当前，全球半导体先进制程加速迭代，产业国产化、自主化进程持续提速，设备与材料领域的技术突破，已成为支撑国内芯片产业高质量发展的核心命脉。在此产业关键节点，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC）顺利启幕，汇聚千余家产业链企业、行业专家与技术精英，以展览展示、技术论坛、主题分享等多元形式，聚焦产业痛点、共探技术趋势、共筑协同生态，为国内半导体产业创新升级搭建了高水平交流平台。
量检测与计算光刻是集成电路制造的核心关键环节，贯穿芯片全制程良率管控体系，是保障先进制程精度、破解量产瓶颈、提升制造良率的基础性核心技术。长期以来，全球半导体高端量检测设备市场高度集中，核心技术长期被国际巨头垄断，国内国产化替代空间广阔、攻坚需求迫切。立足产业自主可控战略需求，东方晶源作为国内电子束量检测与良率解决方案领域的领军企业，重磅亮相本届CSEAC大会，通过主题演讲与前沿成果展台，全方位展示自主可控的电子束量检测设备矩阵、制造类EDA核心技术及全流程良率解决方案，充分彰显国产设备的硬核创新实力。
在大会核心主论坛环节，东方晶源高级副总裁雒晓军博士发表题为《从“看见”到“预见”——电子束量检测设备与计算光刻的协同演进与未来趋势》的专题演讲，深度剖析先进制程量检测技术痛点、行业演进逻辑及AI赋能下的技术新趋势。
雒晓军博士表示，随着逻辑制程迈入3nm及以下先进节点、DRAM制程尺寸持续微缩，以及3D NAND超高堆叠与HBM三维集成技术快速普及，芯片制造结构愈发精密复杂，日益逼近物理极限。传统光学检测受波长、分辨率及穿透性限制，难以识别纳米级微小缺陷、前层隐蔽缺陷及高深宽比底层结构缺陷，已无法满足先进制程对高精度、全覆盖检测的要求。
相较于传统光学检测，电子束量检测具备亚纳米级超高分辨率，可获取芯片图形真实基准数据，是先进制程良率管控的核心刚需技术。东方晶源已形成CD-SEM、EBI、DR-SEM、HV-SEM四大自主核心电子束设备完整矩阵（SEpA系列），构建起全场景、全覆盖的先进制程检测体系。CD-SEM实现纳米级线宽、孔径精准量测，实时监控工艺稳定性，与光刻机构建数据闭环；EBI可精准捕捉光学设备无法识别的微小物理缺陷与电性缺陷；DR-SEM完成缺陷高精度复检、形貌成像与根因分析；HV-SEM攻克高深宽比、多层堆叠、前层透视检测难题，全面适配先进逻辑、3D存储、高端封装等多元场景。
针对行业发展痛点，雒晓军博士指出，传统晶圆制造量检测模式存在事后排查、数据利用率低、设备孤立运行、单点管控局限等短板，行业正全面开启从“被动检测、事后补救”向“主动预判、智能管控”的革命性升级。依托人工智能与Contour图形轮廓技术，可突破传统单点尺寸管控模式，通过提取电子束高清图形轮廓、打通量测数据与芯片设计GDS文件，构建高精度工艺预测模型，实现从“数值管控”到“图形全域管控”的技术跨越。
展望产业技术趋势，雒晓军博士强调，AI将全面渗透半导体良率管理全链条，推动计算光刻与电子束量检测深度协同、数据闭环。通过动态迭代的智能工艺模型，可提前规避掩模图形缺陷、大幅提升量检测效率与精度，构建“设计-光刻-量测-优化”全链路智能管控体系，成为突破先进制程瓶颈、实现芯片提质增效的核心抓手。深耕国产良率解决方案赛道多年，东方晶源已建成全栈自主可控的电子束量检测设备体系与配套技术方案，持续为国内先进制程规模化量产、良率提升、风险管控提供坚实国产化技术支撑。
大会现场，东方晶源展台人气持续高涨，集中展示了四大核心电子束量检测设备及以PanGen计算光刻为核心的制造类EDA最新研发成果，全面呈现公司在量检测设备、EDA算法、智能良率管控领域的一体化创新能力，吸引众多行业专家、产业链客户、合作伙伴驻足交流，充分展现了企业在细分赛道的技术引领力。
当前，半导体产业国产化浪潮持续深化，先进制程正向高精度、高堆叠、高集成、智能化方向持续演进，全链路、数字化、预判式良率管控已成为行业发展必然趋势。未来，东方晶源将持续立足产业刚需，坚持技术自主创新，深化AI技术与半导体制造场景的深度融合，持续迭代升级电子束量检测设备与良率解决方案，助力国内晶圆厂降本增效、突破制程瓶颈，以硬核国产技术赋能半导体产业高质量、自主化跨越式发展。
