1.股票停牌！中微公司筹划收购杭州众硅控股权
2.华辰芯光以IDM模式破局，锻造AI与卫星通信“中国芯”
3.TI首座300mm 晶圆厂投产！每日产能可达数千万颗芯片
4.日本考虑为芯片制造商Rapidus提供高达80%的贷款担保
5.从电池到变压器，美国AI基建深度依赖中国供应链
6.大模型下沉终端，先进制程如何破解端侧AI芯片算力与功耗困局？
7.半导体资本跨界收购：赛微电子参股基金入主 皮阿诺实控权花落初芯系
1.股票停牌！中微公司筹划收购杭州众硅控股权
2025年12月18日，国内半导体设备龙头企业中微公司（688012.SH）发布重大事项公告，宣布正筹划通过发行股份方式收购杭州众硅电子科技有限公司（下称“杭州众硅”）控股权，并同步募集配套资金。这一交易不仅是中微公司完善业务布局的关键举措，也为半导体设备国产替代进程增添了新的看点。公告同时明确了交易的核心边界与市场安排——不构成重大资产重组及关联交易，公司股票自12月19日起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日，停牌期间将严格履行信息披露义务。
从公告披露的核心信息来看，本次交易的架构与风险提示已形成清晰框架。在交易模式上，中微公司选择“发行股份购买资产+募集配套资金”的组合方式，这一模式在半导体行业并购中较为常见，既能够通过股份支付降低现金流出压力，又能通过配套融资补充后续整合及运营资金，为交易的顺利推进提供资金保障。不过公告特别指出，目前标的资产杭州众硅的估值及定价尚未最终确定，交易方案仍需进一步磋商，这意味着后续核心交易参数存在调整空间。
在交易性质界定上，“不构成重大资产重组”是关键判断，这一结论基于《上市公司重大资产重组管理办法》的量化标准得出。根据中微公司2024年年报数据，公司当年经审计的资产总额为262.18亿元、营业收入90.65亿元、净资产197.36亿元。结合监管标准，若购买资产的总额、营收或净额占上述指标比例未达50%（净额同时需超过5000万元），则不构成重大资产重组。这一界定意味着交易无需履行更为复杂的监管审批程序，将在一定程度上加快交易推进效率。同时“预计不构成关联交易”的表述，也排除了交易双方存在利益关联的潜在风险，为交易的公允性提供了基础保障。
在市场影响管控方面，股票停牌安排体现了对投资者利益的保护。公告明确停牌起始日为2025年12月19日（星期五），预计停牌不超过10个交易日，据此推算复牌时间大概率在2026年1月初。停牌期间，公司将按照监管要求及时披露交易进展，包括交易方案细化、标的资产审计评估进展等关键信息，避免因信息不对称导致股价异常波动。
此次收购的核心价值在于实现中微公司与杭州众硅在半导体设备领域的战略互补。作为国内半导体设备的领军企业，中微公司长期聚焦于等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备，这类设备属于真空环境下的“干法设备”，是集成电路制造过程中的核心装备。
而标的公司杭州众硅的业务布局则形成了精准补位——其核心产品为化学机械抛光设备（CMP），属于半导体制造中的“湿法设备”。在集成电路制造流程中，刻蚀、薄膜沉积与化学机械抛光是除光刻机以外最为关键的三大工艺环节，三者共同构成芯片图形化与平坦化的核心技术支撑。此前中微公司的产品矩阵集中于干法工艺，而通过收购杭州众硅，公司将快速切入湿法设备领域，形成“干法+湿法”协同的完整设备供应能力，实现对半导体制造核心工艺环节的全覆盖。这种布局不仅能提升公司对下游晶圆厂的综合服务能力，更能增强在设备采购招标中的整体竞争力，为其拓展市场份额奠定基础。
2.华辰芯光以IDM模式破局，锻造AI与卫星通信“中国芯”
近年来光通信行业连续上演惊心动魄的“大洗牌”，原先的六家国际头部光电厂商迅速缩减为两大龙头Lumentum和Coherent，业界惊讶于巨头激烈兼并与被兼并时，在Lumentum美国公司担任FAB部门工艺技术总监的魏明博士（浙江华辰芯光科技有限公司联合创始人兼CTO）却从中捕捉到了一个更核心的信号——为何这两家幸存的行业龙头，都坚定地选择了同一种发展模式？选择什么样的芯片发展模式才能真正适合中国当前发展阶段？
2021年9月，就在中美高科技产业脱钩趋势越来越清晰的背景下，魏明博士毅然辞去优渥的高薪工作，选择回国创业。他联合一批志同道合的老同事成立了浙江华辰芯光技术有限公司（简称“华辰芯光”）。与当时主流光芯片初创公司采取的Fabless（无晶圆厂）模式不同，魏明博士团队决定采用最难的IDM造芯模式，将激光芯片设计、外延生长、FAB制造、芯片封测、芯片可靠性开发与测试等五大能力全部纳入自主建设。令人好奇的是，华辰芯光完成FAB重资产投入后，在构建起“芯片设计+FAB制造+芯片封测”产能矩阵后，能否让其在AI算力、卫星通信等新兴市场的爆发式需求中抢占先机？为此集微网专门采访了华辰芯光及魏明博士，对华辰芯光的技术能力和核心产品做了深入交流。
国际光电巨头激烈并购史，催生华辰芯光“IDM造芯”
摩根大通6月研报指出，国际光电行业龙头Lumentum、Coherent已在人工智能领域的光芯片赛道占据有利位置，成为下一轮人工智能成长周期的核心受益者。回顾自2018年以来，Lumentum先收购竞争对手Oclaro， 4年后一举吞并NeoPhotonics，加强它在相干光通信市场的领导地位；与此同时，其竞争对手Coherent也相继在2019年、2021年收购了Finisar、II-VI，强化其在数据通信和光传输领域的领先优势。昔日并立的六大光通信器件企业，转瞬之间短时间内只剩下Lumentum、Coherent两大巨头。
作为Lumentum数个FAB工厂的并购项目关键论证和实施的重要参与者，上述FAB工厂并购历程使魏明博士深刻理解IDM模式对塑造一个技术持续领先的光通信芯片企业多么至关重要。
他向集微网表示：“Lumentum、Coherent两家光通信芯片领域国际知名企业都是IDM造芯模式。因为作为光通信产品关键零部件的激光芯片产业是一类特殊的半导体产业，设计必须与FAB工艺紧密配合才能达成目的，这类芯片对FAB制造工艺能力的要求远远高于对设计的要求。优秀的光通信公司都拥有与自己主流光芯片相匹配的特殊FAB工艺能力。国外巨头的发展道路已经证明：选择IDM造芯模式、并垂直整合产业链下游芯片封测能力，是加速发展中国光通信产业唯一正确道路。华辰芯光团队在创立之初就坚定选择了这条‘难而正确’IDM造芯模式的道路。”
魏明博士介绍，华辰芯光的IDM模式，包括激光芯片设计、外延生长、FAB制造、芯片封装与测试、芯片可靠性开发与认证等全流程。该模式与行业内常见的Fabless（无晶圆厂）加Foundry（代工厂）模式形成鲜明对比，在响应速度、质量控制、定制化能力等方面展现压倒性优势。
据了解，半导体激光芯片尤其是AI所需的高可靠激光芯片，其研发是一个基于“FAB工艺超可靠、批量化制造能力超稳定”而进行的高强度持续迭代的过程。研发前期的芯片设计与FAB工艺之间沟通频繁，非IDM模式下外延代工厂、FAB代工厂、封测代工厂等环节之间至少经历3次转运，国内耗时3~5周，海外转运长达1~2月，各个代工环节既不能保证可靠，也无法确保工艺稳定，如果再叠加砷化镓、磷化铟等脆弱材料在运输中易出现污染、裂痕等因素，会造成芯片不同批次之间差异性很大；而且针对某些特种波长、特殊应用领域如航空航天、人工智能、量子计算等所需的激光芯片，都需要特殊FAB工艺进行制造，因此IDM模式的优势更为凸显。
“华辰芯光可根据需求标准不同而快速调整FAB工艺，无需受Foundry代工厂工艺能力的限制，”魏博士强调，用于AI领域的光通信产品对半导体激光芯片同批次质量控制与多批次产品一致性有极高的要求。华辰芯光每一步工艺均对材料、设备、参数进行严格管控，并形成数据闭环。
因此，假设制造环节出现问题，凭借从外延生长、芯片制造到封测的全流程数据库互联互通，华辰芯光可瞬间追溯回上游任何一个工站甚至某一批晶圆原料，迅速定位原因。拥有完全自主可控IDM模式的芯片制造能力既是高可靠半导体激光芯片快速迭代的根基，又是对客户要求及时交付高质量激光芯片的有力保障。
FAB核心技术亮点纷呈，筑牢半导体激光芯片竞争壁垒
去年，华辰芯光顺利完成近2亿元人民币的A++轮融资，实现四年完成5轮融资的佳绩，这在资本“避险情绪”升温、偏爱后期的当下实属不易，亦从侧面印证头部投资机构对其技术实力与发展潜力的高度认可。
当前，华辰芯光不仅拥有一支兼具丰富的研发与制造经验的海外专家团队， 他们在半导体激光芯片模拟与设计、外延生长、FAB制造、芯片封测、可靠性开发与验证等方面拥有丰富的量产技术能力；还掌握独有的高亮度边发射激光芯片FAB核心工艺－-WXP激光腔面钝化能力，这些优势使得华辰芯光更易在项目中凸显优势。
技术与资本的持续合力，使华辰芯光迅速积累了多项具有行业竞争力的核心能力——包括WXP腔面钝化技术、高效外延设计与生长技术、6英寸砷化镓芯片量产制造技术等，这些能力为芯片性能持续提升与成本控制提供了强大支撑。
魏明博士向集微网介绍，目前用在人工智能、光纤通信、卫星通信等领域的高功率边发射CW（连续波）激光芯片的腔面镀膜技术是E2（真空解理）或用MBE（分子束外延生长）、ECR（电子回旋共振）等设备进行端面处理再加镀膜，原理上都是通过低能离子辐射清理腔面，这些传统工艺对真空度要求极高——但即使在很高的真空环境下，也难以做到解理面完全无氧化层的形成，往往导致激光芯片制造成本高且可靠性难以保证。
为了兼顾人工智能等领域对边发射CW激光芯片高可靠性和低成本的要求，华辰芯光经过多年的实践，解决大量FAB工艺问题，形成大量的know-how，自主开发了WXP技术，达到精准调控能带结构和量子阱内掺杂（QWI）形貌，同时保证稳定的波长控制。WXP原理是通过量子阱内掺杂使得激光器发光端面能带变宽，对激光无吸收，显著提升损伤阈值，使激光器寿命可靠性提升至少10倍，可靠性完全满足电信级和宇航级的要求。同时依托于WXP技术，芯片可以在大气中解理，大幅提升了量产能力，单套WXP系统产能数倍于现有的主流工艺技术。
“华辰芯光的WXP目前已经实现批量化生产，良率比传统技术提升35%以上，成本优势显著。高产能、高良率、大尺寸是决定FAB能否成功的关键因素。华辰芯光也是国内少数建成高效外延生长与6英寸砷化镓产线的半导体激光芯片公司。”魏明博士强调，目前公司高功率CW激光芯片设计年产能已达2000万颗，未来计划扩展工业激光器、消费类、车用激光等产品，将充分释放产能，进而形成“成本降低→价格竞争力增强→市场份额扩大→产能利用率提升→成本进一步降低”的正向增强循环，朝着建成亚洲最大光电芯片中心的目标迈进。
数据显示，华辰芯光围绕量子阱内掺杂技术（QWI）已经申请超百项技术发明专利，这些自主创新的技术成果已经构成了华辰芯光FAB核心竞争力的“护城河”，使其在低成本、高可靠半导体激光芯片领域具备长期独特的竞争优势。
重塑光之动力：驱动AI时代的光通信基石
在全球数据洪流与AI算力爆发的双重浪潮下，光通信网络正经历从“连通”到“超强智能”的深刻变革。面对一个对光信号要求“更高功率、更快传输、更低功耗与成本”的崭新时代。作为国内稀缺的先进激光芯片研发与制造商，华辰芯光不仅为传统光通信与卫星互联网锻造了“可靠心脏”，更前瞻性地布局和卡位于两大未来增长极：AI算力集群的超高速互连与 “硅光时代”的光信号动力集成，致力于成为下一代光网络底座的基石型供应商。
1.赋能AI算力与全光互联：单模980nm泵浦激光芯片，从电信基石到算力引擎的核心动力
魏明博士表述：“当前AI算力发展对光通信产品的需求正呈现‘更高、更快、更省’的发展趋势，AI数据中心内部及数据中心之间（DCI）的流量迎来爆炸式增长，推动800G光模块全球规模部署，1.6T模块加速落地，3.2T技术进入研发视野，以支撑万卡乃至十万卡级GPU集群的互联需求。”
因此，这一进程对底层光网络提出了前所未有的要求——更高密度的波长传输、更灵活的光层调度，以及决定性的光功率预算。 此时以980nm单模泵浦激光器为“心脏”的掺铒光纤放大器（EDFA），其核心价值从传统电信基础设施，全面扩展至支撑AI算力的新型光互联体系：
在DCI与城域全光网中：为承载海量AI数据流，现代DCI与城域网正普遍采用DWDM（密集波分复用）技术与全光交换（OXC/ROADM）架构。DWDM系统依赖EDFA技术可放大数十甚至上百个波长信道，以极高效率扩展带宽；而全光网中的每个光交叉连接点都需EDFA精确补偿光开关带来的损耗，确保信号可无损调度。EDFA已成为构建高速、扁平化、低时延“算力输送光网”不可或缺的物理层引擎。
在高速光模块与链路中：AI集群内部及数据中心间的互联距离正被拉长，更高速率（如1.6T/3.2T）的复杂调制信号面临严峻的功率衰减。集成化、可插拔的EDFA光放大器方案，正作为“功率加油站”被直接部署于光模块或链路中，直接延伸高速信号的有效传输距离，保障系统稳定性。这标志着EDFA正从机架设备向器件级、模块级深度演进。这一趋势不仅驱动了光模块的升级，更本质上是全光网理念与技术向数据中心与算力中心腹地的延伸。海外科技巨头（如Meta、Google、AWS）为优化其算力网络，已在积极布局相关集成化光放大方案。
魏明博士说：“华辰芯光依托全球领先的WXP腔面钝化技术与自主可控的6英寸产线，所提供的 ‘电信级’高可靠、长寿命980nm单模泵浦激光芯片，正是构建此类用于DCI、城域全光网，以及未来高速互连系统的高性能、紧凑型EDFA的理想泵浦激光芯片。华辰芯光不仅在守护传统DWDM骨干线与全球全光网的大动脉，更在为AI时代算力集群的高速神经网络与高效互联的全光底座注入稳定、强大、可扩展的中国‘芯’动力。”
2. 引领硅光革命：单模980nm激光芯片为“片上光网络”注入核心动力
硅光技术被视为突破电互连“功耗墙”与“带宽墙”、实现下一代CPO（共封装光学）的关键路径。然而，硅光芯片的高集成度与片上光路损耗，成为其性能进一步提升的瓶颈。将光放大功能与硅光芯片高效集成，已成为行业公认的技术方向。
这为EDFA带来了革命性的形态演变需求——从独立的机架式设备，迈向微型化、可插拔乃至“片上集成”，其核心依然是高功率、高效率、高可靠性的单模980nm泵浦激光芯片。华辰芯光在980nm泵浦激光器领域深厚的电信级技术积累，正是攻克这一前沿挑战的坚实基础。其技术平台具备向更低噪声、更高效率、更小尺寸的专用泵浦源延伸的强大能力，旨在为硅光模块和未来CPO系统解决最关键的功率预算难题，成为“硅上激光”时代不可或缺的动力伙伴。
3. 夯实传统优势：双轮驱动，构建全域覆盖能力
在引领前沿的同时，华辰芯光持续巩固并升级在两大传统核心市场的领导地位。
电信网络领域：在光纤通信的“信号高速公路”——骨干网与城域网中，华辰芯光的980nm单模泵浦激光芯片作为EDFA的“心脏”，直接决定光纤网络的传输距离、带宽和稳定性。得益于全球领先的WXP腔面钝化技术，980nm产品不仅满足电信级应用对器件寿命的苛刻要求，还彻底解决 光传输领域“卡脖子”风险。华辰芯光持续为全球光网络的扩容（C+L波段扩展）与升级（向400G/800G演进）提供可靠动力。
卫星互联网领域：在构建天地一体化网络的太空战场，华辰芯光的980nm单模泵浦激光芯片是低轨卫星间建立高速激光链路（星间链路）的核心光源。低轨卫星之间需建立高速激光链路（星间链路）组网，980nm单模泵浦激光芯片可将电能转换成高功率激光，承载卫星间海量数据传递。其卓越的空间环境适应性与超长寿命，得益于同样的WXP钝化技术，结合规模化制造优势，精准匹配了全球巨型星座计划对稳定、可靠、低成本海量供应的极致要求。
谈及未来目标，魏明博士说：“技术方面，我们的工艺平台在建立初始就是保证6英寸砷化镓和4英寸磷化铟的兼容性，目前随着砷化镓的FAB工艺能力已经完全成熟，在此平台基础上持续升级即可突破基于磷化铟及其他三五族化合物半导体的FAB工艺平台技术，加之华辰芯光团队有数个国际顶尖磷化铟技术人才，公司最终目标是将逐步实现‘6英寸砷化镓和4英寸磷化铟混合无接触FAB制造能力’的愿景；同时在产能开发方面，伴随新基地全面投产，公司年产能将扩充至1亿颗芯片，为全球AI基础建设、卫星通信、军事防务、激光雷达、量子计算等产业发展贡献更多‘芯’力量。”
通过此次深入走访，集微网清晰地看到，华辰芯光所选择的IDM路径，绝非简单的重资产投入，而是基于对激光芯片产业规律的深刻洞察所构建的一套体系化能力。从国际巨头的并购史中汲取经验，以前瞻性布局卡位AI算力网络与硅光集成革命，再用自主可控的WXP技术、6英寸产线构筑起坚实的“护城河”——华辰芯光正试图走通一条中国高端激光芯片的快速发展之路。
这家公司正站在一个历史性的交汇点上。他们以经过全球电信市场二十年验证的、支撑着骨干网与城域网“大动脉”的顶尖激光芯片技术为根基，同时将锋芒指向AI算力网络与硅光集成这两个最具潜力的未来战场，并将其高可靠性能力拓展至构建卫星互联网“太空走廊”的尖端领域。华辰芯光的愿景，已不仅仅是成为一家稳定的硬科技企业，更致力于成为驱动从全球数字地面网络到巨型卫星星座、从现实互联到未来智能化浪潮的底层光动力核心源泉。
3.TI首座300mm 晶圆厂投产！每日产能可达数千万颗芯片
德州仪器（TI）宣布，位于美国得州谢尔曼（Sherman）的新厂已开始生产 300mm 晶圆，首座晶圆厂 SM1 已正式上线。
德仪指出，已开始向客户交付芯片，并准备将产量提升至每日数千万颗芯片。该厂是公司今年早前宣布的 600 亿美元美国半导体制造投资计划的一部分，而第二座 SM2 厂也已在建设中。
德仪共投入 400 亿美元在谢尔曼兴建四座晶圆厂，除了 SM1、SM2 外，另外两座晶圆厂 SM3 及 SM4 将于未来兴建。
德州仪器总裁兼执行长 Haviv Ilan 表示，位于得州谢尔曼的最新晶圆厂投产，展现了德仪的核心能力，即掌握整个制造流程，提供几乎所有电子系统不可或缺的基础半导体。作为美国最大类比与嵌入式处理半导体制造商，德仪具备独特优势，能以规模化提供可靠的 300mm 半导体制造能力。
SM1 厂将专注于电源系统用芯片，例如车用与电子装置电池、汽车照明及资料中心电源系统。德仪类比电源产品资深副总裁 Mark Gary 指出，「我们在电源产品组合上持续突破，提升电源密度、延长电池寿命、降低待机功耗，并减少电磁干扰（EMI），缩短 EMI 认证时间，使系统在各种电压下更安全。谢尔曼新厂将立即对市场产生影响，首批产品将如何改变技术应用令人振奋」。
德仪两个月前已开始裁减旧厂员工，因公司逐步停止这些旧厂运作。旧厂主要生产 150mm 晶圆，而 SM1 厂生产的 300mm 晶圆面积是旧晶圆的四倍，可大幅提升产能与效率。德仪强调，新厂可提供多达 3,000 个直接就业机会，并将优先安排被裁员员工。（来源： 科技新报）
4.日本考虑为芯片制造商Rapidus提供高达80%的贷款担保
日本经济产业省一位高级官员周四表示，日本计划为国内芯片制造商 Rapidus 提供的私营部门贷款提供高达 80% 的担保，Rapidus 正在寻求大规模生产尖端半导体产品。
工业部计划支持该公司筹集所需资金，以便其在2027财年下半年开始批量生产。具体细节将在工业部收到金融机构的提案后确定。
该部门官员在东京举行的国际半导体产业盛会——2025年日本半导体展上发表了上述声明。
该官员还表示，该部正在敦促包括日本罗姆和东芝在内的半导体制造商建立生产系统，以供应能够替代Nexperia（安世半导体）所生产的芯片。
由于中荷之间的争端导致近期停产，本田汽车、丰田汽车以及许多其他制造商的生产都受到了影响。一位官员表示，虽然大多数日本公司仍然无法获得这些芯片的供应，但该部门正在努力帮助他们联系罗姆和东芝等替代供应商。
三菱日联银行和其他日本主要贷款机构已表示，他们愿意从2027财年开始向Rapidus提供总计约2万亿日元（129亿美元）的融资。日本产业通商资源部在11月表示，已选定Rapidus为官方经营者，使其能够为该公司提供资金并担保其他贷款。
5.从电池到变压器，美国AI基建深度依赖中国供应链
今年以来，中国电池、变压器和其他对全球人工智能（AI）建设至关重要的设备制造商的股价飙升，因为耗电量巨大的数据中心正在争相寻找替代不堪重负的传统电网的方案。
得益于国内外需求的推动，全球最大的电池制造商宁德时代（CATL）和仅次于特斯拉的全球第二大集成储能系统供应商阳光电源（Sungrow）等中国企业的利润大幅飙升。
今年以来，宁德时代的股价上涨了45%，阳光电源的股价上涨了130%。这两家公司是深圳证券交易所沪深新能源指数中市值最大的两家公司，该指数在2025年已上涨了38%。
这两家中国公司均未披露其在美国的销售额，但官方数据显示，中国占美国电池和储能系统进口的大部分。
伯恩斯坦负责全球储能行业的股票研究分析师Brian Ho表示说，尽管特朗普加征了关税，但出口销售才是利润的主要驱动力，企业可以在海外获得更高的利润。
国际能源署预测，到2030年，数据中心将消耗945太瓦时的电力——超过美国目前年发电量的五分之一——高于去年的约415太瓦时。传统电网已经不堪重负。
据美国人口普查局统计，今年前九个月，美国锂离子电池进口的60%来自中国，高于2020年的43%。今年截至9月，此类进口总额为150亿美元，是2020年全年总额的三倍多。
尽管美国努力减少对中国的依赖，并警告称这样做会使自身更容易受到供应链冲击的影响，但这种情况依然存在。美国智库外交关系委员会在10月份的一份报告中指出，美国在与中国竞相发展人工智能的过程中面临的最大威胁“源于供应链”。
澳新银行大中华区首席经济学家Raymond Yeung指出，中国制造商在人工智能供应链中拥有“结构性优势”。例如，宁德时代等公司是磷酸铁锂电池生产的全球领导者，这种电池比其他替代电池更安全、寿命更长。
中国企业在价格和交货速度方面也具有优势。
自2018年特朗普首次提高对中国商品的关税以来，宁德时代和阳光电源的海外收入均大幅增长，凸显了全球缺乏替代供应商的问题。
然而，目前的趋势可能不会持续。明年，特朗普政府计划将中国电池的关税从30.9%提高到48.4%，并加大对高中国零部件含量设备获得联邦税收抵免的难度。（校对/赵月）
6.大模型下沉终端，先进制程如何破解端侧AI芯片算力与功耗困局？
近年来，人工智能正经历从“云中心”向“终端侧”深度演进的关键转折。随着大模型能力的普及与多模态智能体（AI Agent）应用的兴起，用户对实时响应、隐私安全、个性化体验和使用成本的综合要求不断提升，推动AI推理任务加速下沉至手机、可穿戴设备、智能家居、车载系统等终端场景。这一趋势催生了对端侧AI芯片前所未有的需求——既要具备强大的本地算力以支撑复杂AI任务，又必须在电池容量、散热条件、物理尺寸和成本预算等多重严苛约束下实现高能效运行。
在此背景下，先进制程工艺作为提升芯片性能与能效比的核心技术路径，日益成为端侧AI芯片设计的关键支撑。然而，制程微缩并非坦途：高昂的成本、良率瓶颈以及供应链复杂性，正促使产业界探索更加多元和系统化的解决方案。本文基于11家A端侧AI芯片上市公司公开信息，系统梳理端侧AI芯片对先进制程的需求动因、实际应用成效、企业战略布局，并深入剖析制程升级过程中所面临的现实挑战与创新应对策略。通过分析可见，未来端侧AI芯片的竞争已超越单一工艺节点的比拼，转而聚焦于“先进制程+架构创新+先进封装+软硬协同”的全栈式系统级优化能力。
端侧AI芯片对先进制程的需求背景
端侧AI芯片对先进制程的迫切需求，源于人工智能技术从云端向终端设备大规模迁移的结构性趋势。附件资料明确指出，随着大模型和多模态AI Agent应用的蓬勃发展，用户对响应速度、使用成本、数据安全及个性化体验的要求日益提升，促使AI推理任务加速向端侧迁移，形成“云-边-端”协同的多层次算力架构。在此背景下，以AI手机、AI PC、智能可穿戴设备、IPC（网络摄像机）、车载终端等为代表的端侧产品，亟需在有限的物理空间和能源约束下，实现强大的本地AI处理能力。
具体而言，端侧设备普遍面临电池容量小、散热条件差、体积受限、成本敏感等多重硬性约束。例如，TWS耳机、智能手表、无线麦克风、IoT传感器等设备往往依赖小型锂电池供电，无法承受高功耗芯片带来的续航压力。然而，AI应用（如语音唤醒、图像识别、实时翻译、ADAS辅助驾驶等）又对算力提出了显著增长的需求。瑞芯微精准概括了这一矛盾：“SoC芯片的算力需求呈现爆发式增长，驱动SoC设计进入‘先进制程、算力升级、架构重构、能耗革命’的新阶段。”
为破解算力需求激增与能源供给有限之间的根本矛盾，先进制程成为关键突破口。其核心价值在于：在晶体管尺寸缩小的同时，降低单个晶体管的动态与静态功耗，并提升单位面积内的晶体管密度。这使得芯片能够在更小的面积上集成更多计算单元（如多核CPU、GPU、大算力NPU、VPU等），同时维持或降低整体功耗水平。恒玄科技采用6nm FinFET工艺开发BES2800芯片，正是为了在可穿戴设备的严苛空间内，集成高性能异构计算单元与完整的射频/音频子系统，从而提供“强大的算力和高品质的无缝连接体验”。同样，晶晨股份的6nm旗舰芯片能支持同声字幕生成等复杂AI功能，并实现千万级出货，也印证了先进制程对于支撑高能效AI落地的决定性作用。
因此，先进制程不仅是性能提升的工具，更是端侧AI产品实现商业可行性和用户体验闭环的基础保障。
A股端侧AI芯片公司部分旗舰SoC应用全景表
先进制程在端侧AI芯片中的具体应用体现
先进制程直接赋能端侧AI芯片的高性能与高能效。晶晨股份推出的6nm芯片自2024年下半年商用以来，2025年上半年销量已超400万颗，预计全年将达千万颗以上。该芯片集成自研智能端侧算力单元，支持同声字幕生成等AI功能，充分体现了先进制程对AI算力落地的支撑作用。全志科技亦指出，“7nm及以下先进制程已成为高端SoC的主流”，而3nm等更先进节点则因成本与良率问题尚未大规模普及。恒玄科技的BES2800芯片同样基于6nm工艺，集成了多核CPU/GPU/NPU，为TWS耳机、智能手表等设备提供强大算力和高品质连接体验。
低功耗是端侧AI芯片的生命线。安凯微在介绍其低功耗智能视觉芯片KM01A与KM01W时表示，整机在AOV模式下功耗低于30mW，这一指标的达成离不开制程工艺的优化。炬芯科技虽采用22nm成熟制程，但通过自研存内计算技术显著提升了能效比，说明即使在非最先进节点上，制程与架构的协同优化也能有效控制功耗。
先进制程使单芯片集成更多功能模块成为可能。瑞芯微指出，高性能SoC正标配“多核心、高频率、超高清和多路编解码能力、大算力NPU、高速多通道DDR”，这些特性高度依赖先进制程带来的晶体管密度与互连性能提升。晶晨股份的6nm芯片即集成了NPU、视频编解码器、无线通信模块等，实现了高性能与小体积的统一。
多家公司已在先进制程上展开前瞻性布局。瑞芯微正在研发下一代旗舰芯片RK3688，以适配AIoT 2.0时代对端侧算力的更高需求；全志科技已启动“下一代更高性能SoC架构”的研究，并明确将采用更先进制程；恒玄科技则通过6nm工艺实现射频、音频、电源管理等模拟与数字电路的全集成，进一步降低系统级功耗。
制程升级面临的挑战与应对策略
尽管先进制程优势显著，但其大规模应用于端侧AI芯片仍面临严峻挑战，主要体现在成本、良率、技术复杂度和供应链稳定性等方面。
首先，制造成本急剧攀升。全志科技明确指出：“3nm等更先进工艺面临成本高和低良率瓶颈”。随着制程节点进入5nm以下，光刻工艺（尤其是EUV光刻）的设备投入、材料成本和工艺步骤数量呈指数级增长，导致晶圆价格高昂。对于毛利率相对有限、价格竞争激烈的消费类端侧芯片市场而言，全面采用先进节点在经济上并不现实。
其次，良率问题制约量产爬坡。更先进的制程对工艺控制精度要求极高，任何微小的缺陷都可能导致芯片失效。低良率不仅直接推高单颗芯片成本，还会影响产品交付周期和市场竞争力。这对于需要快速迭代、抢占市场的AIoT和消费电子领域尤为不利。
面对上述挑战，行业并未止步于单纯追求更小线宽，而是转向系统级创新与异构集成作为应对策略：
· 发展先进封装技术：多家端侧AI芯片企业认为，“3D堆叠、Chip to Chip、Die to Die的芯片互联方式会越来越普及”。通过将不同功能模块（如逻辑计算芯粒、高速缓存、模拟/RF芯粒）采用最适合其特性的制程分别制造，再通过2.5D/3D封装技术集成在同一封装体内，可以在不牺牲性能的前提下，有效规避单一先进制程带来的高成本与低良率风险。瑞芯微明确提出，“Chiplet设计和先进的3D封装设计”将成为平衡性能与成本的关键策略。
· 推行混合制程设计（Hybrid Process Node）：并非所有电路模块都需要最先进制程。例如，数字逻辑部分可采用7nm或6nm以获得高密度和低功耗，而电源管理、射频收发等模拟电路则更适合采用28nm或40nm等成熟稳定、成本更低的制程。通过Chiplet或异构集成方式将不同制程的芯粒组合，既能发挥先进制程在算力核心上的优势，又能利用成熟制程在模拟/高压/高可靠性方面的长处，实现整体最优。
· 强化架构与算法协同优化：在制程受限的情况下，通过架构创新弥补性能差距。炬芯科技在22nm制程上成功商用“第一代存内计算技术”，即是在成熟节点上通过改变数据搬运范式（减少内存访问能耗）来大幅提升能效比的典型案例。此外，“AI驱动的任务调度算法”和“预测性功耗管理”等软件层面的优化，也是降低系统级能耗、缓解制程压力的重要手段。
小结：先进制程是端侧AI芯片发展的核心驱动力之一
综上所述，附件资料清晰表明，端侧AI芯片的发展高度依赖先进制程技术，以实现“高性能、低功耗、高集成”的产品目标。6nm、7nm及以下制程已成为高端端侧AI SoC的主流选择，支撑着NPU集成、多模态AI推理、超高清编解码等关键功能。然而，面对成本与良率的现实约束，行业并未单一押注于制程微缩，而是采取“先进制程+架构创新+先进封装”的组合策略。部分企业如炬芯科技在22nm节点上通过存内计算实现能效突破，印证了技术路径的多样性。未来，端侧AI芯片的竞争将不仅体现在制程先进性上，更体现在系统级能效优化、软硬协同设计以及异构集成能力的综合较量之中。
7.半导体资本跨界收购：赛微电子参股基金入主 皮阿诺实控权花落初芯系
近日，皮阿诺发布公告称，杭州初芯微科技合伙企业（有限合伙）（以下简称“初芯微”）通过一系列精密的资本运作，将成为上市公司新的控股股东，公司的实际控制人将变更为尹佳音。
根据公告，本次权益变动通过“协议转让+表决权放弃+定向增发”的组合操作完成。
首先，在股份转让方面，初芯微于2025年12月15日与公司原实际控制人马礼斌签署协议，以15.31元/股的价格受让其持有的17,888,446股股份，占公司总股本的9.78%。此前，初芯微已于12月8日与股东珠海鸿禄签署协议，以13.284元/股的价格受让12,804,116股，占7.00%。通过这两笔交易，初芯微的持股比例从0%直接提升至16.78%。
更为关键的是，为巩固控制权，马礼斌同时签署了《表决权放弃协议》。在完成前述股份转让后，马礼斌将无条件放弃其剩余持有的35,373,745股股份（占总股本19.34%）的表决权。这一安排使得初芯微在尚未取得绝对多数股权的情况下，已能实质主导公司决策，确保了控制权过渡的稳定。
同日，皮阿诺披露了向特定对象发行股票的预案。青岛初芯产业控股有限公司（以下简称“青岛初芯”）拟以现金方式全额认购本次发行的34,514,970股股票。
本次发行完成后，青岛初芯的持股比例将达到15.87%。届时，初芯微与青岛初芯作为一致行动人，合计持股比例将达到29.99%，无限接近30%的要约收购红线，控股地位得到极大巩固。
皮阿诺表示，新控股股东基于对公司主业及内在价值的认可，看好行业发展前景，入主后将持续完善公司经营与管理，增强主营业务竞争力，为公司未来发展提供赋能与支持。
本次入主的初芯系资本背景引人注目。根据集微网了解，初芯微是一家新近成立的有限合伙企业，其普通合伙人及执行事务合伙人为青岛初芯共创科技有限公司。
值得注意的是，A股半导体龙头企业赛微电子的全资子公司北京微芯科技有限公司，作为有限合伙人出资6600万元，占初芯微总出资额2.2亿元的30%。这使得本次收购带有了产业资本，特别是半导体领域资本布局的深刻色彩。
初芯微的经营范围涵盖技术服务、投资等，其背后的实际控制人尹佳音将通过此次交易成为皮阿诺新的实控人。市场分析认为，这不仅是简单的资本易主，更可能预示着皮阿诺在主营业务巩固的基础上，未来有望获得来自半导体等高科技领域的产业资源协同与赋能。
