随着AI数据中心对高速光通信需求持续增长，诺基亚（Nokia）正加速布局光通信芯片制造。近日，诺基亚宣布已与恩智浦半导体（NXP Semiconductors）签署最终协议，将收购位于美国亚利桑那州钱德勒（Chandler）的半导体工厂，用于生产磷化铟（InP）光芯片。
诺基亚计划将该工厂改造为InP芯片生产线，并通过租赁部分厂房于2027年初启动量产。整个收购交易预计将在2029年第一季度完成。诺基亚表示，收购该工厂将进一步增强公司的半导体制造能力。
InP是一种重要的化合物半导体材料，与传统硅基芯片不同，InP芯片主要用于实现电信号与光信号之间的转换，是光通信设备中的核心器件。随着AI数据中心算力需求快速增长，数据传输量大幅提升，传统铜互连逐渐面临带宽和功耗限制，光通信技术的重要性不断提升，也带动了InP芯片需求增长。
目前，全球能够大规模生产InP芯片的企业数量有限，包括Coherent、Lumentum等少数厂商，市场缺乏具备大规模代工能力的供应商。诺基亚CEO贾斯汀·霍塔德（Justin Hotard）表示，此次收购旨在“获得额外产能，以支持自身需求，并在市场供应受限的情况下增加供应选择”。
市场研究机构数据显示，由于InP芯片供应紧张，当前光模块需求已明显超过供应能力。英伟达此前也加大对光通信产业链投入，分别向Coherent和Lumentum投资20亿美元，并签署采购协议。Lumentum方面此前表示，随着AI数据中心建设推进，InP芯片短缺程度可能进一步加剧。
此次收购也是诺基亚向AI基础设施领域转型的重要布局。2025年，诺基亚完成对光通信企业英飞朗（Infinera）的收购，并获得其位于美国加州的InP晶圆厂。同时，诺基亚还计划提升宾夕法尼亚州封装工厂产能，以扩大光通信芯片制造和封装能力。
受AI数据中心需求推动，光通信业务已成为诺基亚新的增长方向。诺基亚2026年第二季度财报显示，公司光网络业务销售额同比增长20%，来自AI和云计算客户的销售额同比增长105%。
