TI多家工厂晶圆厂转向8英寸GaN工艺 以降低生产成本

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德州仪器(TI)正在将其硅基氮化镓(GaN-on-Si)生产工艺从6英寸(150mm)向8英寸(200mm)过渡。该战略旨在提高产能,并获得相对于竞争对手的成本优势。

TI韩国总监Ju-Yong Shin于3月5日在TI线下媒体活动上表示:“有一种看法认为GaN半导体比碳化硅(SiC)半导体更昂贵,但我们看到了价格反转现象。我们正在美国达拉斯(Dallas)、日本会津和其他地方兴建8英寸晶圆厂,当这些准备就绪时,我们将能够提供大大低于当前价格的解决方案。”

TI最近正在将其6英寸生产工艺转为8英寸,将8英寸生产工艺转为12英寸,以提高生产效率。8英寸晶圆的面积是6英寸晶圆的1.78倍,因此可以生产更多的半导体。12英寸晶圆的面积是8英寸晶圆的2.25倍。

Shin说:“TI传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体,我们的达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺。以日本会津工厂为例,我们正在将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN半导体生产线,但我们无法透露转换所需的时间。”

业界分析称,TI的工艺转型可能会导致GaN半导体价格下降。TI将其电源管理集成电路(PMIC)生产从8英寸工艺转向12英寸工艺,也促进了整个行业的价格下降。

一位业内人士说,“从6英寸生产工艺转向8英寸工艺,有望将生产成本降低10%以上。”

(校对/孙乐)

责编: 赵月
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