联电推出业界首项55纳米平台 RFSOI 3DIC解决方案

来源:UDN #联电# #FDSOI# #射频#
9896

联电今日宣布,推出业界首项RFSOI制程技术的3D IC解决方案,此55纳米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术,在不损耗射频效能下,可将芯片尺寸缩小45%以上,使客户能够有效率地整合更多射频元件,以满足5G更大的频宽需求。

RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智慧手机对频段数量需求的不断增长,联电的RFSOI 3D IC解决方案,利用晶圆对晶圆的键合技术,并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题,将装置中传输和接收资料的关键组件,透过垂直堆栈芯片来减少面积,以解决在装置中为整合更多射频前端模块带来的挑战。该制程已获得多项国际专利,准备投入量产。

联电技术开发处执行处长马瑞吉(Raj Verma)表示,这项突破性技术不仅解决了5G/6G智慧手机频段需求增加所带来的挑战,更有助于在行动、物联网和虚拟实境的装置中,透过同时容纳更多频段来实现更快的资料传输。未来将持续开发如5G毫米波芯片堆栈技术的解决方案,以满足客户对射频芯片的需求。

RFSOI解决方案系列从130到40纳米的制程技术,以8寸和12寸晶圆生产,目前已完成超500个产品设计定案,出货量更高达380多亿颗。除了RFSOI技术外,联电的6寸晶圆厂联颖光电还提供化合物半导体砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN),以及射频滤波器(RF filters)技术,可充分满足市场对射频前端模块应用的各种需求。

责编: 张轶群
来源:UDN #联电# #FDSOI# #射频#
THE END
关闭
加载

PDF 加载中...