把一片晶圆磨到只有35微米厚，是什么概念？相当于头发丝直径的一半。AOS万国半导体旗下自有工厂—尼西半导体科技（上海）有限公司，已经建成全球首条CSP35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。这一厚度突破让功率芯片的导通电阻和热阻大幅降低，显著提升了器件的能效与散热性能，为新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景提供了核心支撑。
图｜晶圆制造过程
豆腐上绣花，35微米见真章
晶圆越薄，性能越好，但加工难度也直线上升。晶圆薄到50微米以下后，脆得像薯片，稍微受力就可能裂开。尼西半导体通过和设备供应商一起攻关，把加工精度控制在35±1.5微米，碎片率压到0.1%以内。把研磨产生的应力损伤，通过化学腐蚀消除掉92%。切割环节也换了思路，不用传统刀片，用定制化激光切，热影响区小，切出来的良率达到98.5%。整个过程好比在豆腐上绣花，稍有不慎就前功尽弃。
40%、60%、5倍，薄芯片的三本账
芯片做薄了，好处直接体现在电和热上。载流子跑通芯片的时间缩短40%，发热量下降，导通损耗就少了。热阻比100微米的标准品下降60%，相当于给芯片装上了更好的散热片。封装环节也跟着受益——可以做双面散热，模块热阻再降30%，功率循环寿命翻了5倍。成本账也算得过来：同样一片晶圆，切出来的芯片数量多出20%，手机快充模块体积能砍掉一半，电动汽车的电控单元还能减重3公斤。
产线背后的“硬核天团”
这条产线的稳定运行，依托于研发人员在一系列关键设备上的开发和专研，以及生产过程中精良的工艺管控。键合机用于晶圆与玻璃载片的临时键合，对位误差控制在120微米以内，单日产能约400片。研磨机加工精度达0.1微米，片内厚度偏差小于2微米。激光切割机切缝宽度仅11微米，相较传统刀片切割可提升约10%的芯片有效面积利用率。解键合机通过激光实现玻璃与晶圆分离，并配套去胶工艺，破片率较低且化学品使用量小。从键合、研磨、切割到测试环节，产线均配备专用设备，其中测试环节单日产出可达12万颗成品。此外，该产线中的关键设备由公司工程师与国内设备厂商联合研发，通过协同创新实现了核心装备的自主可控，填补了国内相关技术空白。
通过精密减薄、激光切割等核心工艺，35微米超薄晶圆技术将晶圆加工从“被动减薄”升级为“主动功能化”，使芯片在电热性能、封装密度上同步提升。该产线为国产器件进入高压平台、快充等市场提供了量产底座。
关于AOS
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