1. 总投资规划50亿元，浙江旺荣半导体进入破产重整
2. Skyworks完成收购Qorvo后拟关厂裁员，启动制造整合
3. 华邦电2026 年业绩亮眼，员工奖金平均可望达到约30 个月
4. 特斯拉AI芯片蓝图曝光! Dojo D3导入HBM、SI6性能拼提升80倍、采2纳米工艺
5. 传台积电考虑进军先进存储器芯片市场
6. 安森美取消20亿美元碳化硅扩厂计划
1. 总投资规划50亿元，浙江旺荣半导体进入破产重整
11月3日，浙江省丽水市中级人民法院发布公告，已于10月29日裁定受理浙江旺荣半导体有限公司（下称“浙江旺荣”）破产重整一案，案号（2026）浙11破9号，申请人为浙江金圣建设集团有限公司。这意味着该公司司法程序由预重整正式转入破产重整，丽水首条8英寸晶圆产线等待盘活。
浙江旺荣成立于2021年9月，注册资本约8.67亿元，采用IDM模式，主攻中高压IGBT、FRD、MOSFET及模块，核心项目规划年产24万片8英寸功率器件，总投资规划50亿元，其中一期投资约24亿元、于2023年12月投产，曾是丽水半导体产业的标志性工程。
法院已指定浙江天册、浙江晟耀、浙江嘉瑞成三家律师事务所担任联合管理人。债权人须在11月30日申报债权，第一次债权人会议定于12月4日以非现场方式召开。
据悉，本次重整资产包包括约6.8万平方米工业用地、8英寸产线设备及涉及9家主体的长期股权投资。今年3月预重整阶段，临时管理人曾延长投资人招募期限引资，转入正式重整后，"引入战投—化解债务—盘活产线"仍是核心路径。旺荣能否重生，关键在于产线能否带客户、带认证整体盘活。
2. Skyworks完成收购Qorvo后拟关厂裁员，启动制造整合
随着Skyworks完成对Qorvo的收购，这家美国射频芯片巨头开始整合两家公司的制造体系。工厂关闭、裁员以及生产资源重新分配，成为合并后必须面对的问题。
当地时间11月3日，在与投资分析师的季度业绩电话会议上，Skyworks管理层明确表示，计划通过整合制造工厂和削减员工来改善合并后的利润率，但未给出具体关闭名单。CEO菲尔·布雷斯（Phil Brace）提及了与员工人数相关的调整措施（"headcount-related actions"），CFO菲利普·卡特（Philip Carter）则称工厂整合将在“一段时间内逐步推进”。
这笔交易于2026年10月5日完成，两家公司合并形成估值约190亿美元的企业，Skyworks预计每年可实现约5亿美元成本节约。制造设施整合是其中的重要组成部分。
最受关注的是原属Qorvo、位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒（Hillsboro）的芯片工厂。该工厂历史可追溯到上世纪90年代末的特里奎恩特半导体（TriQuint Semiconductor），后随TriQuint与北卡竞争对手合并成为Qorvo基地，历史上雇佣约800人，具备砷化镓（GaAs）芯片制造能力，产品用于工业、消费电子及苹果iPhone等。
问题在于产能重叠。Skyworks从Qorvo获得了六处制造基地，其自身在加利福尼亚州和马萨诸塞州的工厂同样具备砷化镓能力。事实上，Skyworks此前已宣布计划关闭马萨诸塞州伍本（Woburn）工厂，预计2027年完成；而Qorvo约两年前已将北卡罗来纳州格林斯伯勒（Greensboro）的砷化镓产能转移至希尔斯伯勒并关闭该厂。三重砷化镓产能的重叠，使希尔斯伯勒前景变得微妙。
目前，Skyworks尚未明确希尔斯伯勒是否会被纳入关闭名单。俄勒冈州经济发展机构Business Oregon发言人内森·比勒（Nathan Buehler）表示，尚未收到有关该工厂关闭的任何迹象。
不过，化合物半导体工艺涉及专用设备、工艺参数和客户认证，产能难以简单转移，关闭一座工厂不代表产能可立即由他厂接手。希尔斯伯勒最终能否保留，取决于其制造能力在合并后体系中是否具有不可替代性。对于约800名员工而言，接下来的制造整合可能决定其命运。
背景：根据Skyworks官方公告，合并后公司仍以Skyworks名义在纳斯达克交易。Qorvo股东每股获32.50美元现金及0.960股Skyworks普通股；按完全摊薄口径，原Skyworks股东持股约63%，原Qorvo股东约37%。合并后公司拥有约8000名工程师及超12000项专利，预计24至36个月内实现每年5亿美元或以上成本协同。
3. 华邦电2026 年业绩亮眼，员工奖金平均可望达到约30 个月
受益于存储芯片市场需求火热与公司运营亮眼，存储芯片大厂华邦电2026年盈利大丰收。董事长焦佑钧出席公司家庭日活动时证实，依照既有员工分红制度估算，2026年员工平均奖金可望达到约30 个月(不含14个月年度薪资)。焦佑钧强调，高额分红并非公司因一时景气大好而临时加码，而是实施多年的公开透明既定制度。
焦佑钧说明，华邦电在股东盈余分配与员工薪酬分红两方面，皆已确立极高透明度的制度化机制。其中在股东股息发放部分，公司章程明确规定，股息分配比率至少为盈利的三成，且绝大部分采现金股息方式发放。华邦电预计于2026年12 月，将上半年的盈利依照章程规定配发每股2 元现金股息。
另外，员工分红机制方面，公司内部的员工分红制度已实施约20 年。制度规定每一季会提拨营业利益的固定百分比作为员工奖金。每季财报公布后，人事单位即会公告上一季的营业利益与奖金总额。因此同仁在每一季报表出来后便能自行计算应得奖金，无需等待至年底。虽然实际发放金额会根据个人绩效考核有所调节，但整体分红总额相当公开透明。
针对近期网络论坛与社群媒体热议华邦电高额奖金的传闻，焦佑钧除了证实2026年因盈利良好，员工平均确实可领取约30 个月奖金外，也对薪酬信息外流表达了关切。
焦佑钧表示，员工实际奖金属于内部薪酬信息，不宜随意对外张扬，避免对其他企业的劳资关系造成困扰或引发不必要的争议。他也指出，信息外流有时未必是员工本人所为，可能是家属得知奖金金额后高兴地在社群媒体。焦佑钧特别呼吁，希望同仁与家属能尊重公司薪酬保密规范，让大家在喜悦经营成果的同时，也能维护良好管理纪律。（来源：科技新报）
4. 特斯拉AI芯片蓝图曝光! Dojo D3导入HBM、SI6性能拼提升80倍、采2纳米工艺
特斯拉( TSLA-US ) 公布最新人工智能（AI）加速器发展蓝图，揭露未来数年芯片研发方向。其中，第六代推论加速器SI6预计将于2029年至2030年推出，计算性能较现行第四代芯片提升80倍，存储芯片容量也将大幅增加；另一方面，重新启动的第三代Dojo训练加速器D3，则将改采多晶粒（Chiplet）设计，结合2.5D、3D封装技术及堆叠式高带宽存储芯片（HBM），不再沿用前两代以SRAM为核心的架构。
根据《Tom's Hardware》报道，特斯拉也开始以“超级智能”（Super Intelligence，SI）取代人工智能（AI）称呼新一代加速器，并将芯片重新命名为SI系列。
首席执行官马斯克近期也证实，SpaceX( SPCX-US ) 旗下SpaceXAI将更名为SpaceXSI。
Dojo D3重新登场转向多晶粒与HBM架构
特斯拉Dojo训练芯片计划再度出现在发展蓝图中。马斯克2025年8月曾取消整个晶圆级Dojo专案，2026年8月又表示，SpaceX与xAI将本地面及太空数据中心全面采用英伟达( NVDA-US ) 硬件。
最新蓝图显示，特斯拉仍规划推出第三代Dojo D3，但设计将与前两代大不相同。
特斯拉指出，D3将采用多晶粒架构，整合2.5D与3D封装技术，并搭配堆叠式HBM。这与第一代Dojo D1的晶圆级系统整合（System-on-Wafer）设计形成明显差异。 D1通过晶圆级封装技术，将25颗D1处理器互连，整合同11GB SRAM，仰赖分散式芯片内存储芯片运作。
报道指出，改用HBM，反映特斯拉可能希望大幅扩充存储芯片容量。随着AI模型规模持续扩大，模型参数、启动值及中间计算资料都需要大量存储芯片储存，SRAM在容量方面的限制也愈发明显。
HBM则有助于扩充存储芯片，但在延迟、频宽、封装及功耗方面，也会带来不同的设计取舍。
目前尚不清楚特斯拉是否完全放弃晶圆级整合。理论上，客制化HBM仍可堆叠在通过晶圆级封装互连的逻辑晶粒上，但这种设计将增加散热、制造、良率及长期可靠性等挑战，也会推高成本。
由于晶圆级整合本身成本高昂，若再结合HBM堆叠，设计与制造复杂度将进一步增加，因此D3采用较传统多晶粒架构的可能性相对较高。
特斯拉尚未公布D3的计算性能、存储芯片容量、制造工艺或开发时程。不过，该公司表示，Dojo D3将针对“太空、训练及规模扩展”进行最佳化，代表该芯片将具备一定的计算性能，且易于扩充，也进一步显示其设计可能采用较传统的加速器架构，而非晶圆级封装技术。
更值得注意的是，D3也将针对外太空部署环境进行最佳化，这可能代表至少部分产品型号将采用抗辐射强化设计。
SI6计算性能拼80倍预计2029至2030年问世
另一项重要进展，是特斯拉首次揭露第六代推论加速器SI6的预估性能。根据最新蓝图，SI6的计算能力将达现行第四代芯片HW4的80倍，存储芯片容量则为HW4的9倍。
依据HW4计算性能的不同估算方式，SI6的计算性能可能介于17,280至46,080 TOPS（每秒万亿次计算），相当于17.28至46.08 POPS（每秒千万亿次计算）。不过，目前尚不清楚SI6支持哪些资料格式，因此上述数字只是推估值。
作为比较，英伟达Rubin GPU的推论性能达50 NVFP4 PFLOPS，训练性能为35 NVFP4 PFLOPS，FP8／FP6性能则为17.5 PFLOPS。不过，Rubin已开始出货，SI6则预计要到2029年至2030年才会推出，两者上市时程存在明显差距。
目前特斯拉车款搭载的第四代推论处理器，最初称为HW4，之后更名为AI4，现又改称SI4。
该芯片由三星晶圆代工采用7纳米级工艺生产，使用传统覆晶球栅阵列（FCBGA）封装，并推测搭载16GB GDDR6存储芯片。特斯拉将其视为现行全自动辅助驾驶（FSD）技术的性能基准。
然而，特斯拉并未正式公布该芯片的实际计算性能、存储芯片容量及功耗，因此外界难以进行精确比较。
由于特斯拉未公开HW4的计算性能、存储芯片容量及功耗，外界只能通过既有信息推估。马斯克曾表示，HW4性能约为前一代HW3的3至8倍，而HW3官方规格为72 TOPS，据此推算，HW4性能约为216至576 TOPS。
SI5先行导入多晶粒设计 SI6采2纳米工艺
在SI6推出之前，特斯拉预计先推出第五代推论加速器SI5，也就是先前称为HW5或AI5的芯片。该芯片将分别由台积电( 2330-TW ) 及三星( 005930KS ) 采用3纳米级与2纳米级工艺生产，并导入多芯片模组（MCM）设计，改变HW4采用的传统封装方式。
特斯拉预期SI5性能将达HW4的40倍。马斯克曾表示，这项提升来自计算能力增加8倍，以及通过矽晶最佳化再提升5倍。若以HW4估算性能为基准，SI5计算能力约为8,640至23,040 TOPS。
SI5的功耗预计介于250至800瓦，实际数值将依应用场景而异，因此现阶段难以进一步准确估算其性能表现。存储芯片容量则预计达96GB，为前一代的6倍；若采用GDDR6或GDDR7存储芯片，频宽可能介于768GB/s至1.536TB/s。
至于第六代推论加速器SI6，特斯拉预计进一步将计算性能提升至HW4的80倍，存储芯片容量则达现行处理器的8倍。依据HW4性能的不同估算方式，SI6的计算性能可能达17.28至46.08 POPS（每秒千万亿次计算），存储芯片容量则为144GB。
特斯拉已与三星晶圆代工签署合作协议，委由三星生产第六代推论加速器，合作期限至2033年。最新简报也显示，SI6将采用2纳米级工艺。
考虑到SI6预计于2029年至2030年推出，以及三星最新公布的晶圆代工工艺蓝图，相关工艺可能包括车用级SF2A、性能强化版SF2P，甚至具备背面供电技术的SF2Z。
值得注意的是，特斯拉目前并未规划在2030年代通过Terafab采用英特尔( INTC-US ) 14A工艺生产SI6。封装方面，SI6将延续SI5的多芯片模组设计，借此沿用第五代芯片累积的技术经验，同时控制封装成本。
随着AI模型对计算及存储芯片需求持续攀升，多晶粒架构与HBM也逐渐成为车厂规划下一代系统级封装（SiP）的技术选项。不过，这类设计也将推高芯片成本。至于特斯拉何时会在推论加速器导入HBM，目前仍未有明确时间表，但SI6可能还不会导入这项技术。（来源：钜亨网）
5. 传台积电考虑进军先进存储器芯片市场
据The Information引述两名知情人士报道，台积电最近应最大客户NVIDIA要求，开始拟定生产特定类型的先进存储器芯片“3D DRAM”的计划。目前尚不清楚台积电计划何时开始生产，以及将如何取得所需制造设施。
报道指出，台积电可能选择建新厂。另一个正在评估的方案则是，收购现有厂房，并将其改建为存储器生产设施。
台积电表示，不市场传闻或揣测。公司始终专注于晶圆代工核心业务，使命是在未来多年，持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。
6. 安森美取消20亿美元碳化硅扩厂计划
美国半导体制造商安森美（onsemi）宣布，取消原定在捷克东部地区罗兹诺夫投资20亿美元的扩厂计划，原因是全球碳化硅晶圆市场发展变化。安森美强调，捷克现有生产活动不受影响，未来仍将持续在当地投资。
安森美原在2024年宣布扩建位于罗兹诺夫（Rožnov pod Radhoštěm）厂区，计划投资20亿美元，建立完整的碳化硅生产供应链，以制造先进半导体产品。安森美在罗兹诺夫设捷克主要生产基地与研发中心，并在第2大城布尔诺（Brno）设有分公司。
安森美6日发布新闻稿指出，决定取消此扩厂计划。此决定主要是考量全球碳化硅市场形势。捷克仍是公司长期生产与成长策略的重要据点。
根据捷克新闻通讯社（ČTK）引述，捷克贸工部长哈夫利切克（Karel Havlíček）表示，罗兹诺夫现有生产将维持不变，政府重视与安森美长期合作，也乐见公司持续在捷克发展研发业务。他指出，安森美仍计划在罗兹诺夫与布尔诺进行其他投资。
安森美表示，预期未来仍将在捷克投资并招募员工，尤其汽车产业与人工智能（AI）数据中心相关领域仍有成长机会。安森美强调，取消扩厂不会改变对捷克营运据点及员工的承诺，也不影响未来在当地进一步投资的意向。
然而，安森美在2025年4月裁减170名员工，其中149人来自罗兹诺夫主要厂区；今年5月又宣布裁减200至300名员工，主要为碳化硅晶圆制造部门人员。
