美新半导体“一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，美新半导体（无锡）有限公司近日取得一项名为“一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法”的专利，授权公告号为CN108574042B ，授权公告日为2024年3月12日，申请日为2018年6月12日。

专利摘要显示，本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。