HBM需求引发存储大缺货! DRAM、NAND供应压力山大2026仍无解

来源:工商时报 #存储#
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全球电子协会指出,随AI与资料中心需求快速升温,全球存储供应正出现结构性重分配,高频宽记忆体(HBM)需求大增,迫使产能自传统DRAM与NAND快闪存储技术转移,导致电子制造商普遍面临交期延长、价格上涨及市场不确定性升高等压力。

根据该协会《存储紧缩:AI驱动的产能重新分配如何重塑电子制造商的存储供应格局》报告,全球存储市场已不再只是短期景气循环波动,而是进入由AI驱动的长期供应重组阶段,对整体电子产业供应链与成本结构带来深远影响。

该调查显示,62%制造商正面临供应受限或交期延长,82%受访者反映存储价格上涨,其中33%更认为涨幅显著;仅14%企业预期未来六个月内情况可望改善。

94%企业表示,目前仍可取得存储供应,但多数业者坦言取得条件已明显受限,不仅提高生产规划难度,也进一步压缩企业获利空间。

全球电子协会指出,存储是电子制造不可或缺的基础元件,从智能手机、笔电,到汽车、工业系统及医疗设备等产品,都高度依赖稳定供应。

少数AI驱动买方正吸收愈来愈大比例的全球供应,使传统采购策略逐渐失效,制造商必须改以更具前瞻性的方式,强化供应来源多元化,并提升设计端的替代与调整能力。

全球电子协会首席经济学家Shawn DuBravac表示,AI不仅在推动需求成长,更在重新定义关键资源的取得方式,这代表全球电子生态系统中的存储资源排序正被根本改写。

对于未直接处于AI供应链核心的制造商而言,未来将被迫在更紧张、也更难预测的市场环境中竞争。

产业人士预期,随着AI基础设施投资持续加速,DRAM与NAND供应压力在2026年仍将延续,恐进一步推升电子产品短期售价,拉长生产交期,甚至导致部分产品类别出现供应短缺。

责编: 爱集微
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