三星获美国64亿美元补贴 将在美生产2nm芯片

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美国政府宣布将为三星电子提供高达64亿美元芯片补贴,以扩大得克萨斯州的芯片生产。三星电子的项目将包括增加一座晶圆代工制造基地、一座研发基地,以及位于得州泰勒市的一座先进芯片封装工厂。

美国商务部称,三星利用这笔赠款将其在得克萨斯州泰勒市(奥斯汀郊外)的投资增加至约450亿美元,这比三星2021年在泰勒建立芯片制造工厂的承诺增加了一倍多。

该笔补贴使得美国商务部今年为美国大型芯片制造项目提供的资金总额达到230亿美元。

美国商务部表示,三星项目将创造17000个建筑工作岗位和4500个制造业工作岗位。

两年前,三星在向得克萨斯州提交的文件中提出,未来20年可能投资2000亿美元在得克萨斯州新建11家芯片制造工厂。

据美国商务部称,三星计划在泰勒建设的两座芯片制造工厂将为该公司的代工业务(其中一些是世界上最先进的)生产4nm和2nm芯片,并于2026年和2027年开始生产。

与此同时,三星计划的先进芯片封装工厂将为高带宽存储(HBM)进行3D封装,HBM是一种特殊类型的内存,是人工智能(AI)计算不可或缺的一部分。它还将提供所谓的2.5D封装技术,用于将逻辑芯片和存储芯片组合到单个封装中,从而为人工智能计算创建更强大的芯片系统。

4月8日,美国宣布将为台积电提供66亿美元拨款补贴,在这一支持下台积电同意将其在美国的投资由400亿美元增加60%以上,达到650亿美元以上。此外台积电还将在美国本土生产世界上最先进的2nm芯片。台积电的补贴是《芯片和科学法案》规定的第二大拨款,仅次于向英特尔提供的85亿美元拨款和110亿美元贷款。

《芯片和科学法案》是拜登政府复兴产业政策的核心,利用美国政府资金恢复对国家安全和经济增长至关重要的技术部件的国内生产。20世纪90年代,美国占全球芯片产量的三分之一以上,这一份额到2020年已降至12%左右。

(校对/孙乐)

责编: 赵月
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