8月21日，据韩媒报道，SK海力士正积极筹划一项重大海外扩张计划——拟在日本东北部宫城县建设一座存储芯片生产基地，投资规模预计达数十万亿韩元。若最终落地，这将是韩国半导体企业在日本设立大规模本地生产设施的首个案例，具有标志性意义。
据悉，SK集团会长崔泰源近期已亲赴该地区实地考察。宫城县目前与九州、北海道并列为日本政府重点扶持的半导体产业三大核心基地，在政策与基础设施配套方面享有优先支持。分析指出，日本正全力重振本国半导体产业链，吸引海外龙头设厂是其关键策略之一。
从投资体量来看，宫城项目的数十万亿韩元规模，相较于SK海力士在韩国龙仁和清州总计约54万亿韩元的新厂投资（龙仁Y2 DRAM工厂35.2万亿、清州M17 NAND工厂19.1万亿）及龙仁产业集群数百万亿韩元的长期规划，属于相对小型的产能布点。业内人士认为，在全球存储芯片供需持续紧绷的背景下，此举意在通过海外前瞻性布局提前卡位，为中长期产能安全增添保障。
若计划顺利推进，SK海力士将成为继美光、台积电之后，第三家在日本设立芯片制造工厂的海外半导体巨头。值得对比的是，其韩国竞争对手三星电子目前仅在日本横滨设有一处面向下一代封装的研发中心，尚未跨入制造环节。
对于上述报道，SK海力士方面回应称：“任何具备必要基础设施的地点都可能纳入评估范围，但关于在日本建厂以及具体选址，尚未做出任何决定。”态度虽未明确，但也未否认，留有充分想象空间。
值得注意的是，SK海力士近期资本动作频繁密集。就在8月19日，公司刚批准了一项高达40万亿韩元的股份回购注销计划，创下韩国资本市场历史之最。叠加此前已官宣的龙仁、清州新厂投资，以及此次传出日本建厂意向，显示这家存储巨头正以前所未有的力度加码产能扩张与股东回报并举的战略路径。
