据报道 ，苹果正在开发用于下一代有机发光二极管（OLED）面板的高迁移率氧化物（HMO）技术。苹果在HMO 技术研发过程中，优先研究沿用现有溅射工艺的方案。ALD 在薄膜精度与特性控制方面具备优势，但设备和材料成本高昂，因此苹果正考察成本压力更小的溅射方案的可行性。
HMO 被视作未来 MacBook、iMac 等高端 IT 设备高分辨率 OLED 面板的备选技术。目前高端 OLED 普遍采用低温多晶硅氧化物（LTPO）技术，同时搭配硅与氧化物半导体。如果 HMO 性能达到足够水平，部分硅工艺可以由氧化物替代。此举能够简化制造工序、降低生产成本。
三星显示在研发基于溅射的 HMO 技术的同时，也在验证 ALD 方案，目前正验证能否在大尺寸基板上满足苹果要求的电子迁移率与可靠性。LG 显示同样在 6 代中小尺寸 OLED 产线上开发基于溅射的 HMO 技术，同时并行开展 ALD 相关研究。去年，LG 显示在 ALD 制备的氧化物薄膜晶体管（TFT）上实现约 40cm²/Vs 的电子迁移率，并展出搭载该器件的 OLED 样品。不过考虑到新增设备投资压力，该公司重心偏向复用现有溅射设备的路线。
溅射与 ALD 都是用来制备 TFT 超薄半导体层的沉积工艺。溅射是利用等离子体轰击固体靶材，使原子脱离并沉积到基板上的工艺，可以复用现有 OLED 产线设备；缺点是需要优化材料组分与薄膜结构，才能同时实现高迁移率与可靠性。ALD 依靠气态前驱体，以原子层级别逐层沉积薄膜，能够精准控制厚度与组分，利于保障半导体层电学特性与稳定性，但设备、前驱体原料成本较高。
