SK海力士:HBM芯片将在2024年DRAM销售额中占据两位数百分比

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SK海力士CEO Kwak Noh-Jung(郭鲁正)3月27日表示,预计到2024年,用于人工智能芯片组的高带宽内存(HBM)芯片将占该公司DRAM芯片销售额的两位数百分比。

本月有消息称SK海力士开始批量生产下一代先进的HBM3E芯片。HBM芯片是高级存储芯片,在英伟达和其他公司生产的GPU中需求量很大,可处理大量数据。

此前市调机构TrendForce预计截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV(硅通孔)的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1800K/m)约14%,HBM供给数量年增长率可达260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。

TrendForce同时预估了三大HBM厂商的HBM/TSV产能,其中三星HBM TSV年产能将在2024年达到130K/m。SK海力士次之,可达120~125K/m;美光相对较少,仅为20K/m。目前三星、SK海力士规划提高HBM产能最积极,其中SK海力士在HBM3市场的占有率逾90%,而三星将连续数个季度紧追,未来将受惠于AMD MI300芯片的逐季放量。

(校对/刘昕炜)

责编: 张杰
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