由于存储半导体价格全面飙升，业界关注的焦点集中在三星电子将如何推进其HBM和通用DRAM的生产战略。
据报道，在存储半导体价格全面飙升的背景下，三星电子拥有业内最大的生产能力，且部分通用 DRAM 的盈利能力高于 HBM，因此该公司可能会选择适当调整 HBM 和通用 DRAM 之间生产比例的策略。
据业内人士透露，鉴于今年主要内存产品线价格大幅上涨，三星电子据称正在对其HBM和通用DRAM的生产策略进行定期审查。随着 HBM4 市场的蓬勃发展，三星电子正在扩大其关键材料1c DRAM 的生产能力。该公司已将其平泽园区 P4（4 号工厂）的完工日期从原计划的明年第一季度提前到今年年内。
报道称，三星电子的HBM4供应价格已飙升至700美元，比HBM3E高出约30%，预计将带来可观的盈利。但三星电子预计将维持“双轨”策略，不会将生产能力仅集中在 HBM 上，同时也会稳步维持通用 DRAM 的生产规模。
市场研究公司 TrendForce 最近将今年第一季度 DRAM 价格环比上涨的预测从最初的 55-60%上调至 90-95%。分析认为，由于去年第四季度 PC 出货量超出预期，增加了对 PC DRAM 的需求，导致价格大幅上涨。一些分析师认为，部分通用 DRAM 的盈利能力已经超过了 HBM。
三星电子拥有业内最大的生产能力，据报道，其总 DRAM 生产能力的 70%分配给了通用 DRAM。随着今年进入英伟达HBM 供应链，三星电子预计将显著提高其 HBM 生产比例。不过，由于整体生产能力的扩大，通用 DRAM 在总销售额中的份额也有望保持在相当水平。该公司可能会定期调整 HBM 和通用 DRAM 的生产比例，以找到利润最高点。据业内人士透露，三星电子每几个月就会根据客户的内存需求情况审查其生产策略。
