台积电持续冲刺先进制程产能，供应链传出，台积电首次揭露明年最新2／3nm扩产目标，2nm从今年底9万片，明年中增至11万片，增幅22%；3nm从今年底逾18万片，明年中达21万片，增幅逾16%。
随着两大先进制程火力全开，台积电资本支出看增，明年营收也将续写新高。台积电9月13日不评论市场传闻，强调有关产能相关说明，依公司公告为准。
供应链则透露，台积电近期首度释出明年2／3nm扩产规划，希望协力厂一起冲刺。
据悉，台积电3nm月产能去年底达12万至13万片后，今年底进一步扩增至18万片，虽然2nm量产后，3nm已不是台积电最先进的制程，但市场需求仍强劲，台积电因而持续扩大3nm产能，目标明年中3nm月产能逾21万片，半年内增加逾一成，换算2025年底至2027年中的一年半内，增加近七成产能。
2nm方面，供应链指出，台积电今年底月产能将达9万片，明年中进一步扩至11万片，半年内增加逾二成产能。
台积电先前表示，2026年资本支出将介于600亿美元~640亿美元，其中约70％~80％用于先进制程。该公司正在新增三座3nm晶圆厂，分别位于中国台湾、美国亚利桑那州及日本，同时，也在中国台湾持续转换5nm设备来支援3nm产能。
台积电并持续冲刺2nm以下更先进的制程技术发展，包括A16、A14、A13、A12等。该公司日前并与ASML共同宣布发起合作，将推动高数值孔径极紫外光（High NA EUV）自现行的6英寸掩模版，转移至更大的12英寸掩模版。
台积电耕耘次世代先进制程，有「全球半导体产业大脑」之誉的比利时微电子研究中心（imec）助阵。imec宣布，携手ASML及材料供应商，在High NA EUV光刻技术再取得进展，将产业沿用多年的化学放大阻剂（CAR），完成22nm间距导线的单次图形化，并验证多种接近实际芯片设计的复杂结构，显示成熟CAR光阻技术有望延伸至A14、A10等埃米世代，应用于部分关键金属层与通孔层。
