台积电（TSMC）周三（4月22日）在其2026年北美技术研讨会上公布了截至2029年的通用制造技术路线图。此次发布的重点包括：1.2nm和1.3nm级制程（分别命名为A12和A13）、对N2家族的意外延伸N2U，以及在2029年前不计划采用High-NA EUV光刻技术。或许最值得关注的是，公司进一步明确了多路径并行推进新节点开发的策略。
“去年我们发布了A14，作为最先进的第二代纳米片（nanosheet）技术，计划于2028年投产，”台积电业务发展与全球销售高级副总裁兼副COO Kevin Zhang表示。
“今年我们推出了A14的衍生版本，包括A13和A12，均计划在2029年投产。A13是在A14基础上的渐进式优化，主要通过光学缩放实现，在保持完整设计规则和电气兼容性的同时，实现约6%的面积缩减，使客户仅需极少重新设计即可受益。”
改变游戏规则
历史上，台积电的大部分收入来自智能手机行业，但近年来，AI和HPC（高性能计算）已反超手机业务。这一变化清晰体现在其路线图中：台积电将先进制程按终端市场需求进行“分轨”规划，而非“一刀切”。具体来说，公司将继续每年为客户端应用推出一个新节点，同时每两年为重负载的AI和HPC应用推出一个新节点。
一方面，N2、N2P、N2U、A14、A13等制程主要面向智能手机和客户端设备——这些市场更看重成本、能效和IP复用，对设计兼容性要求高，可以接受渐进式改进，只要能保持每年一个新节点的节奏。
另一方面，A16和A12等面向AI和HPC的节点，则必须提供显著性能提升以支撑技术迁移，成本相对不那么敏感。这类节点引入了Super Power Rail（SPR）背面供电技术，以解决AI数据中心和HPC负载的供电完整性和电流输送问题，并在性能、功耗和晶体管密度方面带来实质性提升，但更新节奏为两年一次。
A13与N2U：面向客户端的新节点
去年台积电推出了A14制程，基于第二代GAA纳米片晶体管，并通过NanoFlex Pro技术提供更高设计灵活性，预计将于2028年用于高端智能手机和客户端芯片。今年发布的A13则是在A14基础上的延续。
A13是A14的“光学缩版”，以最小扰动换取额外效率提升。其线性尺寸缩小约3%（约为原来的97%），带来约6%的晶体管密度提升，同时保持与A14完全一致的设计规则和电气兼容性。从某种意义上看，这延续了台积电以往通过光学缩放优化制程的传统（如N12、N6、N4、N3P），尽管此次提升幅度相对有限。这种方式使客户可以几乎无需重新设计即可复用IP，但性能提升也相对渐进。
A14本身可在功耗、性能和密度上实现全面提升，但需要全新的工具、IP和设计方法；相比之下，A13通过DTCO（设计-技术协同优化）实现增益，无需更改设计即可获得改进，预计于2029年量产。
此外，台积电还将推出N2U，为客户提供低成本升级路径。N2U是N2平台的第三年延伸版本，通过DTCO可实现：同功耗下性能提升约3%–4%，或同速度下降低功耗约8%–10%，并带来约2%–3%的逻辑密度提升。该节点与N2P IP兼容，使客户无需迁移到全新制程即可开发新产品，避免高昂成本。
例如，如果某公司在2027年基于N2P开发高端产品IP，那么可以在2028年利用N2U打造中端产品。
Zhang表示：“我们通过N2U持续扩展2nm平台，通过DTCO提升性能、功耗和密度。我们的策略是在节点推出后持续优化，让客户在获得渐进式PPA收益的同时，最大化设计投资回报。”
A16、A12与N2X：不惜成本追求极致性能
虽然N2将同时用于客户端和数据中心，台积电还在推进A16，该节点引入SPR背面供电，专为高性能数据中心应用打造。本质上，A16可视为带SPR的N2P，采用第一代GAA纳米片晶体管，在性能、功耗和密度方面优于N2/N2P，但成本更高。
值得注意的是，A16目前被列为2027年节点（相较此前2026年略有延后）。
Zhang解释称：“A16将在2026年具备量产准备，但实际产品放量取决于客户，我们预计在2027年进入规模生产，因此按该时间表对齐。”
同时，A16并不会取代N2X。N2X是N2P的高性能版本，采用传统正面供电，用于将频率推至极限。
A16之后，将由A12接棒（预计2029年推出），为数据中心级节点带来完整世代升级。虽然台积电未披露具体数据，但预计A12相对A16的提升，类似于A14相对N2的跃升——其将基于第二代GAA纳米片晶体管与NanoFlex Pro技术。
“ A16是我们首个采用SPR背面供电的技术，”Zhang表示，“A12将是下一代，在正面和背面同时持续缩放，以实现整体密度提升。”
High-NA EUV暂无计划
一个值得注意的点是，台积电2029年的A13和A12制程均不需要High-NA EUV光刻设备。这与英特尔的路线形成鲜明对比，后者计划从2027–2028年的14A节点开始采用High-NA EUV。
“我对我们的研发团队感到非常惊讶，”Zhang表示，“他们不断找到在不使用High-NA的情况下推进技术缩放的方法。未来某一天可能会用到，但目前我们仍能从现有EUV中获得收益，无需转向成本极高的High-NA。”（校对/李梅）
