近日，北京铭镓半导体有限公司（简称“铭镓半导体”）完成A++轮超亿元股权融资，由彭程创投、成都科创投等机构联合投资，该公司累计融资额已突破3亿元。
作为北京市唯一聚焦超宽禁带半导体的市级未来产业育新平台，铭镓半导体本轮融资将主要用于推进两大核心技术的产业化：一是加速6英寸氧化镓衬底的研发与规模化量产，计划新增20套中试设备，全面达产后年产能有望达到3万片，此举标志着我国在该领域正式步入规模化制造阶段；二是扩大磷化铟多晶产线规模，以应对市场爆发式需求。公司依托中关村顺义园的创新服务体系，已搭建2000余平方米的概念验证平台，并与北京邮电大学、中国科学院半导体研究所等顶尖院所开展产学研合作，加速科技成果转化。此外，公司计划到2026年将磷化铟多晶年产能提升至20吨，以提升国内材料自给率，缓解供需紧张局面。
2025年1月，铭镓半导体首次成功制备出4英寸氧化镓晶坯，这是全球首次。此次成功的氧化镓晶坯生长直径达4英寸、厚度达55毫米，加工后可用尺寸为3英寸、厚度高达40毫米。在同等工艺条件下，用氧化镓制造的器件芯片数量越多，单位器件芯片制造成本越低，氧化镓的性价比优势更加明显。
