1. 长江存储，IPO审核状态变更为“已问询”
2. 合资与出海双线突破，地平线商业模式迎来质变，征程7蓄势待发
3. 群联潘健成：AI需求才刚起跑，将消耗半导体产能二三十年
4.北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展
5.三星联手Arm开发下一代端侧AI芯片，OpenAI或成首批客户
6.华为何庭波再更新韬定律论文！麒麟2026实测数据公布
1. 长江存储，IPO审核状态变更为“已问询”
9月3日晚，长江存储控股股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的IPO审核状态变更为“已问询”。
长江存储招股说明书显示，自2024年扭亏后盈利水平快速提升，2026年1—3月实现营业收入470.42亿元、归母净利润333.79亿元。根据TrendForce数据计算，2026年1—3月公司在全球NANDFlash厂商按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。
2. 合资与出海双线突破，地平线商业模式迎来质变，征程7蓄势待发
8月31日，地平线（09660.HK）发布截至2026年上半年业绩公告。在中国乘用车零售销量同比下降20.2%的行业寒冬中，地平线交出了一份营收稳健增长、市场份额逆势攀升、商业模式加速兑现的答卷。尽管经营层面仍处亏损，但战略卡位与商业模式的独特性正在逐步显现。
毛利率维持66%高位，账面实现非经营性扭亏
从核心财务数据来看，2026年上半年地平线持续经营业务实现客户合同收入20.55亿元，同比增长32.9%，实现毛利13.56亿元，同比增长32.9%，综合毛利率稳定在66%，与去年同期持平。收入端的稳健增长得益于产品解决方案的总交付量及平均售价双双提升，以及授权及服务业务受益于向广泛客户群授权底层技术所带来的收入激增。
账面利润实现了从去年同期亏损52.33亿元到本期盈利37.84亿元的惊人扭亏，这一转变主要由两大非经营性因素驱动。
其一是金融负债公允价值变动收益52.41亿元，主要来自向大众旗下CARIAD发行的可转换借款因股价波动产生的公允价值变动。
其二是终止合并地瓜机器人的一次性收益27.79亿元，自2026年3月31日起地瓜机器人不再并表，重新分类为联营公司，公司确认了所持留存投资公允价值与分占负债净额账面值之间的差额。
在剔除上述非现金及非经常性因素后，经调整亏损净额由去年同期的13.33亿元扩大至16.71亿元，反映公司在研发端的持续高强度投入。持续经营业务经营亏损也从去年同期的15.04亿元扩大至16.72亿元，亏损绝对规模同比增加11.1%。
在成本费用端，销售成本为6.99亿元，同比增长33.0%，与收入增速基本匹配。研发开支达27.55亿元，同比增长21.9%，超过同期收入规模，主要源于云服务相关费用的增加，但以股份为基础的支付开支减少对增幅略有抵消。行政开支同比增长18.1%至3.28亿元，销售及营销开支同比增长41.4%至3.54亿元，反映公司加大业务拓展和品牌推广力度。
值得关注的是，金融资产减值亏损净额从去年同期的0.15亿元大幅跃升至0.77亿元，增幅达421.4%，主要因公司向若干早期先锋客户提供优惠信用条款，导致贸易应收款项账龄结构延长，预期信用损失拨备相应增加。
授权服务反超产品，平台型商业模式加速兑现
在业务结构层面，报告期内授权及服务业务超过产品解决方案收入，成为第一大收入来源。
授权及服务业务实现收入11.29亿元，同比增长52.7%，毛利率高达90.4%。地平线通过“ARM+Android”模式向客户授权BPU智能计算架构、AI基座模型及工具链等底层技术，支持客户进行自主开发，这种平台型商业模式的开放性与可扩展性正在加速释放。“授权收入先到、芯片放量后至”的特征在报告期内充分体现，部分客户的开发费和授权费先于车型大规模装车进入报表，大众酷睿程及国际头部Tier 1等客户的贡献尤为显著。
产品解决方案实现收入9.26亿元，同比增长14.8%，征程系列芯片出货量逆市增长12.1%至221.8万套。但产品解决方案的毛利率从44.2%收窄至36.2%，管理层解释这主要是由于为加速HSD全场景智能驾驶解决方案在早期客户中的量产部署，公司策略性地向若干客户提供自动驾驶域控制器及其他整合产品设备单元，非核心元件及制造成本仅收取象征性加价。若剔除该影响，产品解决方案经调整毛利率为48.1%，较2025年同期经相应调整的毛利率45.2%高出约3个百分点，反映核心硬件与软件算法的实际价值仍在稳步提升。
ADAS首破50%，城区NOA跃居第二
市场份额的持续攀升是地平线这份业绩中最具说服力的部分。根据乘联分会统计数据，2026年上半年中国乘用车整体智能辅助驾驶渗透率已达到76.1%，较2025年全年水平进一步提升8.5个百分点，其中自主品牌车企以73.4%的渗透率成为最主要推动力，较2025年全年水平大幅提升11.9个百分点。在这一行业趋势下，地平线多项市场份额指标创下新高。
在自主品牌乘用车ADAS解决方案市场，地平线的市场份额达到50.02%，首次突破半数并创下历史新高，约为排名第二名的两倍，在该细分市场确立了绝对领先地位。ADAS基础市场作为地平线规模化上量和客户导入的核心入口，这一领先优势为向更广泛客户渗透中高阶方案奠定了坚实基础。
在增速最快的城区NOA赛道，报告期内搭载中高阶智能辅助驾驶功能的车型占全部智能汽车新车销量的比重持续攀升至46.8%，其中城区NOA占AD的比重已达到64.1%，取代高速NOA成为增长的主要驱动力。地平线支持城区NOA功能的计算平台在自主品牌乘用车市场的份额由2025年的17.9%提升至22.8%，排名由第三位跃升至第二位，目前仅次于一家美国科技公司，两家合计占据超过60%的市场份额，头部集中格局进一步凸显。
在整体智驾计算平台市场，地平线占据自主品牌合计市场份额的31.9%，稳居行业第一。
合资突破与出海提速打开增长空间
客户结构的优化同样值得关注，合资品牌的突破与出海业务的提速共同打开了新的增长空间。在过去24个月中，合资车企的市场份额逐步企稳于约35%的水平，其中以大众市场品牌占据大部分份额。随着合资阵营智能化升级的需求日益迫切，地平线通过与博世、电装、酷睿程、智驾新程、安斯泰莫等全球领先的一级供应商紧密协作，已广泛切入合资车企的核心供应体系。
在合资市场，地平线与大众的合作持续深化。报告期内，地平线与大众旗下CARIAD的合资公司酷睿程基于征程6系列芯片和核心知识产权打造的全场景高级辅助驾驶方案已进入量产阶段，将搭载于大众集团在华三家合资企业的七款全新电动化车型，计划自2027年起拓展至更广泛的CEA架构产品矩阵，双方合作深度与广度持续延展。在丰田方面，征程6B芯片在广汽丰田车型上实现全球首发量产，标志着地平线在丰田在华合资车型上的首个量产项目正式落地，充分验证了产品在日系车企严苛体系下的适配能力和质量稳定性，为持续开拓合资客户群体奠定了坚实基础。
在出口市场，2026年上半年中国汽车整车出口同比增长65.3%，创下历史新高，出口量前六大车企合计份额超过70%，地平线已通过系列生态合作伙伴实现了对全部六家头部出口车企的车型覆盖。截至目前，公司已累计获得超过60款出口车型定点，其中多款车型已搭载具备中高阶智驾能力的硬件平台，充分彰显了在出海赛道的卡位优势。
研发投入与产品前瞻：面向未来的技术储备
高强度研发投入仍然是地平线经营亏损的核心原因，但也是其面向高阶自动驾驶时代最重要的战略布局。报告期内研发开支达27.55亿元，同比增长21.9%，主要投入AI基座模型、HSD系统迭代升级及云服务基础设施。公司深信AI基座模型是支持HSD未来实现更优表现、通往有条件自动驾驶和高度自动驾驶能力、进一步赋能千行百业的核心技术底座，因此在报告期内持续对该等核心技术进行高额投入。
全场景智能驾驶解决方案HSD V2.0于报告期内正式发布，该版本基于世界模型加端到端强化学习的模型升级，对智驾体验、行泊能力、全维避险、交互个性化实现了全面提升，上线后终端用户反响积极，HSD智能辅助驾驶活跃用户占比超过88%，表明具有优质表现的智驾产品正在赢得终端消费者的认可并在日常出行中获得高频使用。
在新产品规划方面，面向舱驾融合的整车智能解决方案将座舱与智驾能力于单个整车智能底座上深度协同，有望进一步提升整车智能化水平并优化系统成本结构，预计于2026年第四季度进入量产。
面向有条件自动驾驶和高度自动驾驶应用场景的新一代战略级SoC征程7研发进展顺利，在架构设计层面实现了多项技术突破，除计算能力较上一代产品显著提升外，还针对下一代更大参数量的HSD智能驾驶模型及座舱智能体模型的端侧部署进行了原生优化，预计于2027年第二季度初完成流片。
此外，随着中国智能网联汽车相关强制性国家标准的正式发布，公司计划于2026年内与一家领先的零售科技与供应链巨头启动L4级Robotaxi试验项目，进一步验证拓展底层技术在高阶自动驾驶场景的应用潜力。
结语
总体来看，地平线2026年上半年展现出的是一家营收高增长、市场份额持续扩张但高研发投入仍在持续的成长型科技企业的典型面貌。
账面利润的扭亏主要依赖非经营性因素，而非主业盈利能力的根本改善，但“芯片硬件出货加底层技术授权”的双轮驱动模式已经初步跑通，授权及服务业务过半的收入占比和90%以上的毛利率为该模式的高弹性提供了有力佐证。
ADAS市场50%的份额为规模化收入奠定了客户基础，城区NOA份额的跃升验证了在最高速增长赛道上的进攻能力，合资品牌的突破与出海业务的提速则打开了更为广阔的全球市场空间。与此同时，征程7的流片节奏、HSD方案的规模化交付进展以及经调整亏损能否持续收窄，将是衡量公司能否按期实现2028年前后盈亏平衡目标的关键观察变量。
3. 群联潘健成：AI需求才刚起跑，将消耗半导体产能二三十年
AI持续拉动存储芯片需求升温，群联执行长潘健成在9月4日表示，近期刚与两家NAND Flash原厂开会，对方均直言“明年的供应缺口到底有多大，现在根本算不出来”，可见闪存供给依然相当吃紧。因此，市场不必再争论Flash会不会缺货，真正关键是在供需紧张的局面下，“谁有能力拿到更多资源”，这才会决定企业未来的竞争力。
潘健成指出，AI带动的半导体需求才刚刚开始。以台积电持续扩产AI相关产能来看，未来更多AI芯片出货，必然会同步推高DRAM和Flash的用量。
他以产业发展历程作比：PC发展了几十年，手机问世超过20年后至今仍在消耗大量半导体产能；而生成式AI从兴起到现在不过四年左右，当前云端AI仍在高速增长，边缘侧（本地端）AI甚至还没有真正全面铺开。
他强调，未来AI对半导体产能的消耗可能延续二三十年，不会因为存储原厂扩产，就在一两年内迅速转为供过于求。
他进一步说，中国大陆、韩国、日本及美国的存储厂商目前都在积极增加投资，在高毛利环境下扩产本就是必然选择，但需求端也在同步增长，不能单凭新增产能就判断供需即将反转。
针对近期存储芯片价格涨势放缓，潘健成认为反而是“好事”。因为Flash零组件价格从底部回升以来，部分品类已大涨数倍，如果价格继续快速飙升，会对消费端终端市场造成更大压力，合理的价格环境反而有利于产业长期健康发展。
他还预计，未来六个月，存储原厂与模组厂商之间的业绩差距会逐步拉大，关键取决于各家过去在研发投入方向及产品组合上的差异。其中，企业级和AI相关应用的需求一路看到明年、后年，当前仍然非常强劲。
在库存策略方面，潘健成透露，今年目标是尽可能保持每月月底的库存总量稳定，以确保后续的供货能力不受影响。
4.北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储（CXMT）为代表的本土存储芯片厂商开辟一条规避制裁的新路径。
在传统存储芯片制造中，EUV光刻机主要用于在二维平面上雕刻极其精细的电路纹路与微观图案。由于缺乏EUV设备，单纯依赖深紫外（DUV）设备在水平维度上缩小线宽会遭遇物理与工艺层面的多重制约。3D DRAM被普遍视为DRAM技术演进的下一阶段，其核心理念正是转向垂直制造架构，通过层层堆叠晶体管来显著提高存储单元密度，正如NAND闪存此前向3D堆叠演进一样。
北方华创在论文中阐述的方案针对硅（Si）与硅锗（SiGe）交替堆叠的64层3D DRAM结构。在这一制造流程中，Si与SiGe薄膜交替沉积，随后需要将SiGe层精准刻蚀剥离，在留下的Si层间空隙中构建字线、位线和栅极等微观结构。然而，高深宽比结构下的横向选择性刻蚀一直是行业难题，极易引发两大缺陷：一是刻蚀选择比不足导致硅骨架受损，二是微负载效应造成底部反应产物与杂质沉积堆积，导致各层刻蚀严重不均匀。
为化解这一工程挑战，北方华创设计了一种两步循环刻蚀技术。第一阶段，设备利用无偏置的电中性氟自由基对SiGe层进行定点刻蚀，该反应材料对SiGe表现出极高选择性，并在硅层表面形成一层细密的氟化锗保护膜，从而最大限度隔绝硅层遭受侵蚀。第二阶段再引入反应气体清理底部的副产物沉积，确保刻蚀气体能够在垂直方向上顺畅流动并实现纵深穿透。
根据北方华创披露的数据，该工艺实现了超过500:1的SiGe与Si刻蚀选择比，意味着刻蚀SiGe的速度比硅层快500倍以上；在厚度为200纳米的夹层结构中，硅层的单次损耗控制在10埃（1纳米）以内。更为关键的是，论文指出该工艺在跨越64对交替层堆叠的结构中实现了超过95%的结构均匀度，即使在最底层的结构厚度也能达到至少190纳米，有效消除了纵深刻蚀不均的顽疾。
这一工艺的成型，意味着中国芯片制造业正逐步搭建起绕开前道光刻壁垒的工艺工具箱。业界分析认为，长鑫存储若能将北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺整合至产线中，将大幅提升其向3D DRAM自主量产演进的可行性，在不必依赖西方极紫外光刻机的前提下持续提升产品密度与性能，从而在全球存储芯片产业格局重塑中占据更具弹性的竞争地位。（来源： cnbeta）
5.三星联手Arm开发下一代端侧AI芯片，OpenAI或成首批客户
日前，数码博主爆料称，三星电子正与芯片架构设计公司Arm联合研发下一代端侧AI芯片，双方已签署合作协议，正式启动面向设备端人工智能（Edge AI）的系统级芯片（SoC）开发项目。据悉，Arm已批准该项目所需的自然资源工程（NRE）资金，合作进入实质推进阶段。
据悉，双方此次采用有限使用许可（LUL）协议。在具体分工上，芯片将基于Arm的AIC（AI加速器）架构和RTL代码进行开发，由三星电子System LSI事业部负责SoC的整体设计；制造环节则交由三星晶圆代工事业部，采用其2nm制程工艺量产。Arm作为技术合作伙伴，将提供设计支持并协同管理项目进度，而三星则承担芯片的最终制造与交付工作。
这款芯片主要面向端侧AI场景，旨在减轻中央云端数据处理负担，提升终端设备的本地计算效率。业内分析认为，正在积极布局边缘设备生态的OpenAI是该定制芯片的重要潜在客户。
对三星而言，此次联合开发不仅有助于打通其芯片设计与代工业务之间的内部协同，还能积累2nm工艺在端侧AI领域的大规模量产经验，为后续争取更多高阶AI芯片订单铺平道路。
6.华为何庭波再更新韬定律论文！麒麟2026实测数据公布
关于韬定律，华为半导体负责人何庭波9月4日在中科院科技论文预发布平台ChinaXiv，再次发布相关论文《Huawei's τ Chip Was Supposed to Melt?》，提到热量是韬定律最棘手的隐忧，而麒麟芯片实测结果，颠覆了这一质疑。该论文详细披露了τ（韬）定律的底层原理，并且放出麒麟2026芯片的实测数据。
数据显示，麒麟2026的芯片晶体管密度从约每平方毫米1.55亿提升到2.38亿个，跃升55%。
按照行业固有认知，晶体管密度大幅提升，功率密度、芯片温度必然随之飙升，但实测结果截然相反。在同等性能的测试条件下，对比前代平面架构麒麟9030 Pro，麒麟2026的NPU功耗下降66%，GPU功耗下降58%，CPU性能大核功耗下降41%，在晶体管数量暴涨的同时，完成同等工作的芯片工作温度更低。
论文解释了反常识的核心原因：芯片绝大部分能耗，并非消耗在晶体管本身的计算运算上，而是消耗在金属走线的数据搬运，如同上班族通勤的能量消耗远大于工位办公。逻辑折叠大幅缩短信号走线长度，直接削减占据功耗大头的互连电容开销。走线缩短带来电容层面的功耗缩减，同时走线变短后，电路可以进一步降低工作电压；动态功耗与电压平方成正比，由此带来幅度更大的功耗收益。
论文也指出，τ是时间缩放定律，不等于天然低功耗。折叠架构既可以低电压低温运行，也可以拉高频率换取更强性能，低温是工程师主动做出的取舍，并非技术自带效果。迭代不会停止，每一代芯片拿到折叠带来的时间裕量之后，再将其转化为功耗或者性能收益，循环往复，持续推动芯片进步。
此前在7月份，华为半导体业务部总裁何庭波在中国科学院科技论文预发布平台ChinaXiv上更新了其署名论文《面向多层级电子系统的时间缩微理论》，即“韬（τ）定律”V2版本。距V1首发仅过去40天左右，“韬定律”便完成了从理论框架到工程实证的跨越。截至发稿，论文点击量已超28.8万次，下载量超6万次。
据悉，V2版本的最大突破，是首次公开了量产芯片的实测数据。何庭波此前在接受采访时表示，这是第一个完整的“韬芯片”，相比2025年的提升是“跳跃性”的。据透露，麒麟2026和2027均已完成流片。今年秋季，搭载麒麟2026芯片的新机将正式问世。
