纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。

纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。

1.更宽的栅极驱动电压范围（-8~22V）

支持+15V，+18V驱动模式（可实现IGBT兼容：+18 V）

+18V模式对下，RDSon可降低20%

2.更好的RDSon温度稳定性

3.出色的阈值电压一致性

V_th在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间

4.体二极管正向压降非常低且稳健性高

5.100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性，抗冲击能力强

此外，功率产品开发中可靠性验证与质量控制是纳芯微非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证，如下图：

以执行较为严苛的HV-H3TRB为例，在可靠性1000小时测试后，该款产品仍具有比较优异的稳定性。

NPC060N120A产品选型表

纳芯微SiC MOSFET命名规则