颈时通过数学和电路方面的创新可以进一步带来尺寸的降低和性能的提升。来自电子科技大学的董元旦教授分享了通用滤波函数综合算法，除基于切比雪夫函数外还可以通过自由构建零点/极点函数进行综合，最大程度提升抑制灵活度降低对材料的依赖。同时董老师还展示了与AI结合实现滤波器自动化设计的仿真方法，通过一个八工器案例证明了仿真算法的准确性。来自南方科技大学的曾奕副教授简单介绍了滤波器函数综合设计法的大致流程以及如何通过数学的创新实现非常规拓扑结构的滤波器。曾奕老师最后分享了在声学滤波器设计中通过综合算法改善带外抑制以及简化外部匹配元件方面的进展。天通瑞宏的梁丹先生则是简单梳理了电磁场滤波器和声学场滤波器各自百年的发展历史，从早期统一的设计方法论到后期分裂成两个发展路径再到近十年来的再次统一。最后梁丹先生还分享了基于广义切比雪夫函数综合+高阶MBVD模型的仿真实测案例，其在带内体波及高端谐波上都具有非常好的吻合度。
聚焦新世代SAW滤波器—TFSAW技术，针对这一细分领域当前面临的诸多技术瓶颈，产业界和学术界分享了他们最新的研究成果、提出了新的解决方案。来自无锡好达电子股份有限公司高级研发主任工程师傅肃磊博士分享了基于石英衬底POI材料的高性能声表面波滤波器的研究进展，创新地提出了石英晶体衬底与LT/LN单晶薄膜键合的POI材料，利用石英晶体高度各向异性的特点，通过修改石英晶体的切型(取向)进行精细调控，以实现TFSAW器件的模式纯度控制、零温漂特性以及横向模寄生抑制，为TFSAW滤波器产品开发提供新的技术路线。
来自中国科学院上海微系统与信息技术研究所的张师斌研究员分享了碳化硅基POI-SAW器件研究进展，聚焦5G/6G移动通信技术发展对滤波器技术提出更高要求，SAW滤波器技术在高频大带宽应用场景面临巨大挑战，张师斌老师团队长期致力于碳化硅基POI-SAW材料及器件研究，展示了采用SiC晶体与LT/LN薄膜键合的POI材料来进行高频(3Ghz以上)大带宽SAW谐振器/滤波器的设计开发，利用SiC材料高的本征波速和新的声波模态实现了高的谐振频率和更大的机电耦合系数，为高频大带宽TFSAW滤波器的应用提供了新的解决方案。最后张师斌老师还分享了这领域一些前沿的探索。
射频滤波器的发展始终离不开上游材料的支撑，无论是晶圆材料还是封装材料，都是构成射频滤波器器件的核心基础。本次大会汇聚了来自产业链上下游的专家学者，共同探讨材料技术的创新与突破。来自青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司董事长兼总经理母凤文博士分享了“半导体先进键合集成技术及其应用”，系统阐述了先进永久键合与先进临时键合技术的特点、适用场景及发展趋势，并分析了当前晶圆键合技术面临的关键挑战。他还特别介绍了可用于TFSAW滤波器的POI晶圆键合工艺及相关材料技术，为高性能滤波器的制造提供了重要材料路径。
来自厦门云天半导体科技有限公司阮文彪博士则围绕“玻璃基板在射频器件与先进封装中的应用前景”进行分享。他指出玻璃基板凭借其低介电损耗、高电阻率与优异的热稳定性等优势，在5G/6G射频前端、高算力芯片及2.5D/3D先进封装领域展现出强大的技术竞争力；同时，阮文彪博士也介绍了玻璃基板在集成无源器件（IPD）中的最新应用进展。他认为玻璃基先进封装技术正逐步成为推动电子信息产业创新的关键平台技术之一。
优秀的滤波器离不开谐振器这个基本单元，本次大会多位老师都分享了关于谐振器深入研究的内容，这种基础研究将为工业界创新提供持续的动力是国产器件能走上行业顶端的必要条件。上海交大韩韬教授分享了基于POI衬底谐振器的微声学多场耦合模型研究，其对于POI衬底带来的谐波问题，XBAR温漂问题，界面寄生电导问题都能很好的模拟，韩教授还分享了采用皮秒超声对POI晶圆或其他半导体细微结构无损评估方面的潜力。上海师范大学的张巧珍副教授则分享了她在各种SAW谐振器非线性上的研究，通过分析非线性产生机理，提出基于有限元+高阶非线性参数结合的方式对SAW谐振器进行非线性进行仿真，结果显示仿真和实测有很好的吻合度，这一工作对手机载波聚合以及声学滤波器应用于基站价值巨大。安徽大学陈世涛教授分享了他对于声学谐振器的力、热、电多物理场有限元仿真的研究成果，其基于5面体的网格相比传统4面体网格能大幅缩短仿真时长，同时陈教授还挑战了近年来新兴的磁电式机械天线的仿真算法的研究，其场模型需要同时考虑到压电效应、铁电效应和电磁效应，难度极大，一旦成功将极大加速磁电机械天线这一新兴领域的精确设计和应用推广。
除声学滤波器外，本届大会还有大量电磁场滤波器以及滤波器上下游的高质量内容分享，电子科技大学杨涛教授分享了超小尺寸芯片可调滤波器的最新研究成果，电磁场滤波器小型化后面临Q值急剧恶化从而导致滤波器矩形系数变差，针对这一难题杨教授通过放大器的负阻效益提升滤波器Q值从而大幅改善滤波器矩形系数，最后的设计案例杨教授在1平方毫米的空间实现了频率和带宽均可调谐的可调滤波器，调谐过程中矩形系数一直保持得很好这在可调滤波器中非常难得。来自北邮的吴永乐教授分享了他们整个的滤波器家族研究成果，从应用于基站的介质波导滤波器到基于CMOS的芯片滤波器，从电磁场的LTCC滤波器到IPD和FBAR的声/电Hybrid滤波器，从滤波天线到AI优化算法，体现了强大的技术功底和工程能力。来自合肥工业大学的黄文教授分享了一种非常有意思的基于半导体工艺的电感，不同于一般的片上绕线或者蛇形线电感，黄教授基于三维卷曲形成的电感有更高的Q值，同时其小型化尺寸也很有利于和滤波器集成，比如SAW滤波器阻抗匹配用电感，谐振器带宽调节用电感等场景。迦美信芯通讯技术的谢婷婷女士分享了射频前端接收模组的演进趋势，需要滤波器die的尺寸大幅减少同时还需要有更优的CA设计，此外滤波器还需要考虑更经济实惠的封装工艺以及与有源电路的匹配设计。中国科技大学的孙海定教授则是分享了GaN HEMT器件的工艺和设计，放大器和滤波器作为射频前端中最重要的两类器件，两者均可通过三五族的GaN AlN工艺进行生产，其连接方式可以由分离封装走向集成式，孙老师展示了基于GaN和AlN异质集成工艺的PA/LNA具备更优的输出功率、效率和噪声系数，同时兼顾较低的工作电压。
嘉宾合影：记录美好瞬间
大会现场：超350人参会，现场聚精会神，气氛活跃
展区互动+晚宴交流+论文评奖：链接产业资源，共话未来蓝图
大会茶歇期间，与会嘉宾在各展区之间驻足交流。各展位现场设有参展厂商最新科技成果展示，全方位向与会嘉宾呈现射频前端创新成果与上下游解决方案，多维度助推行业新质发展，助力射频前端行业打一路向前。
晚间，大会主席、天通瑞宏董事长沈瞿欢先生发表祝酒辞，向各位嘉宾的到来表示诚挚感谢。随后，与会嘉宾齐聚晚宴、深入交流。席间，本届大会主办方天通瑞宏科技与下一届主办方武汉敏生举行会旗交接仪式，孙成亮博士从欧欣博士手中接过会旗，并诚挚邀请各界嘉宾共赴武汉出席下一届大会。在精彩纷呈的现场表演中，大家举杯畅叙，共话射频前端产业的美好未来。
论文评奖
本次大会首次开通学生投稿论文比赛，采⽤线上征集论⽂、评委集中打分的评选机制 ，最终确定三篇优秀论⽂获奖 ，现场将 为获奖者颁发荣誉奖项 ，以资⿎励。
大会意义：赋能国产替代，助推行业升级
本次大会的成功举办，不仅为射频前端领域搭建了高效的交流合作平台，更向行业传递了坚定推进高端射频滤波器国产化、自主化的发展信号。大会将进一步促进行业间的资源整合与技术协同，加快细分领域技术突破进程，助力行业整体水平提升，推动国产力量向世界顶尖滤波器水平赶超。未来，国产滤波器产业必将攻坚克难，在技术创新与市场竞争中茁壮成长、傲然绽放。
主办方简介：深耕核心领域，彰显国产实力
天通瑞宏科技有限公司成立于 2017 年 4 月，注册资本 2.862 亿元，是国家级高新技术企业、国家级 “专精特新” 小巨人企业。公司专注于射频声表面波滤波器及射频前端模组的研发、制造与销售，产品广泛应用于手机通信、卫星导航、无线互联等关键领域。
依托 “材料 — 设计 — 制造” 全产业链协同优势，天通瑞宏已建成国内产品线最全、性能领先的多元化产品体系。产品覆盖 Normal SAW、TCSAW、TFSAW 三条技术路线，工作频率覆盖 200MHz 到 5500MHz；在高端器件领域，全系列双工器、多工器、模组已海量出货至智能终端和基站，成功推动高端滤波器的国产化替代进程，展现出坚实的技术实力与突出的产业贡献。
