近日，国产AI芯片企业寒序科技（ICY Tech）宣布，联合三星生态设计伙伴SEMIFIVE，基于三星8nm eMRAM工艺完成边缘AI芯片流片。这是亚洲首个8nm嵌入式MRAM商业化部署案例，由寒序科技主导底层核心技术研发，标志着国产AI芯片在先进存储与存算架构领域实现重大突破。
作为项目核心技术提供方，寒序科技凭借在MRAM定制开发与存算架构的深厚积累，成功进入三星稀缺的8nm eMRAM工艺窗口。不同于常规ASIC项目，寒序全程主导MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出及大模型推理算子加速等底层方案设计；SEMIFIVE则负责后端硅实现与MPW流片支持，形成“底层架构自研+国际生态落地”的独特合作模式，彻底摆脱标准IP调用的局限。
技术层面，寒序科技创新采用“MRAM+SRAM”混合存储架构，直击传统AI芯片“内存墙”痛点。该方案用eMRAM替代大规模片上SRAM，解决工艺缩微后SRAM面积效率低、功耗高的难题；结合近内存处理（PNM）架构与GEMV计算，加速Transformer推理关键算子，可支持20亿参数大模型端侧运行，性能对标国际顶尖推理芯片路线，且在存储密度与能效上实现超越。
这款芯片聚焦私有AI Agent、人形机器人等端侧场景，同时适配具身智能与云端推理中心，可作为GPU/HBM体系外的高能效推理加速模块。eMRAM兼具非易失、高带宽、低功耗特性，无需刷新即可长期保存数据，单元尺寸远小于SRAM，特别适合功耗与空间受限的边缘设备，为国产端侧AI应用提供核心算力支撑。
此次流片成功，是寒序科技依托北大物理学院应用磁学中心技术积淀，在自旋电子学与存算一体领域的重要成果。作为国产AI芯片新锐，寒序科技以底层技术创新为核心，此次突破不仅巩固其在MRAM存算架构的领先地位，更推动国产AI芯片从应用层向底层核心技术跨越，为亚洲先进存储与AI算力融合发展注入新动能。
（校对/李正操）
