三星电子的一位高级管理人员表示:“我们已经开发出16层3D DRAM芯片。”
三星负责DRAM的执行副总裁Siwoo Lee近期在IEEE IMW 2024活动上表示，包括三星在内的一些公司已经成功制造出16层3D DRAM。Siwoo Lee说，美光已将其扩展到8层。
不过，该高管补充说，三星现阶段正在研究3D DRAM或垂直堆叠单元阵列晶体管（VS-CAT）的可行性，而不是准备大规模生产。Siwoo Lee去年加入三星，此前曾在美光负责未来存储芯片的研究。
VS-CAT与现有的DRAM不同，它结合了两个硅晶圆。外围设备或逻辑和存储单元是单独连接的。
对于3D DRAM，像现有DRAM一样将外围设备连接到单元层旁边将导致其表面积过大。
这就是为什么外围设备是在另一片晶圆上制造，与存储单元相连，并通过键合连接在一起。
3D DRAM预计将通过晶圆对晶圆（wafer-to-wafer）等混合键合技术来制造，该技术已应用于NAND和CMOS图像传感器的生产。
另外，三星电子还表示，将把BSPDN（背面供电网络）技术应用于3D DRAM。
三星还在研究垂直沟道晶体管（VCT）。VCT也称为4F2，与此前技术6F2相比，可以将晶粒表面积减少多达30%。Siwoo Lee指出，原型产品将于明年亮相。
（校对/刘昕炜）
