昀冢科技6月25日公告，控股子公司池州昀冢拟于安徽池州投建高性能MLCC生产项目，总投资额15亿元，分两期各7.5亿元推进，实施主体为新设子公司池州昀池电子。
首期7.5亿元由池州昀冢增资4.5亿元、池州江南新兴产业基金增资3亿元，增资完成后池州昀冢持股60%、产业基金持股40%；二期将视一期运营情况，由公司与地方国资再次分别增资4.5亿元、3亿元。资金节奏上，产业基金3亿元须于2026年10月底前实缴，公司4.5亿元出资最晚2028年9月完成。
公告同步披露对赌与退出安排：项目公司2027年、2028年营业收入分别不低于1亿元、2.5亿元，若未达标等情形触发，产业基金可要求按年化8%利率回购其股权；若十年内项目公司未能上市，可按年化4.8%单利回购。
昀冢科技表示，公司MLCC现有产能已处满负荷状态，新项目意在扩充高端电容产能，切入AI服务器、新能源汽车等增量赛道，呼应国产替代趋势。不过公司截至2026年一季度资产负债率已达87.35%，本次大额资本开支或进一步推高负债水平，且项目涉及资金到位、客户认证、产能释放、终端需求等多重不确定性，方案尚需提交股东大会审议后方能落地。（校对/邓秋贤）
