武汉新芯“图像传感器及其制作方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，武汉新芯集成电路制造有限公司近日取得一项名为“图像传感器及其制作方法”的专利，授权公告号为CN112397539B，授权公告日为2024年4月16日，申请日为2020年11月13日。

本发明提供的图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底上分布有若干像素单元，像素单元位于衬底内的第一类型阱区中；刻蚀衬底，形成位于相邻的所述像素单元之间的隔离沟槽；对隔离沟槽的周圈衬底进行第二类型的离子注入，第二类型的离子与第一类型阱区中的离子形成PN结；隔离层填充隔离沟槽。像素单元之间的隔离将深沟槽隔离（DTI）与离子注入形成PN结隔离相结合，在隔离沟槽的周圈衬底内形成PN结，阻挡隔离沟槽附近因缺陷产生的载流子自由进入读取区和感光区，减小暗电流的同时具有良好的电性和光学隔离效果，并且减小了隔离区的面积，提高了图像传感器的芯片面积利用率。