三星已成功开发16层3D DRAM芯片

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三星电子的一位高级管理人员表示:“我们已经开发出16层3D DRAM芯片。”

三星负责DRAM的执行副总裁Siwoo Lee近期在IEEE IMW 2024活动上表示,包括三星在内的一些公司已经成功制造出16层3D DRAM。Siwoo Lee说,美光已将其扩展到8层。

不过,该高管补充说,三星现阶段正在研究3D DRAM或垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)的可行性,而不是准备大规模生产。Siwoo Lee去年加入三星,此前曾在美光负责未来存储芯片的研究。

VS-CAT与现有的DRAM不同,它结合了两个硅晶圆。外围设备或逻辑和存储单元是单独连接的。

对于3D DRAM,像现有DRAM一样将外围设备连接到单元层旁边将导致其表面积过大。

这就是为什么外围设备是在另一片晶圆上制造,与存储单元相连,并通过键合连接在一起。

3D DRAM预计将通过晶圆对晶圆(wafer-to-wafer)等混合键合技术来制造,该技术已应用于NAND和CMOS图像传感器的生产。

另外,三星电子还表示,将把BSPDN(背面供电网络)技术应用于3D DRAM。

三星还在研究垂直沟道晶体管(VCT)。VCT也称为4F2,与此前技术6F2相比,可以将晶粒表面积减少多达30%。Siwoo Lee指出,原型产品将于明年亮相。

(校对/刘昕炜

责编: 张杰
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