1.安凯微通过ISO 56005《创新与知识产权管理能力》3级认证；
2.世界知识产权组织：中国2024年专利申请量达到180万件，蝉联全球第一；
3.芯来科技“随机存储器的控制电路、随机存储器和电子设备”专利获授权；
4.大普微电子“数据保护方法及其闪存设备”专利获授权；
5.奕斯伟“硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质”专利获授权
1.安凯微通过ISO 56005《创新与知识产权管理能力》3级认证
2025年10月31日，安凯微（股票代码：688620）正式通过ISO 56005《创新与知识产权管理能力》等级证书（3级）认证。该认证是对公司在创新与知识产权管理深度融合、系统化创新能力的权威认可，为高质量发展奠定坚实基础。
ISO 56005是由我国率先发起并制定的首个创新与知识产权管理国际标准，设置1至5级认证梯度，认证难度和要求逐级提高，旨在帮助企业打通知识产权、创新与业务战略之间的壁垒，提升创新成果的转化与保护。根据IMSPP中国运营方数据显示，截至2025年10月31日，全国通过ISO 56005分级评价并获证的企业共951家，其中3级企业仅98家，4级25家，目前尚无企业通过5级评价；广东省获证企业有293家，3级仅为19家。
安凯微已建立起较为完善的知识产权合规管理体系，并于2017年通过《企业知识产权管理规范》（GB/T 29490-2013）认证，且持续维持该认证的有效性。此次公司通过ISO 56005认证，进一步体现了其在创新与知识产权管理方面的扎实能力与发展潜力，巩固了其在国内该领域的行业领先地位。
2.世界知识产权组织：中国2024年专利申请量达到180万件，蝉联全球第一
世界知识产权组织（WIPO）12日发布报告称，2024年全球专利申请数较上年增加4.9%，达到约372.5万件，创历史新高。其中，中国以约180万件蝉联全球第一，其次为美国的约50万件、日本约42万件，韩国和德国位列第四第五。
在商标申请方面，经历两年放缓后，2024年全球商标申请量呈现复苏迹象，总量达1520万件，较2023年微降0.1%。中国以约730万件申请量位居第一，美国、俄罗斯、印度和巴西分列其后。
全球外观设计申请量同样实现增长，2024年增幅为2.2%，达到160万件。中国申请量高达约91万件，稳居全球首位，德国、美国、意大利和韩国依次排名其后。前五大来源国合计占全球外观设计申请量的近四分之三。
WIPO总干事邓鸿森表示“在当今竞争激烈的全球经济中，技术创新是增长的秘诀，知识产权存在于众多商业战略的核心之中”，强调专利等知识产权对经济增长不可或缺。
3.芯来科技“随机存储器的控制电路、随机存储器和电子设备”专利获授权
天眼查显示，芯来智融半导体科技（上海）有限公司近日取得一项名为“随机存储器的控制电路、随机存储器和电子设备”的专利，授权公告号为CN114783480B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2022年4月20日。
本申请实施例提供了一种随机存储器的控制电路、随机存储器和电子设备中，涉及信号处理技术领域。该随机存储器的控制电路包括：控制组件与弱下拉组件，弱下拉组件的控制端与控制器电连接，弱下拉组件的输出端与选通管脚电路电连接，控制器控制弱下拉组件在控制器确定门控打开位置时输出低电平信号，以将DQS信号的不定态下拉至低电平状态，解决了目前DDR存储器的门控信号的门控打开位置确定成本较高的技术问题，大大降低了门控信号的门控打开位置确定的人工成本，同时提高了随机存储器的兼容性与适配性。
4.大普微电子“数据保护方法及其闪存设备”专利获授权
天眼查显示，深圳大普微电子股份有限公司近日取得一项名为“数据保护方法及其闪存设备”的专利，授权公告号为CN116107501B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2022年12月23日。
本申请涉及闪存性能管理领域，公开了一种数据保护方法及其闪存设备，该数据保护方法包括：接收写入请求，确定写入请求对应的至少两个数据缓冲区；将每一数据缓冲区中的数据一一写入到对应的普通数据逻辑单元，并且，对每一数据缓冲区中的数据进行异或处理，得到异或结果，将异或结果写入到冗余缓冲区；在将异或结果写入到冗余缓冲区之后，将冗余缓冲区的数据写入到校验数据逻辑单元。本申请通过直接将冗余缓冲区中的数据写入到闪存介质的校验数据逻辑单元，使得冗余缓冲区的数据不需要读出到高速缓存空间，再写入到闪存介质，从而减少读出数据到高速缓存空间的时间，提高了闪存设备的写入性能。
5.奕斯伟“硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质”专利获授权
天眼查显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司近日取得一项名为“硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质”的专利，授权公告号为CN119694918B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2024年12月12日。
本发明提供了一种硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质，属于半导体技术领域。包括：在装有至少一个硅片的载具到达检测设备的上料口的情况下，根据所述检测设备的异常下料口对应的硅片信息，判断所述至少一个硅片是否满足检测条件；在确定所述至少一个硅片满足检测条件的情况下，对所述至少一个硅片进行检测，获得检测结果；根据所述检测结果，对所述至少一个硅片进行处理。本发明的技术方案能够对异常硅片进行及时地自动处理，避免了异常硅片需要人工进一步分类而导致的检测效率低的问题。
