三星电子扩大DRAM产能应对激增需求

三星电子宣布将部分NAND闪存生产线转换为DRAM生产设施，以应对全球AI基础设施投资扩张带来的DRAM需求激增。
三星电子计划将其位于平泽和华城的NAND闪存生产线部分转换为DRAM生产设施，以应对市场对DRAM的强烈需求。公司还计划将正在建设的平泽工厂4（P4）打造成采用最新工艺（1c）的DRAM专用生产线，以最大化利润。
随着全球大型科技公司竞相投资AI基础设施，作为CPU和GPU快速运行辅助的存储半导体出现短缺。近期市场对DRAM的需求已达到三星电子、SK海力士和美光科技三大存储公司供应能力的三倍。部分公司甚至提出将三星电子高容量服务器DRAM（包括96GB和128GB DDR5）的价格提高70%，但由于供应不足而无法获得足够数量。
DRAM供应短缺预计将持续，主要科技公司已开始就2027年的供应量进行谈判。三星电子的此次调整有望缓解市场紧张局势，同时提升公司盈利能力。
目前，三星电子在平泽工厂1（P1）、工厂3（P3）和华城园区生产DRAM和NAND闪存。P1和华城园区作为混合生产线，生产两种产品。公司将通过减少NAND闪存生产设施，扩大P1和华城园区的DRAM生产设施。此外，即将完工的P4将作为10纳米级第六代（1c）DRAM生产设施，预计明年开始运营。公司还在考虑在原计划用于代工生产的工厂2（P2）生产DRAM。
预计到明年上半年，随着设施投资的完成，平泽P1和华城园区的现有混合生产线将提高DRAM生产比例，P4等新生产线将显著增加产能。国内减少的NAND闪存产量将通过增加西安工厂的生产来弥补。业内人士表示，尽管NAND闪存供应商众多，但DRAM市场主要由三大存储公司主导，增加高利润DRAM的生产将进一步提升公司盈利结构。