传三星考虑在下一代服务器RDIMM内存应用MUF技术

集微网消息，据韩国业界消息，三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充技术（MUF）。目前，三星已在现有的RDIMM服务器内存中应用热压非导电薄膜（TC NCF），但消息人士称，三星最近在3DS RDIMM中使用大规模回流 (MR) MUF工艺，与TC NCF相比，吞吐量有所提升，但物理特性却恶化了。

三星一名高管此前下令对MUF进行测试。经过测试，该公司得出的结论是，MUF不适用于高带宽内存 (HBM)，但最适合 3DS RDIMM。这类产品面向服务器，同样使用硅通孔（TSV）工艺。

据悉，三星芯片部门计划与三星SDI合作开发自研MUF化合物，目前已订购相关设备。

不过，三星预计将继续在HBM中使用TC NCF，预计美光也将采取类似的做法，可以避免多层晶圆堆叠后的翘曲问题。

（校对/赵月）