9月25日，由深圳市存储器行业协会、北京大学集成电路学院主办，爱集微（上海）科技有限公司协办“第四届GMIF2025创新峰会（Global Memory Innovation Forum）”在深圳湾万丽酒店成功举办。峰会同期重磅揭晓了GMIF2025年度大奖，评选全面覆盖存储技术、解决方案、AI应用等多个维度，不仅彰显了获奖企业在细分领域的领先实力，更精准勾勒出AI驱动下存储产业的技术风向与发展趋势，为全球产业链协同创新树立了标杆。
三星半导体、铠侠、Sandisk、Solidigm、Arm、Intel、联发科、长江存储、长鑫存储、佰维存储、慧荣科技、联芸科技、英韧科技、澜起科技、科大讯飞、广芯基板、龙芯中科、中电长城、立可自动化、沈阳和研、豪杰创新、金胜电子、嘉合劲威、微见智能、迈为科技、矽力杰、中科飞测、芯上微装、和美精艺、态坦测试、触点智能、欧康诺、铨兴科技、泰来封测、行云科技、燕芯微、宏茂微等多家企业脱颖而出，凭借在技术创新、产品突破、产业协同与生态建设方面的卓越成就，斩获殊荣。
GMIF2025年度大奖共设置国际引领篇、中国力量篇和生态创新与产业篇三大篇章超过37个细分奖项。获奖名单如下：
国际引领篇
此类荣誉致敬全球存储领军企业，表彰其在算力提升、存算协同与AI存储等关键领域的卓越贡献，展现产业前行的核心驱动力。
杰出存储技术引领奖：上海三星半导体有限公司
三星半导体作为全球存储产业的领军企业，长期引领存储技术发展方向，在DRAM与NAND领域持续实现技术迭代与规模突破。面对AI时代对高带宽、高能效和高可靠性的迫切需求，三星率先推动HBM、DDR5、LPDDR5X以及高层堆叠3D NAND等前沿技术的量产与应用，加速赋能大模型训练、数据中心扩容、智能终端创新等关键场景。其技术布局不仅重塑了存储性能与能效边界，也为全球客户提供了坚实的解决方案支撑。凭借持续的研发投入与产业引领作用，三星半导体为全球存储产业的进阶与AI应用落地做出了卓越贡献。
杰出NAND技术先锋奖：铠侠（KIOXIA）
作为NAND闪存发明者，铠侠持续领跑3D NAND创新，第八代BiCS FLASH™凭借晶圆键合（CBA）、横向微缩等前沿工艺，让TLC与QLC效能进一步提升。其中QLC更是将单Die容量提升至2Tb，通过32层堆叠，实现了单个存储芯片8TB的超大存储，为2.5英寸SSD实现2