中芯国际“半导体结构及其形成方法”专利获授权

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天眼查显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司近日取得一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,授权公告号为CN111370488B,授权公告日为2024年4月16日,申请日为2018年12月26日。

一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底包括用于形成器件的器件区以及位于器件区两侧的隔离区;图形化所述基底,形成衬底、以及凸出于所述衬底的鳍部;在所述器件区两侧形成凸出于所述隔离区衬底的第一伪鳍部;在所述鳍部和第一伪鳍部露出的衬底上形成隔离层,所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁。本发明实施例中所述第一伪鳍部的设置提高了各鳍部周边区域的图形密度均一性,从而有利于提高器件区隔离层的厚度均一性,而且降低了所述鳍部发生弯曲或倾斜的概率,提升了半导体结构的电学性能。


责编: 赵碧莹
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