难以获得风险融资,美国GaN企业NexGen破产倒闭

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媒体报道称,美国总投资超过人民币10亿元的GaN企业NexGen Power Systems已于近日破产倒闭,旗下总投资超过1亿美元的晶圆厂也已关闭。据披露,倒闭的原因是难以获得风险融资,公司运营已经举步维艰。

资料显示,NexGen成立于2017年,总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉,是一家专注开发垂直GaN on GaN器件的企业,在美国纽约州拥有66000 平方英尺GaN FAB1工厂,拥有20000平方英尺洁净室,用于 GaN 外延生长、材料表征、器件设计和加工等。

NexGen认为,将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场可以帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。

2023年2月,NexGen宣布了关于其700V和1200V半导体工程样品可用性的更新,并计划延期到2023年第三季度开始全面生产。NexGen表示,他们的第一代1200V、1欧姆垂直GaN e模式Fin-jFET已成功演示了在1.4kV额定电压下超过1MHz的开关性能。

2023年6月,NexGen又宣布与GM通用汽车的合作项目获得美国能源部(DoE)的资助,所获资金计划用于垂直氮化镓半导体的电动驱动系统,而与通用合作,有望推进垂直GaN器件的上车进程。

事实上,近段时间以来,GaN行业在资本市场的推进并不如意,有多家企业表示出现融资难的情况;同时,SiC技术的推进,也让一级市场对GaN领域的投资产生了更多顾虑。

(校对/邓秋贤)

责编: 邓文标
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