森国科“一种沟槽栅碳化硅MOSFET及制作方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，深圳市森国科科技股份有限公司近日取得一项名为“一种沟槽栅碳化硅MOSFET及制作方法”的专利，授权公告号为CN117410346B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年12月14日。

本发明涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽栅碳化硅MOSFET，该方法包括：正面金属层、背面金属层、晶圆和设置在晶圆上的多个元胞结构，每个元胞结构包括沟槽栅、掺杂区、指定沟槽区和介质层；在每个元胞结构中，沟槽栅在掺杂区的一端，指定沟槽区在掺杂区的另一端，介质层位于晶圆之上，且介质层覆盖沟槽栅和掺杂区的一部分区域；正面金属层位于晶圆的上表面之上，且覆盖每个元胞结构的介质层；背面金属层位于晶圆之下；每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅相邻设置，且每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅之间存在指定间距。该器件有效遏制双极退化，避免栅氧容易击穿，提高栅氧寿命，降低损耗。