据业内消息，三星电子正对其先进制程产能进行新一轮调配：下一代移动基带M2800将改用2nm工艺生产，由此腾出的4nm产能将主要投向HBM基础裸片（base die）——即位于HBM堆栈底部、承担控制功能的底层芯片。
韩国媒体The Elec援引业内消息人士报道称，三星System LSI已决定采用2nm工艺制造外挂式5G基带M2800，预计2027年完成开发。该基带将搭载于定于2028年发布的Galaxy S28系列，与下一代Exynos 2800以双芯片配置协同工作。
基带上探2nm之后，三星计划把释放出的4nm产能集中转向HBM。报道援引业内消息报道称，三星代工4nm总产能中已有过半分配给HBM4基础裸片；部分业内人士估计占比在50%至60%之间，不过三星官方尚未披露具体数字。
在此之前，基带制程仍在4nm上过渡：2027年Galaxy S27系列所用的M2700将继续采用4nm工艺，与Exynos 2700搭配；2026年Galaxy S26所用的外挂基带Shannon 5410同样基于4nm。其中，韩国版Galaxy S26标准版与Plus版采用Exynos 2600搭配Exynos Modem 5410的组合，美国版则搭载骁龙8 Elite Gen 5。
虽同为4nm工艺，据报道M2700在三星移动部门（MX）的内部测试中获得了不错评价，与前代表现有所不同。消息称，三星对基带的设计与软件进行了调整，以提升能效与数据传输速率，并引入光学收缩（optical shrink）技术——在同一工艺节点内等比缩小掩膜尺寸，使芯片面积缩小约4%。此外，M2700支持的3GPP标准将从Release 17升级至Release 18，同时强化非地面网络（NTN）能力。
