5月29日，三星半导体全球新闻室发布公告，三星电子正式宣布向全球主要客户交付业内首批12层48GBHBM4E样品，标志着下一代AI高带宽存储技术实现关键突破。继今年初率先完成HBM4量产并实现商业出货后，三星再度领跑HBM赛道，为AI算力基础设施升级提供核心支撑。
此次交付的HBM4E样品采用12层堆叠设计，单堆栈容量达48GB，较上一代产品提升超30%。其引脚传输速度稳定在14Gbps，可扩展至16Gbps，整体性能较HBM4提升超20%，单堆栈内存带宽可达3.6TB/s，同时实现16%的能效提升与超14%的热阻改善，可更好适配数据中心高负载运行需求，有效缓解大模型训练中的存储带宽瓶颈问题。
三星表示，在完成初步样品交付与客户验证优化后，将根据客户的进度安排推进HBM4E批量生产。目前，三星已规划扩展产品阵容，后续将推出8层32GB、16层64GB等不同规格型号，以覆盖从边缘AI到超大规模数据中心的多样化需求，为不同算力场景提供定制化存储方案。
HBM作为AI芯片的核心配套存储器件，其性能直接决定大语言模型训练与推理效率。当前全球AI算力需求正以指数级增长，对存储的容量、带宽与能效提出了更高要求。此次三星率先交付HBM4E样品，将进一步强化其在高端存储市场的竞争力，也为英伟达等AI芯片厂商的下一代产品迭代奠定基础。随着后续量产推进，HBM4E有望成为支撑AI算力持续升级的关键基础设施之一，为生成式AI的规模化落地提供底层保障。
（校对/李正操）
