三星晶圆代工再次杠上台积电。外电报道，三星率先喊出2030年前1nm制程到位并进入量产阶段，成为业界首家揭露1nm生产节点计划的厂商，与台积电争夺话语权。
相较之下，台积电尚未公布1nm生产蓝图。对于三星抢先揭露1nm相关时程，至昨（31）日截稿前，台积电没有进一步评论。
台积电目前对外公布的最先进制程技术发展计划，是迈入“埃米时代”的下一代先进逻辑制程A14（1.4nm），预计2028年生产。
台积电强调，A14制程技术旨在通过提供更快的运算和更好的能源效率，来推动AI转型，亦有望通过增进装置端AI功能来强化智能手机功能，使其更加智能。
台积电先前指出，A14制程技术截至目前开发进展顺利，良率表现优于预期进度，搭载超级电轨技术（SPR）的版本计划于2029年推出。
此外，台积电隶属于2nm家族A16制程计划2026年下半年量产。A16是台积电迈入埃米制程的第一站，先前业界传出，OpenAI自家ASIC芯片由博通、迈威尔（Marvell）等美商合作开发，并在台积电3nm与A16制程投片生产。
台积电投入A16与更先进的A14制程研发之际，外电报道，三星积极追赶，传出已订下“2030年导入1nm制程”的远大目标，与台积电正面交锋，抢攻1nm时代主导权。
韩媒《BusinessKorea》报道，产业人士透露，三星晶圆代工部门已规划于2030年前完成1nm制程研发，并进入量产阶段。由于1nm制程的晶体管密度是2nm的两倍，制程难度明显升高，被视为芯片微缩技术的重要里程碑。
报道指出，为了突破制程微缩的物理极限，三星1nm制程的主力架构将从现行“环绕式闸极（GAA）”转移至“叉型片（fork sheet）”结构，通过在nm片之间加入绝缘层，进一步提升晶体管密度，达到改善功耗及效能的目标。
韩媒先前报道，由于AI对高端芯片需求殷切，三星持续加码研发与资本支出，2025年投入总额已达90.4兆韩元，2026年将再增加22%，显示三星急欲追赶甚至超越竞争对手，在AI芯片与高频宽存储器（HBM）等新兴领域抢占更多话语权。
三星亦同步优化现有先进制程，积极争取重量级客户订单。产业人士指出，三星已开发客制化2nm制程“SF2T”，主供特斯拉次世代AI芯片AI6，预计2027年于三星得州新厂量产。
