据报道，三星电子计划在韩国京畿道龙仁市器兴园区建设一座生产2纳米和4纳米级芯片的晶圆代工厂，以扩大用于高带宽内存（HBM）的逻辑基础裸片产能。
报道称，该晶圆厂预计投资约25万亿韩元（约合186亿美元）。如果将现有生产线改建为先进封装设施，整个项目投资规模可能达到30万亿韩元。
这项名为“Kairos”的项目，旨在应对人工智能数据中心需求增长带来的HBM基础裸片需求。三星目前分别在华城和平泽园区生产HBM4 DRAM核心裸片，并在这两个园区的部分晶圆代工生产线上制造4纳米逻辑基础裸片。新建的器兴晶圆厂投产后，有望在扩大核心裸片产能的同时，提升基础裸片供应能力。
Kairos项目相关建设已经启动。三星E&A 10月29日披露，该公司获得一份价值4071亿韩元的合同，负责Kairos综合建筑、绿色建筑及变电站的结构施工。合同期限为2026年9月14日至2028年12月31日，但目前尚未公布半导体设备安装时间及正式投产日期。
三星最新财报也显示，先进晶圆代工产能的需求正在增加。该公司第三季度晶圆代工业务营收和利润均有所改善，主要受HBM基础裸片销量增长及先进制程销售增加推动。三星还获得了包括大型超大规模云服务商在内的客户追加订单，涉及2纳米高性能计算芯片。公司预计，4纳米和2纳米制程将推动晶圆代工业务营收在2027年增长。
以晶圆代工为主，保留存储芯片选项
按照规划，Kairos将分四个阶段建设，选址位于三星先进技术研究院SR5研究大楼及内部工程学院原址。相关建筑的拆除工作已于10月完成。
据报道，三星已经为采购数十台极紫外（EUV）光刻机编制预算，设备总价值约为8万亿至10万亿韩元。若加上洁净室和其他制造设备，项目设备投资可能超过20万亿韩元。三星尚未公开确认该晶圆厂的具体制程节点或投资金额。
韩国《金融新闻》另报道称，三星计划首先将Kairos建设为晶圆代工厂，同时保留未来改建为存储芯片生产设施的选择。该地块原本被考虑用于建设新的研发设施，三星也曾评估过在此建设DRAM生产线，之后据报决定优先采用晶圆代工方案。
这一设计将使三星能够根据先进逻辑芯片和存储芯片的市场需求变化调整设施用途。不过，若未来进行产线转换，仍需要追加设备投资并调整生产工艺。
此外，三星计划到2030年向器兴园区的NRD-K半导体研发综合体投资约20万亿韩元。这笔投资与Kairos项目的预计投资规模相互独立。
HBM基础裸片需求推动扩张
三星于2026年2月开始量产HBM4，采用第六代10纳米级（1c）DRAM制程和4纳米逻辑基础裸片；同年5月，公司开始向客户交付HBM4E样品，产品同样采用4纳米基础裸片。
三星计划将其2纳米全环绕栅极（GAA）晶圆代工制程用于HBM5基础裸片。三星晶圆代工业务技术开发负责人Koo Ja-heum于7月介绍，公司将采用这一先进制程，以提升下一代产品的性能和能效。器兴园区拟新增的2纳米产能，预计将为下一代HBM产品提供支持。
Kairos项目还包括改造器兴园区第6号生产线的部分产能。该生产线目前使用8英寸晶圆生产成熟制程半导体，改造后将增加先进封装能力，与新建晶圆代工产能形成配套。
三星据报还计划在美国增加HBM基础裸片产能。路透社11月3日援引韩国《每日经济》报道称，三星计划在得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产HBM基础裸片，目标是在2030年实现量产。三星拒绝对这一报道置评。
