从垄断到多极:韩媒剖析长鑫速度,担忧“韩国存储帝国”根基正被中国动摇

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近期,韩国主流财经媒体《韩国经济》刊发深度分析,指出中国半导体产业正在打破“永远追不上”的固有偏见。其中,被喻为“半导体皇冠明珠”的DRAM领域,中国企业长鑫存储(CXMT)的快速崛起正在重塑全球市场格局,其影响力已不局限于中国本土,开始向过去由韩国巨头主导的高端存储器市场稳步渗透。

图:韩媒《韩国经济》报道

DRAM行业素以技术门槛高、资本投入密集著称,长期以来被韩国三星、SK海力士及美国美光三家巨头牢牢把控。而成立于2016年的长鑫存储,仅用不到十年时间,便完成了从技术空白到自主量产的跨越,堪称中国半导体发展史上的标志性事件。

韩媒回顾中国存储产业的早期探索时提到,这一过程并非一帆风顺。曾有多家企业尝试突围,却因资金压力、技术瓶颈或外部制裁而折戟。紫光集团陷入财务困境,福建晋华则因美国制裁而发展受阻。然而,正是在这样的背景下,长鑫存储凭借技术积累与战略定力,成为“幸存者”并实现突破。

如今,长鑫已具备量产高端存储芯片的能力。韩媒指出,其最新推出的DDR5产品传输速率达8000Mbps,LPDDR5X更提升至10667Mbps,已能满足高端服务器、AI加速器及旗舰移动设备的性能需求。这意味着“中国制造等于低端”的旧有印象正在被颠覆。

图:韩媒《韩国经济》报道

市场研究机构Omdia数据显示,从产能和出货量来看,长鑫存储目前已稳居全球第四,仅次于三大传统巨头,成为首家跻身全球DRAM第一梯队的中国本土企业。韩媒引述业内人士观点称,长鑫“已非寻常的中国厂商”,三星与SK海力士若想保持领先,不能仅满足于当前利润,更需加大下一代技术的研发投入,以应对未来周期性的竞争压力。

与此同时,另一家韩国媒体也发出警示性社论,直言中国在多个高科技领域正全面赶超韩国,长鑫的崛起只是“中国冲击”的一个缩影。文章指出,韩国正面临结构性挑战,过去的技术优势正在被侵蚀,亟需制定系统性应对战略。整体来看,韩国舆论普遍认为,长鑫存储的崛起正推动全球DRAM市场从“三强鼎立”向“多极共存”过渡。这一变局,既是技术竞争的体现,也预示着全球半导体格局的深刻重塑。

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