中芯国际“图像传感器及其形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司“图像传感器及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766552A。

本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括红色像素区域、绿色像素区域、蓝色像素区域；在所述半导体衬底表面形成滤色层，所述滤色层包括位于所述半导体衬底表面的透光层和位于所述透光层表面的若干呈矩阵分布的滤光柱，其中，位于红色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在红光的波长范围内，位于绿色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在绿光的波长范围内，位于蓝色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在蓝光的波长范围内。本申请提供一种图像传感器及其形成方法，滤色层的寿命更高，且滤色层可以根据不同像素区域针对设置，滤色层的滤光性能更好。