英特尔近期公开了一项2022年申请的专利，内容涉及把Micro LED集成进IC封装。按照专利描述，半导体裸片可以直接嵌入玻璃基板，基板内的玻璃通孔（TGV）负责把电力直接送到裸片上的Micro LED；电源与信号再经由封装基板连接至主板。
这些Micro LED可采用纳米线结构，发出红、绿、蓝三色光。专利提到的应用场景包括：DIY电子产品的个性化装饰、封装内部的电气测试指示灯，以及CPU表面的发光字符等。也就是说，它既能承担功能指示，也能为芯片增加视觉装饰效果。
制造方面，专利给出了这样的流程：先用激光诱导蚀刻配合化学蚀刻，在玻璃基板上形成通孔和芯片腔体；再通过铜电镀形成TGV；随后把带有Micro LED的裸片嵌入腔体；最后用氮化硅层将两侧聚合物封装基板键合，完成信号与供电的垂直互连。专利还列举了多种结构变化，例如裸片水平或垂直放置，以及集成反射器等。
英特尔在玻璃基板领域并非临时起意。公司从2013年起就研究用玻璃替代有机基板，积累了较多知识产权，并在2023年首次展示玻璃基板样品。此后，其商业化推进明显加快。
在NEPCON Japan上，英特尔展示了一款厚玻璃芯与EMIB技术结合的工程样品，在约78×77毫米的大尺寸封装上实现了无裂纹切割。到了ECTC 2026，英特尔又公布了玻璃芯基板的高量产技术验证，覆盖成孔、金属化、多层布线、光电集成等端到端工艺，并展示了24层无缺陷结构和精确的翘曲控制能力。
生态合作也在扩展。蓝思科技的一家全资子公司已与英特尔签署谅解备忘录，将TGV先进封装列为首要联合开发方向。按照合作分工，英特尔提供架构规范、可制造性设计（DFM）指南和验证方法，蓝思方面负责成孔、高精度激光加工、金属化沉积和多层互连布线。蓝思已向北美和韩国的一级客户交付样品，样品包含数百万个通孔，不导通缺陷率为0 ppm。
另外，英特尔还与总部位于美国的半导体技术公司3D Glass Solutions合作，在印度推进一座投资33亿美元的玻璃基板制造设施。该厂规划年产能约为7万片玻璃基板、5000万套组装单元，以及近1.3万个先进3D异质集成模块。项目面向AI芯片和高性能计算所需的高密度、大尺寸封装，预计在2028年至2030年间开始高量产出货。
