1.喜讯！艾为电子连续两年荣获上交所信息披露最高“A”级评级！
2.计算+存储+感知+执行：北京君正Tech Wave 2025多元化全面布局AI，开启“第三次创业”历程
3.联讯仪器“一种芯片对位剥离平台”专利获授权
4.京东方“液晶天线阵列及装置”专利获授权
5.芯导电子 “SGTMOS管的器件结构制备方法”专利获授权
1.喜讯！艾为电子连续两年荣获上交所信息披露最高“A”级评级！
近日，上海证券交易所正式公布了《沪市上市公司2024至2025年度信息披露工作评价结果》。上海艾为电子技术股份有限公司（股票代码：688798.SH）荣获最高A级评价！
公司连续两年荣获上交所信息披露最高"A"级评级，这一权威评价充分彰显了监管机构与资本市场对艾为电子在公司治理、规范运作及投资者权益保护领域工作的高度认可，体现了公司在资本市场治理水平的卓越表现。
作为中国数模龙头，艾为电子凭借规范的信息披露与高效的治理实践，连续两年获得上海证券交易所信息披露最高评级——A级评价。根据统计，科创板上市公司中每年获评A类的比例约为20%，而连续两年蝉联A级的企业仅占约10%。艾为电子能够跻身这一梯队，体现了公司在合规治理、投资者关系建设与信息透明度方面的扎实成效，也为企业长期可持续发展奠定了坚实基础。
卓越治理赢得持续认可
在2024-2025年信息披露工作评价中，上海证券交易所对沪市2,263家上市公司进行了综合评价，艾为电子凭借系统化的合规架构和高质量的披露实践，成为少数连续获评A级的科创企业。公司建立由战略委员会直接领导的ESG治理机制，将可持续发展指标融入研发决策与资本规划，形成具有半导体行业特色的披露体系。这一评价结果不仅体现监管机构对科技企业治理能力的高度认可，也为公司后续资本运作构建了夯实的根基。
体系化信披赋能价值传递
艾为电子坚持以清晰的沟通为导向，持续推进信息披露的体系化建设。公司设立专职团队，通过标准化、结构化的方式系统梳理技术进展与经营成果，有效提升投资者对芯片技术路径与业务布局的理解效率。在2024年首度发布的《可持续发展报告》中，公司结合数据图表与案例，全面呈现了在研发投入、绿色运营及供应链管理等方面的具体实践，助力投资者更直观地把握公司的长期价值与合规水平。此外，公司依托业绩说明会、上证e互动平台等多渠道沟通机制，将专业的芯片技术语言转化为清晰的投资逻辑，推动信息披露由合规披露逐步向价值传递深化。
技术驱动业绩高质量增长
稳健的经营业绩和规范的公司运作，为公司卓越的信息披露质量奠定了坚实基础。2025年第三季度报告显示，艾为电子前三季度实现营业收入21.8亿元，归母净利润2.8亿元，同比增长55.0%，公司整体毛利率水平较去年同期提升6.0个百分点，盈利能力大幅提升。艾为电子持续秉持“客户第一，与伙伴共赢”，以“用科技的力量创造美好未来，用心为客户、员工、合作伙伴和股东创造价值”为使命，努力提升核心技术水平、产品性能及客户服务能力，以自主创新为驱动，不断推动企业发展，矢志成为具有国际竞争力的高性能数模混合芯片、电源管理芯片、信号链芯片设计公司，服务全球客户。
续写新篇，再启新章
艾为电子连续两年获得信息披露A级评定，标志着公司在治理体系建设方面取得关键进展。我们将继续坚守“运作规范、披露透明”的原则，持续优化信息披露工作，积极创新投资者沟通方式，致力于以更高质量的公司治理回应广大投资者的信赖与陪伴。未来，艾为电子将持续聚焦主营业务，依托技术持续创新与产品迭代升级，以稳健的业绩成长切实回报投资者，与各位投资人同心协力，共同创造长期价值。
2.计算+存储+感知+执行：北京君正Tech Wave 2025多元化全面布局AI，开启“第三次创业”历程
10月27日，北京君正技术峰会2025（Ingenic Tech Wave 2025）在深圳丽思卡尔顿酒店隆重举行。本次峰会聚焦技术突破与未来布局，通过多场主题演讲向业界分享了北京君正在计算芯片领域的宏观规划、技术发展、产品方阵及生态布局，超八百人相聚于此，共同见证了北京君正芯片研发的硬核实力，持续赋能 AIoT、智能视觉、智慧家庭、工业控制等多元领域的坚定步伐。
战略聚焦 全面布局AI 赋能千行百业
当前，AI技术通过优化芯片架构、加速算力需求、推动专用化设计等方式正在加速赋能芯片产业，也成为芯片厂商的技术破局关键。
峰会伊始，北京君正董事长John回顾了公司二十载的发展征程，将其划分为意义深远的三个阶段。从2005年的CPU技术突破，到2013年开始全面布局计算与AI技术，再到2020年并购ISSI布局存储与模拟产品线，成功构建起“计算+存储+模拟”的全新发展格局，为后续的技术创新与产业拓展奠定了坚实基础。
经过多年深耕，北京君正已构建起涵盖CPU、AI、音视频、成像、AOV低功耗等多领域的核心技术体系，拥有Victory（RISC-V）、XBurst（MIPS）等系列CPU内核，NPU 3.0、NPU 4.0等先进AI处理单元，以及H.264、H.265等编解码处理技术，同时打造了Magik AI开发平台等完善的技术支撑体系。这些技术相互协同，形成了强大的技术合力，赋能各类智能终端产品。
北京君正董事长John
面向未来，John提出了公司“第三次创业”的AI发展路径，明确了以AI为核心，覆盖计算、存储、感知、执行为四大关键维度的战略方向。
在计算领域，基于RISC-V架构，重点发力AI-Vision、LLM、AI-MCU/AI-MPU等方向，持续迭代CPU与NPU技术，从NPU 1.0到即将推出的NPU 4.0，实现算力从0.1Tops到512Tops的跨越，满足从端级到边缘计算的多样化需求，同时依托RISC-V架构实现全平台覆盖，持续突破微架构效率。
在存储领域，不断提升研发、制造与产品实力，并积极布局3D-DRAM等新兴方向，通过混合键合，叠加高带宽、低功耗、端侧AI等能力，以应对AIoT时代对存储带宽的高要求。
在感知领域，深耕Audio/Video处理、AI感知算法及多模态技术，升级ISP成像技术，优化音频识别与增强方案，创新音视频压缩技术，拓展万物识别和多模态识别等算法应用场景。
在执行领域，聚焦电机控制、打印技术与交互体验三大板块，覆盖多种电机类型、打印方式及屏显、语音等交互形式，提供“一揽子”的方案，全面赋能终端设备的智能化升级。
为此，John强调，过去二十年，北京君正深耕于行业，积累了自身差异化优势，未来将持续布局AI技术，通过持续的技术创新与生态构建，用君正之道赋能产业，为全球AIoT产业发展贡献核心力量。
全面出击 发布新品 全面拥抱AOV新竞态
“AOV成为北京君正进入智能视觉市场以来，第一次真正给这个行业贡献的专有名词”，智能视觉事业部副总经理Brad表示。同时，他以“有的放矢”和“整体交付”的理念分享了君正未来的技术创新。
智能视觉事业部副总经理Brad
从基于Linux搭配的T31，到一芯双摄的T40，再到首创AOV模式的T41，以及本次峰会重磅发布的T33、T32P等多款新品，开启了北京君正在AOV技术领域的全面产品力。
据智能视觉事业部资深总监Zoro介绍，T33作为“入门超大杯”产品，主打5M分辨率、多摄、AI能力，以及更低功耗与全兼容设计；T32P与T33形成互补，支持全面4K方案，AI能力达到1Tops，具备Linux快起+AOV+preroll等功能，为全景创新和跨界运动提供了支持。
值得关注的是，本次T33芯片已全面量产和大规模应用，将联合乔安、维拍、庆视、觅睿等共同发布，一同创造智能视觉市场指数级的共荣。
智能视觉事业部资深总监Zoro
在T33之外，Zoro介绍，T3x系列将支持多摄同步与AOV-AT模式，面向SMB场景，兼顾电池类设备的续航与画质需求，覆盖更远的监测效果。此外，AOV-U与AOV-x系列进一步拓展了超低功耗与多模态感知的边界，面向家用消费市场，实现极致功耗，结合Pre-Roll预录、Mert AI音频增强、超级编码等技术，为智能门锁、家用安防、户外摄像等场景提供更具竞争力的解决方案。
未来，Brad强调，北京君正将推出两个方向的研发，稳态影像方向的T42芯片和动态影像方向的Corot 3.0系列。特别是T42，将直击黑光视觉的难点，凭借更高要求，更大算力，更低功耗，强化公司在消费类安防领域的核心竞争力。
而在大模型领域，Brad首次提出了“端侧视觉智能体”的概念，通过发展“万物识别”和“视频理解”这两个技术基点来达成。基于视觉智能体，未来有望打造家庭视频智体中心。
齐头并进 多产品线持续迭代 助力场景应用落地
基于CPU微架构的全面升级、多种NPU 3.0满足边缘场景的大算力需求、H.264、H.265编解码处理技术以及Magik AI平台等完善的技术支撑体系，将助力北京君正实现芯片迭代速度的加倍成长。
在MCU领域，为解决传统MCU在算力、内存与存储资源、边缘智能场景适配性等方面存在诸多痛点，北京君正以AI-MCU新品G32S10M破局高性能市场，构建边缘新生态。该芯片集成RISC-V双核、自研NPU（0.5Tops）与大容量PSRAM，支持图像识别、语音交互与智能电机控制，在保持MCU实时性的同时大幅提升AI算力，真正实现“控制+智能”一体化，可广泛应用于智能家电、工业控制、机器人、储能等领域。
深圳君正总经理、MCU资深总监Toney还指出，面向整个MCU生态，北京君正将与传感器、BT/WIFI、CAT1、存储等厂商等合作开发，提供 “AI-MCU + 传感器” 一体化模组，降低终端客户选型难度，赋能智慧出行、智慧办公、智慧工业等领域的应用，一起拥抱AI-MCU的发展机遇。
深圳君正总经理、MCU资深总监Toney
在ISP领域，作为近两年想象空间最大的新消费品牌，AI眼镜正在以下一代移动计算平台的姿态快速崛起。智能视觉事业部-泛视频-产品线总监Neil认为，AI眼镜的核心价值就是“多模态交互下第一视角的快速记录”。在TWS/OWS技术完全成熟的当下，ISP的功耗突破才是解决智能穿戴设备中“不可能三角”问题的核心。
本次峰会，北京君正发布全新CW系列ISP芯片，实现更高画质、更低功耗和更小尺寸，覆盖AI眼镜、AI拍照耳机、拍照智能手表以及环境感知类穿戴类产品的全场景应用。将于2026年Q1面世的CW080，具备12MP超高清拍照能力，支持端级EIS防抖，支持200ms内完成拍照的极速响应能力；以及将于2026年Q2发布的CW020，2026年Q4推出的CW240，凭借超小封装、超低功耗、更高分辨率等性能革新，为智能穿戴设备市场带来更强大的ISP解决方案。
智能视觉事业部-泛视频-产品线总监Neil
在MPU领域，从X1600到X3000，北京君正的MPU产品不断演进，性能全面提升，在保持更低功耗的同时，进一步提升整体系统的可靠性，在二维码扫码设备、POS机等智慧零售领域，以及打印机、扫地机和家居/家电类显控产品等智慧生活领域已经深度落地应用。此次峰会也重点推出了针对LED显示行业的专用芯片，D200,它集成LED控制器，支持H264解码，支持4层叠加，硬件旋转模块。针对LED行业有四大核心优势：一是直驱，二是传输压缩的码流，对带宽要求不高，三是硬解和同步，四是智能。通过软件定义，来给LED行业赋予新的动能。
MPU事业部-市场拓展总监Sam强调，北京君正MPU产品线的未来规划，将持续强化多核异构路线，重点扩展AI边缘智能计算，通过软硬协同优化，进一步拓展AIoT应用场景的边界。
MPU事业部-市场拓展总监Sam
创新联动 三大主题展区 全方位展示全生态
此次北京君正不仅带来了技术峰会2025，还于10月28日至30日在深圳丽思卡尔顿酒店6楼以创新应用展的形式，设立了智慧零售、视频会议与泛视觉、视觉视频安防等三大主题展区。其中，智慧零售展区涵盖智慧零售方案、AI-MCU、智慧生活方案、MPU芯片；视频会议与泛视觉展区涵盖智能穿戴ISP、智能看护与打猎相机、智能门锁解决方案；视觉视频安防展区则覆盖AI编码、AI-NVR、多摄方案、高帧率方案、Gekko2.0、AOV-Series、T33新品、T-Series Roadmap等技术和展品覆盖多种场景应用的高性价比方案。
北京君正技术峰会2025不仅是一场技术盛宴，更是智能芯片产业的一次重要交流与展示平台。随着AI、RISC-V、大模型等技术持续融合，北京君正正以全栈式芯片方案，加速中国智能硬件在全球AIoT市场中赋能前行。
3.联讯仪器“一种芯片对位剥离平台”专利获授权
天眼查显示，苏州联讯仪器股份有限公司近日取得一项名为“一种芯片对位剥离平台”的专利，授权公告号为CN115410970B，授权公告日为2025年9月23日，申请日为2022年9月2日。
本发明公开了一种芯片对位剥离平台，包括微调结构、承载平台、连接顶针和吸嘴，所述连接顶针和吸嘴卡接于微调结构的内部，所述微调结构带动吸嘴进行上下方向的移动，所述微调结构的一侧固定连接有大行程机构，所述微调结构的上方设置有与连接顶针和吸嘴相贴合的承载平台。本发明通过设置大行程机构可以带动吸嘴以及顶针进行大行程的运动，可以使其移动至蓝膜芯片的下方，随后启动微调机构进行运作，这样的设置可以在对蓝膜进行顶起的过程中使吸嘴进行上下移动，而内部的顶针并不会随之进行运动，这样的设置在利用吸嘴对其顶起的时候方便外界晶粒吸取，也不会使顶针将蓝膜芯片戳破。
4.京东方“液晶天线阵列及装置”专利获授权
天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司近日取得一项名为“液晶阵列和通讯装置”的专利，授权公告号为CN119234355B，授权公告日为2025年9月26日，申请日为2023年4月28日。
该液晶天线阵列包括设置的多个天线结构；各天线结构层、辐射贴片和第一连接层；各天线结构层包括全相量可调移相器、功分结构和第一可调移相器；全相量可调移相器的输出端与功分结构的输入端连接，第一可调移相器与功分结构的第一输出端连接，第一连接器合结构将第一可调移相器的端与辐射贴片耦合，第二耦合结构将功分结构的输出端输出的电磁波耦合至辐射贴片，第一耦合结构和第二耦合结构正交，第一可调移相器的相位调节范围小于全相量可调移相器的相位调节范围。由此，该液晶天线光纤可进行重构可重构的输出波束扫描，并可实现小型化。
5.芯导电子 “SGTMOS管的器件结构制备方法”专利获授权
天眼查显示，上海芯导电子科技股份有限公司近日取得一项名为“SGTMOS管的器件结构制备方法”的专利，授权公告号为CN202411442909.2，授权公告日为2025年9月6日，申请日为2024年10月15日。
本发明提供了SGT MOS管的器件结构制备方法，该方法包括：在外延层的表面和外延层的第一凹槽侧壁上依次形成第一热氧化层、隔离层和沟槽氧化层，在满足沟槽侧壁氧化层的厚度要求的基础上，对第一热氧化层的厚度进行减薄，以减少对外延层的消耗，从而提高SGT管的耐压性能。在沟槽氧化层构成的凹槽内沉积第一多晶硅层，并去除第一凹槽内的部分沟槽氧化层，由于设置了所述隔离层，因此第一多晶硅层突出部分表面的栅间氧化层可按需求厚度进行生成，从而降低了SGT管的栅源电容。沉积第二多晶硅层并对第一凹槽两侧的外延层进行第一离子注入和第二离子注入。在衬底上沉积层间介质层，完成器件结构的制备。
