进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术近期再次取得重要突破。
“无铱工艺”（PMF-Precious Metal Free）制备的2英寸氧化镓衬底，品质大幅提升，实现腐蚀坑密度EPD＜50个/cm2（统计数46个/cm2），相比其他工艺（导模法、直拉法、VB法等基于贵金属的工艺体系）报道的数千至数万个，EPD降低2~3个数量级，充分体现了进化半导体“PMF无铱工艺”技术路线优势。
这是国际上首次报道达到该品质级别的衬底成果，为下游用户提高良率，推动产业化进程有重要意义。
图1 氧化镓衬底的腐蚀坑密度46个/cm2
使用自主开发的科研级HVPE外延设备，成功在上述低位错衬底上制备了厚度为20μm的同质外延膜，外延层表面光滑，无色通透，可以清晰观察到(100)斜切面外延生长的台阶流。
图2 氧化镓同质外延片（1mm*1mm级视野内均未发现明显缺陷）
进化半导体已可供应：
2英寸及以下尺寸的(100)偏6度、(011)、(010)、(001)等多种晶面的科研级衬底
HVPE 2英寸氧化镓同质外延片，厚度＞10μm，载流子浓度低至1-2E15
HVPE 2英寸蓝宝石基氧化镓外延片，厚度3~7μm，载流子浓度低至1-2E15
专用于VB工艺的高纯氧化镓多晶毫米/厘米级颗粒料，可大幅提升VB和导模法晶体制备效率
