在AI算力需求爆发和数据中心扩张的双重驱动下,存储芯片已超越逻辑芯片和晶圆代工,成为全球半导体产业增长最快的细分领域。2025年,全球存储芯片市场规模首次超越晶圆代工,成为半导体产业的“一哥”。当前存储产业正处于政策驱动与需求爆发的双重红利期。美国出口管制持续升级,国产替代已从“可选项”变为“必选项”。
近日,集微咨询(JW Insights)正式发布《2026年存储行业研究报告》(以下简称《报告》),从存储芯片市场概况、存储技术发展趋势、存储产业链分析、AI驱动的存储产业变革、政策环境与国产化进展、产业图谱六大方向切入,全景扫描全球及国内存储产业现状,解读 AI 算力带动的存储结构性机会,复盘国产化落地情况,并绘制覆盖上下游主体的完整产业图谱,为产业界与投资界提供全链路的年度参考。
以下是《报告》内容精选:
存储产业步入“超级增长周期” 中国市场迎来结构性机遇
全球存储产业正经历AI驱动的“超级增长周期”,市场规模实现跨越式增长。根据TrendForce数据,2026年全球存储市场规模达5,516亿美元,2027年进一步增至8,427亿美元,2025-2027年年化增速达89.2%。WSTS预测2026年全球集成电路市场规模接近翻倍,其中存储器市场规模同比大增约249.5%。存储芯片收入将占全球半导体总营收的50%以上,历史性地超越逻辑芯片成为半导体产业第一大品类。

中国市场方面,2024年全球存储产能中中国占24%(韩国占45%)。2026年中国存储市场规模约1,000亿美元,占全球18%,既是最大生产基地也是核心消费市场。2025年中国存储芯片相关企业注册量同比激增41.4%。中国企业级SSD市场2024年规模达62.5亿美元,同比大增187.9%,占硬盘驱动器市场比重从58.3%升至79.8%,2024-2029年复合增速达22.7%。
存储产业链拆解:上游国产化持续爬坡,中、下游本土厂商多点突破
《报告》指出,存储芯片产业链可分为上游支撑、中游制造和下游应用三大环节。上游包括半导体材料、设备和EDA/IP,是产业发展的基础;中游涵盖芯片设计、晶圆制造和封装测试,是产业链核心环节;下游为模组制造、系统集成和终端应用,直接面向市场。
上游环节包括半导体材料(硅片、电子特气、光刻胶、CMP抛光材料、湿电子化学品等)、半导体设备(光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备等)以及EDA软件和IP核。当前国产化率偏低,核心设备、特种材料及底层专利生态仍存在显著代差。半导体设备国产化率正从20%-30%稳步向50%-60%迈进。

中游是存储产业链核心环节,包括芯片设计、晶圆制造和封装测试。存储芯片制造主要采用IDM模式,长江存储和长鑫存储为国内两大IDM龙头。中芯国际提供28nm及以上成熟工艺代工配套,华虹半导体覆盖90nm-28nm特色工艺。
芯片设计方面,澜起科技DDR5内存接口芯片全球同步领先,支持8000Mbps;兆易创新NOR Flash国内第一,利基DRAM量产;紫光国芯推出CXL主控芯片和第四代SeDRAM 3D堆叠技术;北京君正在车规级SRAM/DRAM领域占据全球重要份额;国科微SSD控制器芯片支持PCIe 4.0,读写超7000MB/s。
下游环节包括存储模组制造、封测服务和系统集成。模组企业方面,江波龙是国内第三方存储模组龙头,2025年前三季度营收167.34亿元(+26.12%);佰维存储覆盖嵌入式存储和PCIe SSD模组,AI服务器CXL内存验证中;香农芯创为企业级SSD龙头,与SK海力士深度合作,2025年营收增50%;大普微专注企业级SSD,支持PCIe 4.0/5.0;德明利自研SSD主控芯片,实现全国产化工业级SSD。
封测企业方面,长电科技作为全球领先封测企业,2025年上半年存储业务收入增长150%;通富微电绑定长鑫存储,成为DRAM封测核心供应商;深科技提供存储芯片封测和模组代工综合服务。先进封装方面,HBM的2.5D/3D封装由IDM(三星、长鑫)与Foundry(台积电、中芯国际)占据90%以上份额,盛合晶微、通富微电、长电科技等大陆厂商在中端先进封装市场占有一定份额。
国家支持力度不断加大 国产存储双雄“狂飙”
国家层面对存储产业支持力度持续加大。税收优惠方面,线宽小于28nm的存储企业可享受十年免征企业所得税。十五五新型算力基础设施投资预计超5万亿元,存储作为算力底座获重点支持。国家集成电路产业投资基金三期已完成募资,规模超3,000亿元,重点投向存储芯片、先进制程和半导体设备。2026年7月,工信部、国家发改委等七部委联合印发《2026-2028年全国算力基础设施建设行动方案》,工信部明确提出国内DRAM、NAND的自给率提升目标。
地方层面,上海、北京、合肥等半导体产业集聚地出台存储产业专项补贴政策,对长鑫存储、长江存储等龙头企业的产能扩建项目给予高额度设备补贴,对存储芯片设计企业的研发投入给予大幅税收优惠。2026年全球九大云厂商资本开支达8,300亿美元(同比+79%),进一步拉动存储需求。
从国产双雄进展来看,长鑫存储2026年Q1营收508亿元(同比+719.13%),归母净利润247.62亿元。Q2全球DRAM份额首达10%,营业利润率82%居全球第一。芯片核心性能与国际一线产品差距不足5%。5月27日科创板IPO过会,拟募资 295亿元。正加速推进HBM3样品研发,预计2026-2027年量产,有望成为全球第四家HBM供应商。
长江存储2026年Q1营收超200亿元(同比+100%),全球NAND份额13%-15%跃居第三,已启动IPO辅导。自研Xtacking架构实现294层3D NAND量产,向400层突破。三星电子已与长江存储签署混合键合技术专利许可协议,标志着国产存储技术获得国际认可。

目前,《2026年存储行业研究报告》已在集微网官网与APP正式上线,欢迎登录集微网官网或集微APP,在首页点击“集微报告”栏目,即可进行订购。