华润微“耗尽型VDMOS器件及其制作方法”专利公布

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天眼查显示,华润微电子(重庆)有限公司“耗尽型VDMOS器件及其制作方法”专利公布,申请公布日为2024年5月28日,申请公布号为CN118099194A。

本发明提供一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法,包括:提供一半导体衬底,所述半导体衬底上形成有漂移区;于所述漂移区上形成栅结构,所述栅结构设置成分别与相邻两所述阱区交叠,所述栅结构包括位于所述漂移区表面的栅介质层和所述栅电极层;以注入掩模图形限定的窗口执行离子注入,于所述阱区内形成源区;覆盖所述栅结构、所述源区和所述阱区形成介质隔离层;于所述介质隔离层上形成氮化硅层;所述介质隔离层中引入正电荷后,所述氮化硅层导致所述阱区邻近的栅结构表面感应产生电荷,进而形成初始沟道。本发明通过在位于氮化硅层下的介质隔离层引入正电荷,确保沟道处于常开状态,同时使制作工艺简化,大幅降低了工艺流片成本。


责编: 赵碧莹
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