大普微电子“寄生电容过载的检测方法”专利获授权

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天眼查显示,深圳大普微电子股份有限公司近日取得一项名为“寄生电容过载的检测方法”的专利,授权公告号为CN117420966B,授权公告日为2024年5月28日,申请日为2023年12月19日。

本申请实施例涉及存储设备应用领域,公开了一种物理地址的编址方法及闪存设备,方法包括:获取第一介质最小单元的编号、第一介质最小单元所在的超级页的编号、第一介质最小单元所在的超级块的编号;将超级块的编号与超级页的编号,分别转换为第一偏移量、第二偏移量;根据第一介质最小单元的编号、第一偏移量与第二偏移量,确定第一物理最小单元地址。通过将第一介质最小单元所在的超级块的编号与超级页的编号,分别转换为第一偏移量、第二偏移量,结合第一介质最小单元的编号确定第一物理最小单元地址,本申请能够提高比特位的利用率,使得介质最小单元的物理地址对应的位宽小于PMA分区编址格式对应的位宽,节省闪存设备的内存空间。

责编: 赵碧莹
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