1.彩虹股份、华星光电涉案！美国发布玻璃基板337部分终裁
2.SIA：2月全球半导体销售额达888亿美元，同比增长62%
3.英特尔成功生产全球最薄氮化镓芯片，厚度仅19μm
4.总投资26.5亿元！昭明半导体年产1亿只光子器件项目通线
5.国产晶圆键合设备商矽赫微科技完成新一轮融资
1.彩虹股份、华星光电涉案！美国发布玻璃基板337部分终裁
据中国贸易救济信息网消息，2026年4月8日，美国国际贸易委员会（ITC）发布公告称，对特定用于液晶显示器的玻璃基板及其下游产品和制造此类基板的方法II（调查编码：337-TA-1441）作出337部分终裁：如果本案存在侵权，建议救济措施为对经由列名被告对美出口、在美进口和在美销售的侵权产品发布有限排除令，并就此向公众和利益相关政府机构征求意见，书面材料不晚于2026年5月8日提交。
据悉，2025年1月31日，美国Corning Incorporated of Corning, New York向美国ITC提出337立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国337条款（侵权美国注册专利号7,851,394、8,642,491、8,640,498），请求美国ITC发布有限排除令、禁止令，美国ITC于2025年3月3日投票决定对该案正式启动337调查，而后基于和解，终止该案对列名被告惠科、VIZIO和LG电子的调查。
2025年12月23日，美国ITC发布终裁，即对本案行政法官于2025年12月2日作出的初裁（No.35）不予复审，即基于申请方提出的动议，终止本案对美国注册专利号7,851,394所有权利要求和对美国注册专利号8,642,491第2项权利要求的调查。
中国陕西Caihong Display Devices Co., Ltd., d/b/a Irico Display Devices Co., Ltd. of China彩虹显示器件股份有限公司、美国Hisense USA Corporation of Suwanee, GA、中国广东HKC Corporation Ltd. of China惠科股份有限公司、中国香港HKC Overseas Ltd. of China、美国LG Electronics U.S.A., Inc. of Englewood Cliffs, NJ、中国广东TCL China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. of China TCL华星光电技术有限公司、美国TTE Technology, Inc., d/b/a TCL North America of Irvine, CA、美国VIZIO, Inc. of Irvine, CA、中国陕西Xianyang CaiHong Optoelectronics Technology Co., Ltd. of China咸阳彩虹光电科技有限公司为列名被告。
资料显示，337调查是指美国国际贸易委员会根据美国《1930年关税法》第337节（简称“337条款”），对不公平的进口行为进行调查，并采取制裁措施的做法。如果进口产品侵犯了美国有效的知识产权，该知识产权权利人（无论其是美国企业还是外国企业）可以向ITC提起337调查申请，并要求ITC采取相关救济措施。
2.SIA：2月全球半导体销售额达888亿美元，同比增长62%
Semiconductor Industry Association（SIA）近日宣布，2026年2月全球半导体销售额为888亿美元，较2026年1月的825亿美元环比增长7.6%，较2025年2月的549亿美元同比大幅增长61.8%。
SIA代表了美国半导体行业99%的收入规模，以及全球近三分之二的非美芯片企业。
SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示：“2月份全球芯片销售依然非常强劲，不仅超过1月份水平，也显著高于去年同期。亚太地区、美洲和中国市场的销售均是同比增长的主要驱动力。预计全年全球需求仍将保持强劲，年度销售额有望达到约1万亿美元。”
从区域来看，2026年2月同比销售额在亚太/其他地区（+93.5%）、美洲（+59.2%）、中国（+57.4%）和欧洲（+42.3%）均实现增长，但日本则小幅下降（-0.3%）。环比来看，1月销售额在美洲（+12.6%）、欧洲（+10.2%）、亚太/其他地区（+6.0%）、中国（+3.6%）和日本（+3.0%）均有所增长。
3.英特尔成功生产全球最薄氮化镓芯片，厚度仅19μm
英特尔晶圆代工近日取得一项新的里程碑，成功打造出全球首款也是最薄的氮化镓（GaN）芯片，厚度仅为19微米（μm）。
英特尔凭借其最新成果——全球最薄氮化镓芯片，在紧凑的空间内实现了更高的功率、速度和效率。英特尔晶圆代工团队展示了这款采用300毫米氮化镓硅基晶圆制造的、厚度仅为19微米的首款氮化镓芯片，它将为下一代半导体技术提供指出。
研究人员已成功将GaN晶体管与传统的硅基数字电路集成到单个芯片上，从而无需单独的配套芯片，即可将复杂的计算功能直接构建到功率芯片中。
严格测试证实，这项新型GaN芯片技术极具潜力，能够满足实际部署所需的可靠性标准，从而为从数据中心到下一代5G和6G通信等应用带来更小巧、更高效的电子设备。
该技术在IEEE国际电子器件会议（IEDM）2025上发布，旨在解决现代计算领域最紧迫的挑战之一：如何在日益紧凑的空间内提供更强大的性能、更快的速度和更高的效率。为了满足图形处理器、服务器和无线网络对更高性能的需求，英特尔晶圆代工团队开发了一种超薄氮化镓芯片——其基底硅的厚度仅为19微米，约为人类头发丝宽度的五分之一——以及业界首个完全单片集成的芯片上数字控制电路，所有这些都采用单一的集成制造工艺完成。
这项创新源于现代电子领域的一个根本性难题：如何在更小的空间内集成更强大的功能，同时还要处理更高的功率负载和更快的数据传输速度。传统的硅基技术正接近其物理极限，业界一直在寻求氮化镓等替代材料来弥补这一差距。英特尔晶圆代工将超薄GaN芯片与片上数字控制电路相结合，无需单独的配套芯片，并减少了组件间信号传输过程中的能量损耗。全面的可靠性测试进一步证明，该平台有望成为实际产品的候选方案。
这项技术为多个行业的切实改进打开了大门。在数据中心，GaN芯片的开关速度更快，能耗更低。这将使电压调节器能够做得更小、更高效，并更靠近处理器，从而减少长距离电源传输路径上的电阻损耗；在无线基础设施领域，GaN晶体管的高频性能使其成为射频（RF）前端技术的理想选择，例如未来十年正在开发的5G和6G系统中使用的基站。GaN能够在超过200GHz的频率下高效运行，这使其非常适合下一代网络所依赖的厘米波和毫米波频段。除了网络应用之外，GaN的这些特性也适用于雷达系统、卫星通信以及需要快速电开关来调制光信号的光子应用。
与传统的基于CMOS的硅芯片相比，GaN芯片具有硅芯片在其物理极限下无法比拟的诸多优势。GaN能够提供更高的功率密度，从而在更小的空间内实现更强大的系统——这对于空间受限的应用至关重要，例如数据中心、电动汽车（本质上是移动数据中心）和无线基站的负载点供电。硅芯片在结温高于约150°C时会变得不稳定，这限制了其在高温环境中的应用。
GaN的更宽带隙特性使其能够在更高的温度下稳定运行，从而降低开关过程中的功率损耗，并实现更高效的散热管理，进而减小冷却系统的尺寸和成本。此外，英特尔晶圆代工采用标准的300毫米硅晶圆进行氮化镓（GaN）生产，与现有的硅基制造基础设施兼容，有望减少对重大新投资的需求。
4.总投资26.5亿元！昭明半导体年产1亿只光子器件项目通线
4月8日，昭明半导体“年产1亿只光子器件项目”通线仪式暨订单签约大会在浙江金华浦江经济开发区圆满举行。昭明半导体项目总投资26.5亿元，是浙江省重大产业项目及生产制造方式转型（制造业数字化转型）示范项目之一。
昭明半导体（浙江）有限公司是一家集设计、研发、制造和销售为一体的光子集成芯片制造商，长期专注于光子领域的深耕发展。其产品广泛应用于光纤通信、人工智能、激光雷达、数据中心、5G 基站、物联网、生物医疗等前沿领域。该公司现拥有国家专利 50 余项，并与浙江大学共建了国内首条氮化硅光子芯片中试线，成功实现了光子芯片和生物检测芯片的量产。此外，该公司依托省级研发中心及浙江大学的深度合作，已累计申请百余项核心专利，在薄膜铌酸锂、大功率激光器等高端光子芯片领域完成前瞻性技术储备。
据浦江发布消息，本次通线的光子器件项目，聚焦光子集成这一前沿赛道，建成了业内领先的化合物半导体晶圆产线，覆盖外延、光刻、刻蚀、测试等全流程自主工艺环节，尤其在高速光通信芯片和硅光集成等工艺上取得关键突破，有效解决了多项“卡脖子”技术难题。在量产能力方面，该项目具备年产 1 亿只光子器件的规模化产能，充分满足 5G/6G 通信、数据中心对高速光模块的爆发式需求。通过自动化与数字化产线实现纳米级工艺控制，产品良率和可靠性达到国际一流水平。
仪式现场，昭明与中贝光电、韩国ZEUSIN等6家海内外客户签署订单，并与多家供应商、金融机构达成战略合作。这标志着项目正式从建设阶段转入运营阶段。
5.国产晶圆键合设备商矽赫微科技完成新一轮融资
近日，矽赫微科技（上海）有限公司（简称“SHW”）宣布完成新一轮融资，由元禾璞华领投，合肥领投、哇牛资本、君子兰资本、萨珊资本、曦晨资本、苏高新、东方嘉富及江苏大摩半导体等机构共同参与。本轮融资将用于推动公司晶圆键合设备的客户验证与市场化落地，并持续推进下一代产品研发。
SHW成立于2023年，总部位于上海，专注于晶圆永久键合技术及设备研发，面向先进封装、化合物半导体及新型衬底制造等领域提供高精度设备与解决方案。公司创始人王笑寒博士长期从事半导体设备研发，联合创始人长田厚拥有超过35年行业经验，曾就职于TEL。公司自成立起即面向全球市场，构建国际化研发与销售体系。
作为关键底层工艺，晶圆永久键合可实现不同材料与工艺节点芯片的高可靠集成，但高端混合键合设备长期由海外厂商主导，国产替代空间较大。围绕这一机遇，SHW已布局五大核心装备体系，包括XOI复合衬底全自动键合设备、全自动混合键合设备、BSPDN全自动键合设备、高真空异质键合设备及D2W混合键合表面处理系统，并配套开发检测与退火设备，覆盖4至12英寸晶圆应用。公司自主研发的IFB键合技术，通过等离子体工艺同时去除氧化层并保持界面平整，实现高效率与高质量键合，已在衬底生产中应用，未来将拓展至混合键合场景。
目前，公司多款设备已进入客户验证阶段：XOI设备于2026年3月交付验证，混合键合设备已完成12英寸样机并开展联合优化，BSPDN设备计划2026年6月启动打样，高真空异质键合设备年内完成样机并部分发往日本验证。公司已与多家晶圆厂及科研机构达成合作，并获得客户在精度与稳定性方面的认可。
