【创新】中芯国际“图像传感器及其形成方法”专利公布；北方华创静电卡盘及设备获授权；京东方申请显示面板及防窥结构专利

1.中芯国际“图像传感器及其形成方法”专利公布

2.北方华创“静电卡盘及半导体工艺设备”专利获授权

3.京东方申请显示面板及防窥结构制作方法相关专利

4.华为“基板、封装结构及电子设备”专利公布

1.中芯国际“图像传感器及其形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司“图像传感器及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766552A。

本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括红色像素区域、绿色像素区域、蓝色像素区域；在所述半导体衬底表面形成滤色层，所述滤色层包括位于所述半导体衬底表面的透光层和位于所述透光层表面的若干呈矩阵分布的滤光柱，其中，位于红色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在红光的波长范围内，位于绿色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在绿光的波长范围内，位于蓝色像素区域上方的相邻滤光柱中心的距离在蓝光的波长范围内。本申请提供一种图像传感器及其形成方法，滤色层的寿命更高，且滤色层可以根据不同像素区域针对设置，滤色层的滤光性能更好。

2.北方华创“静电卡盘及半导体工艺设备”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“静电卡盘及半导体工艺设备”的专利，授权公告号为CN112331607B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2020年10月28日。

本申请实施例提供了一种静电卡盘及半导体工艺设备。该静电卡盘用于设置在半导体工艺设备的工艺腔室内，静电卡盘包括用于承载并吸附待加工工件的绝缘层和设置于绝缘层内的电极组件，电极组件用于与一直流电源和射频电源电连接，通过控制直流电源将待加工工件吸附于绝缘层上，并通过射频电源向电极组件馈入射频，以使得到达绝缘层的射频能量相同。本申请实施例实现了射频装置直接将射频馈入到电极组件，避免了静电卡盘的多层结构之间电容差异对射频能量的影响，使得到达静电卡盘上表面的射频能量相同，从而大幅提高了待加工工件工艺结果的一致性。

3.京东方申请显示面板及防窥结构制作方法相关专利

集微网消息，天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司“防窥结构、显示面板及防窥结构的制作方法”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117769316A。

本申请公开了一种防窥结构、显示面板及防窥结构的制作方法，属于显示技术领域。所述防窥结构包括开口区，所述防窥结构包括：多个间隔分布的防窥单元，与所述开口区至少部分交叠；其中，所述防窥单元包括位于所述开口区的透光层，以及位于所述透光层周侧的防窥组件，所述防窥组件用于在透光态与非透光态之间切换。本申请能够在保证防窥性能的同时，提高像素开口率，且提高显示面板的透光率，进而提高显示面板的寿命。

4.华为“基板、封装结构及电子设备”专利公布

集微网消息，天眼查显示，华为技术有限公司“基板、封装结构及电子设备”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766504A。

本申请实施例提供一种基板、封装结构及电子设备，其中，基板包括：基体和设在基体表面的阻隔层，基体和阻隔层之间设有第一金属层以及呈阵列排布的多个第二金属层，第一金属层靠近阵列外侧的至少部分第二金属层设置，阻隔层与第一金属层相对的位置开设有第一镂空区，第一金属层的至少部分在第一镂空区裸露，阻隔层与每个第二金属层相对的位置均开设有第二镂空区，第二金属层的至少部分在第二镂空区裸露，且各个第二镂空区相互隔开，第一镂空区与相邻的第二镂空区均相互隔开。本申请实施例提供的基板、封装结构及电子设备，可至少解决相关技术中焊点疲劳开裂的问题。