9月21日晚间，银河微电发布公告，拟以自有或自筹资金10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。该项目旨在提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，扩大生产规模。
项目所涉产品为采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景的功率分立器件与第三代半导体器件。主要产品包括SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。这些产品具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命等特点。
银河微电表示，该项目实施符合公司整体发展战略，将有助于丰富产品系列，扩大产品市场覆盖范围，为公司创建新的营收增长点，提高盈利能力和竞争力。同时有利于提升产品供给能力和系统方案交付能力，深化与上下游企业的合作关系，巩固和提升市场地位，对促进公司长期稳定发展具有重要意义。
与传统消费类器件相比，该项目聚焦高端功率分立器件与第三代半导体器件，面向高可靠性要求场景。项目实施后，公司将深化在新能源汽车、储能、工业等领域的布局，进一步扩大高端产品产能。
（校对/李正操）
