ISTFA 2026（第52届国际测试与失效分析研讨会，International Symposium for Testing and Failure Analysis）是全球微电子失效分析（FA）领域最权威的年度行业盛会。今年此次盛会于2026年10月4–8日在美国德克萨斯州圣安东尼奥，亨利·B·冈萨雷斯会议中心（Henry B. Gonzalez Convention Center）隆重召开。
大会主题为面向分析的设计（Design for Analysis），主办机构是国际材料信息学会（ASM International）旗下的电子器件失效分析协会（EDFAS）。 大会聚集了全球半导体与微电子领域的顶尖的专家、学者、工程师和设备厂商，共同探讨当下以及未来半导体芯片与器件的失效分析机制。本次会议的核心探讨方向与技术主题包括：人工智能（AI）在失效分析中的应用、新兴 FA 技术与新概念晶圆级与封装级缺陷定位（Fault Isolation）、系统级封装（SiP）与 3D 堆叠器件分析、宽禁带功率器件（如 SiC、GaN 等新材料）、聚焦离子束（FIB）电路修改及样品制备、先进显微镜分析与材料表征技术等等。
此次大会的主要议程和活动模块精彩而丰富，包括：技术演讲与主题报告（Technical Program），邀请了众多的行业大咖分享最新的失效分析案例与行业工作流；教学工作坊（Education Workshops），提供了从电学定位到物理失效分析（PFA）的基础与理论教学；行业展览（Tools of the Trade），世界各大知名仪器与方案厂商，如赛默飞（ThermoFisher）、蔡司（Zeiss）、牛津仪器（Oxford Instruments）等展示了最新的高端测试仪器和设备等等。
在本次会议上，胜科纳米发表了两篇学术论文，分别是：
1. Studies of Galvanic Corrosion on Al Bondpads in Wafer Fabrication and Assembly Processes.
作者：Younan Hua，Lois Liao, Lei Zhu and Xiaomin Li
该论文探讨了含Al–Cu（0.5 at% Cu）金属层的铝焊盘上电偶腐蚀的特征及失效机理。尽管电偶腐蚀问题已经被重视和研究了多年，但在晶圆制造和封装厂中仍时有发生，困扰晶圆制造、封装测试和失效分析工程团队。研究重点关注了三个困扰点：A. 电偶腐蚀是否与污染有关？B. 电偶腐蚀到底是起源于晶圆制造厂还是封装测试工艺？C. 起源于晶圆制造厂的缺陷与起源于封装测试工艺的缺陷在特征上有何不同？
研究结果为半导体界和工程团队提供了明确的标准，用以识别电偶腐蚀的根本原因，并在晶圆制造和封装测试工艺中将其消除，从而大大提升了晶圆的质量和良率。
2. Failure Model Identification of GOI Failure in Wafer Fabrication.
作者：Younan Hua
在半导体晶圆制造的前端工艺中，栅氧化层完整性失效（GOI）的失效分析至关重要。失效分析工程师必须要快速、准确地判断栅氧化层完整性失效是由污染引起的，还是由等离子体诱导损伤（PID）引起的。这一判断直接指导后续分析方法的选择和快速找到失效原因。该论文提出了一种用于晶圆厂中栅氧化层完整性失效的快速识别方法，即通过化学Wright Etch刻蚀与扫描电子显微镜观测硅缺陷的形貌及结晶性，来判断失效模型：到底是污染引起的失效，还是PID 引起的失效。由此确立了一条清晰的诊断步骤, 从而提升了失效分析的准确性、效率与成功率，同时大大降低失效分析成本。
未来，胜科纳米将不断拓展在失效分析方法和机理的研究，同时持续探索高标准AI智能化实验室产线，推动半导体Labless产业协作，与全球同行一道共同书写AI时代半导体分析的新篇章。我们的分析是为了您的成功（Our analysis is for your success）。
